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公开(公告)号：CN115261805B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202210872835.0
申请日：2022-07-21
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种平面靶材的绑定方法，属于光电功能材料技术领域。该方法包括以下步骤：S1、将靶材绑定面与背板绑定面依次进行喷砂和等离子清洗；制得表面处理后的靶材和表面处理后的背板；S2、将所述表面处理后的靶材及所述表面处理后的背板升温至170℃～180℃后，进行超声波焊接铟；S3、在步骤S2处理后的背板绑定面上制作3mm～5mm深的铟池；S4、将步骤S2处理后的靶材放入所述铟池中，直至完全浸入铟池；S5、对步骤S4处理后的靶材表面采用超声波进行震动；S6、将步骤S5处理后靶材施加作用力后冷却；S7、将步骤S6处理后靶材拼接缝隙中的铟去除后，再次冷却。本发明的绑定方法最终达到99％以上的贴合率。
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公开(公告)号：CN115849896B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202211520371.3
申请日：2022-11-30
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/645 , C23C14/08
摘要： 本发明公开了一种氧化锌靶材及其制备方法与应用。本发明的氧化锌靶材的制备方法，包括以下步骤：包括以下步骤：将氧化锌粉体模压成型，经冷等静压、脱脂和烧结后，即得氧化锌靶材；其中，所述氧化锌粉体的粒径为10μm‑20μm；所述烧结的温度为1000℃‑1200℃；所制得的3 3氧化锌靶材的密度为5.3g/cm‑5.6g/cm 。本发明的氧化锌靶材的制备方法简单，成本低，采用该方法能够制备出高密度、高纯度和颜色均一的氧化锌靶材，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115745575A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211517926.9
申请日：2022-11-30
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/626 , C23C14/34
摘要： 本发明公开了一种氧化物复合粉体及其制备方法与应用。本发明的氧化物复合粉体按照重量百分比计，包含氧化镨0.1～30％、氧化铟20～70％、氧化锌5～30％、氧化镓3～15％和氧化锡1～10％，其制备方法包括：向氯化锡溶液中滴加氢氧化钠在pH值为6～8.5条件下沉淀，得到氢氧化锡前驱体，并进行水热处理，处理完成后加入氯化锌、氯化铟、氯化镓、氯化镨混合溶液和碱性物质在pH值为7～9下反应，反应完成后，得氧化物复合粉前驱体；将氧化物复合粉前驱体置于800℃～900℃下煅烧，即得氧化物复合粉体。采用本发明的制备方法制得的氧化物复合粉体烧结活性好，且在较低的烧结温度下即可获得高密度且均一性好的氧化物靶材。
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公开(公告)号：CN115650701A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211396319.1
申请日：2022-11-09
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/638 , H10K71/00
摘要： 本发明公开了一种氧化镍基靶材的制备方法与应用，包括以下制备步骤：步骤S1、将氧化镍基粉末材料、分散剂、粘结剂和水制成浆料，经喷雾造粒后得到球型氧化镍基颗粒；步骤S2、将所述球型氧化镍基颗粒进行模压成型、冷等静压后得毛坯靶材；步骤S3、将所述毛坯靶材进行脱胶处理，然后经分段烧结后降温即得。采用本发明方法制得的氧化镍基靶材相对密度高，不易开裂，可广泛应用于太阳能电池的制备。
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公开(公告)号：CN115572167A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211272544.4
申请日：2022-10-18
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/453 , C04B35/622 , C23C14/35
摘要： 本发明公开了一种IWZO靶材及其制备方法与应用。本发明的IWZO靶材，包含In、W、Zn、O，以原子摩尔比计，In：W：Zn＝1：N：N×M；其中，所述N满足0.02≤N＜0.0721；所述M满足0.8≤M＜1.2。采用本发明原子比制得的IWZO靶材密度高、颜色均匀性好，且在连续使用过程中不结瘤、不产生尖端放电。此外，采用该IWZO靶材制得的氧化物薄膜具有低电阻率、低表面粗糙度和高透过率，可广泛用于异质结太阳能电池、显示器或光学元器件等的制备。
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公开(公告)号：CN113831120A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111186924.1
申请日：2021-10-12
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C04B35/457 , C04B35/622 , C23C14/34 , G02F1/1343
摘要： 本发明公开了一种ATO靶材前驱体及其制备方法与应用，该前驱体制备原料包括以下组分：氧化锡和氧化锑；所述氧化锑的质量分数为0.15％～1.8％；所述ATO靶材前驱体的比表面积在15m2/g至25m2/g之间。本发明通过控制氧化锑掺入的比例制得了电阻均匀性优异及光学透过率高的ATO靶材。
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公开(公告)号：CN117169287A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311116662.0
申请日：2023-08-31
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： G01N27/04
摘要： 本发明公开了一种TCO薄膜功函数的对比分析方法。上述TCO薄膜功函数的对比分析方法，包括以下步骤：A1取测试装置，该测试装置中硅片、TCO薄膜和若干金属Ag栅线依次层叠设置；A2分别测量相邻两根Ag栅线之间的电阻R；A3测量上述区域内TCO的方块电阻r1，经过计算得出两根Ag栅线之间TCO薄膜的电阻r，经计算得出对比电阻Rs；A4重复步骤A1‑A3以计算不同TCO薄膜的Rs，对比不同TCO薄膜的Rs以得到不同TCO薄膜之间的功函数大小。本发明开发了新型的TCO薄膜功函数的对比分析方法，通过简单而高效的分析，快速得出TCO薄膜功函数。
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公开(公告)号：CN112366232B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202011130523.X
申请日：2020-10-21
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法与应用，包括依次层叠TCO‑I膜层、N型非晶硅层、第一本征非晶硅层、N型衬底、第二本征非晶硅层、P型非晶硅层、TCO‑II膜层；其中，TCO‑I膜层的厚度小于TCO‑II膜层的厚度。本发明结构的异质结太阳能电池能够实现在不增加银用量的前提下，通过优化正反面的TCO的膜厚，实现更优的电池转化效率。
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公开(公告)号：CN112216747B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202011003906.0
申请日：2020-09-22
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法与应用，包括依次层叠的TCO‑I膜层、TCO‑II膜层、N型非晶硅层、第一本征非晶硅层、N型衬底、第二本征非晶硅层、P型非晶硅层、TCO‑III膜层、TCO‑IV膜层；其中，所述TCO‑II膜层的功函数高于TCO‑I膜层的功函数且TCO‑IV膜层的功函数高于TCO‑III膜层的功函数。本发明结构的异质结太阳能电池能够有效改善异质结太阳能电池接触电阻，解决了传统异质结电池中不同类型的界面之间的接触电阻高的问题。
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公开(公告)号：CN113964228A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110182072.2
申请日：2021-02-08
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/20
摘要： 本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法和应用，该异质结太阳能电池包括依次层叠的TCO‑I膜层，N型非晶硅层、第一本征非晶硅层、N型衬底、第二本征非晶硅层、P型非晶硅层和TCO‑III膜层，其中，TCO‑I膜层为氧化锡含量1wt％～4wt％的ITO，TCO‑III膜层为氧化锡含量≥10wt％的ITO。由于羧基的存在会与TCO膜层中的氧化铟反应，而本发明的异质结太阳能电池，TCO‑I膜层中，二氧化锡的含量为1wt％～4wt％，TCO‑III膜层中，二氧化锡的含量≥10wt％，能有效减少羧基与TCO膜层中氧化铟的反应，避免TCO膜层的腐蚀和TCO膜层与印刷银浆的接触电阻被升高。TCO‑I膜层的氧化锡含量为1wt％～4wt％，兼顾了羟基腐蚀和光的透过率，效果最优。
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