公开(公告)号：CN101553899A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200680021842.9

申请日：2006-04-28

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 阿尔温特·S·萨利安 ,  赫曼特·D·德赛 ,  史蒂芬·R·胡珀 ,  威廉·G·麦克唐纳

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/44

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/098

Abstract: 提供一种从包括支撑层(108)和覆盖该支撑层(108)的覆盖物(132)的衬底(500)形成微机电系统(“MEMS”)器件(100)的方法。在一个示例实施例中，该方法包括切割衬底(500)从而将该衬底(500)分成第一管芯(148)和第二管芯(150)，其中该第一管芯(148)具有第一侧壁(138)，和将导电材料(182)淀积到第一侧壁(138)上从而将该覆盖物(132)耦合至支撑层(108)。