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公开(公告)号：CN117169287A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311116662.0
申请日：2023-08-31
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： G01N27/04
摘要： 本发明公开了一种TCO薄膜功函数的对比分析方法。上述TCO薄膜功函数的对比分析方法，包括以下步骤：A1取测试装置，该测试装置中硅片、TCO薄膜和若干金属Ag栅线依次层叠设置；A2分别测量相邻两根Ag栅线之间的电阻R；A3测量上述区域内TCO的方块电阻r1，经过计算得出两根Ag栅线之间TCO薄膜的电阻r，经计算得出对比电阻Rs；A4重复步骤A1‑A3以计算不同TCO薄膜的Rs，对比不同TCO薄膜的Rs以得到不同TCO薄膜之间的功函数大小。本发明开发了新型的TCO薄膜功函数的对比分析方法，通过简单而高效的分析，快速得出TCO薄膜功函数。
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公开(公告)号：CN112366232B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202011130523.X
申请日：2020-10-21
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法与应用，包括依次层叠TCO‑I膜层、N型非晶硅层、第一本征非晶硅层、N型衬底、第二本征非晶硅层、P型非晶硅层、TCO‑II膜层；其中，TCO‑I膜层的厚度小于TCO‑II膜层的厚度。本发明结构的异质结太阳能电池能够实现在不增加银用量的前提下，通过优化正反面的TCO的膜厚，实现更优的电池转化效率。
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公开(公告)号：CN111943650B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202010709846.8
申请日：2020-07-22
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/24
摘要： 本发明披露了一种用于活化等离子沉积技术的IWO靶材及其制备方法。该氧化物靶材主要由氧化铟组成并含有掺杂元素钨，钨的含量以W/(In+W)的原子数比计为0.003～0.05，除含有上述两种元素计量比外，该烧结体还含有占该烧结体的总重量比为5～600ppm的硅元素，除了钨外、作为掺杂元素还可以进一步加入钛(Ti)、钼(Mo)、锆(Zr)、铪(Hf)元素中的一种或其中几种金属元素的组合，钨与这些金属元素组合的总含量以(W+x)/(In+W+x)的原子数比计为0.003～0.05，除含有上述不同组合的元素计量比外，该靶材还含有占该烧结体的总重量比在5‑600ppm的硅元素。
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公开(公告)号：CN111943649B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010709835.X
申请日：2020-07-22
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/63 , C23C14/08
摘要： 本发明提供了一种用于蒸镀的烧结体及其制备方法。该烧结体，由氧化铟、掺杂元素x和硅元素制备得到，其中掺杂元素x的含量以x的氧化物/(氧化铟+x的氧化物)的重量比为0.2～5.0％，硅元素在所述烧结体中的含量为5～600ppm，硅元素为纳米氧化硅粉末和二氧化硅溶胶中的至少一种。将氧化铟与掺杂元素x的氧化物混合物料在高温获得具有方铁锰矿结构的、固溶有元素x的氧化铟单一晶相粉末，再与硅元素混合后压制成所需尺寸的胚体，再进行烧结得到烧结体。此烧结体进行RPD镀膜可获得高的迁移率，同时解决了烧结体由于密度低而在使用过程中掉粉影响镀膜过程连续进行而导致生产效率降低的问题，无需再停机针对掉粉问题进行清理，实现了持续的生产，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN112216747B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202011003906.0
申请日：2020-09-22
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法与应用，包括依次层叠的TCO‑I膜层、TCO‑II膜层、N型非晶硅层、第一本征非晶硅层、N型衬底、第二本征非晶硅层、P型非晶硅层、TCO‑III膜层、TCO‑IV膜层；其中，所述TCO‑II膜层的功函数高于TCO‑I膜层的功函数且TCO‑IV膜层的功函数高于TCO‑III膜层的功函数。本发明结构的异质结太阳能电池能够有效改善异质结太阳能电池接触电阻，解决了传统异质结电池中不同类型的界面之间的接触电阻高的问题。
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公开(公告)号：CN113964228A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110182072.2
申请日：2021-02-08
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/20
摘要： 本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法和应用，该异质结太阳能电池包括依次层叠的TCO‑I膜层，N型非晶硅层、第一本征非晶硅层、N型衬底、第二本征非晶硅层、P型非晶硅层和TCO‑III膜层，其中，TCO‑I膜层为氧化锡含量1wt％～4wt％的ITO，TCO‑III膜层为氧化锡含量≥10wt％的ITO。由于羧基的存在会与TCO膜层中的氧化铟反应，而本发明的异质结太阳能电池，TCO‑I膜层中，二氧化锡的含量为1wt％～4wt％，TCO‑III膜层中，二氧化锡的含量≥10wt％，能有效减少羧基与TCO膜层中氧化铟的反应，避免TCO膜层的腐蚀和TCO膜层与印刷银浆的接触电阻被升高。TCO‑I膜层的氧化锡含量为1wt％～4wt％，兼顾了羟基腐蚀和光的透过率，效果最优。
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公开(公告)号：CN113410362A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110573499.5
申请日：2021-05-25
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法与应用，该LED芯片包括底层，所述底层表面设有N型半导体层(3)；所述N型半导体层(3)分为第一区域和第二区域；所述第一区域表面设有中间层；所述中间层表面设有P型透明导电层；所述P型透明导电层和第二区域表面设有顶层；其中，所述P型透明导电层由包括SnO2复合材料和Cu2O复合材料的一种；所述SnO2复合材料包括SnO2与In2O3；所述Cu2O复合材料包括Cu2O与NiO。本发明通过在外延片的表面沉积P型透明导电层，提高了P型透明导电层中“空穴”向外延片的注入效率，降低了LED芯片正向电压，提升了LED芯片亮度。
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公开(公告)号：CN110734662A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910841976.4
申请日：2019-09-06
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种钨酸铯乙醇浆料及制备工艺，该浆料相对传统的油性体系钨酸铯浆料，具有有害成分少，添加剂无害易挥发的特点，同时具有传统油性介质下的透明隔热性能，充分发挥钨了酸铯透明隔热效用，具有钨酸铯浓度高，稳定性强的特点，可应用于各种钨酸铯环保涂料体系，本发明实施例提供的钨酸铯浆料，可见光透过率达到了70％，红外阻隔率高于95％，本发明实施例提供的钨酸铯浆料的制备工艺，步骤简单，无需复杂的设备和苛刻的生产条件，易于推广应用。
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公开(公告)号：CN102642814A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210137657.3
申请日：2012-05-07
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
发明人： 陈明飞
摘要： 本发明公开了一种超细氧化物粉的制造方法，该方法包括如下步骤：将铟盐或锌盐或铝盐或镓盐溶液或这几种金属盐中任意两种或两种以上的混合液与碱性溶液充分混合得到前驱物沉淀；所述碱性溶液为氨水或氢氧化钠或氢氧化钾或碳酸钠或碳酸氢氨溶液；对所述前驱物沉淀用去离子水或蒸馏水清洗过滤，得到含少量水份的前驱物；然后加水稀释，再加入含有羟基或羧基极性基团的有机物进行搅拌，之后静置分层；将静置分层的上层前驱物物料分离出来进行烘干并煅烧得到超细的铟或锌或铝或镓氧化物粉末或者得到这几种金属中任意两种或两种以上氧化物混合物粉末。本发明制备方法成本低，对环境无污染，并且实施过程安全。
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公开(公告)号：CN101628814A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200910044067.4
申请日：2009-08-10
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C04B35/626 , C04B35/01 , C04B35/457
摘要： 本发明公开了一种铟锡氧化物粉末的制备方法，该方法主要是将铟盐和锡盐的混合液与碱性溶液混合得到铟锡混合前驱物沉淀；对铟锡混合前驱物沉淀用去离子水或蒸馏水清洗并过滤，得到铟锡混合前驱物；对铟锡混合前驱物进行冻干除水获得铟锡混合前驱物干冻粉；对干冻粉进行煅烧，得到氧化铟锡粉。由于本发明方法是将铟锡混合前驱物或铟前驱物及锡前驱物用冻干机进行冻干，直接将水分子升华，避免了液体水分子的范德华力和氢键的作用，从而减轻铟锡粉末团聚现象，使铟锡粉末具有很好的分散性，能满足制作ITO靶和制作涂料的要求，并且本发明制造方法的成本相对较低。
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