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公开(公告)号：CN117096244A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310988767.9
申请日：2023-08-08
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED芯片及其制备方法与应用。涉及LED芯片技术领域。上述LED芯片，包括相互连接的I区结构与II区结构：其中，I区结构包括：衬底；缓冲层；N‑GaN层；量子阱层；P‑GaN层；透明导电层a；透明导电层b；第一钝化层；P型电极；其中，II区结构包括与I区结构共用的衬底、缓冲层和N‑GaN层；所述N‑GaN层的上表面设有第二钝化层，所述第二钝化层与所述量子阱层连接；所述第二钝化层中设有N型电极。本发明通过调控透明导电层a和透明导电层b之间的功函数差异，以适配P‑GaN和P型电极膜，降低TCO薄膜与它们之间的接触电阻，使该芯片具有高的发光效率。
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公开(公告)号：CN113964228B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202110182072.2
申请日：2021-02-08
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/20
摘要： 本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法和应用，该异质结太阳能电池包括依次层叠的TCO‑I膜层，N型非晶硅层、第一本征非晶硅层、N型衬底、第二本征非晶硅层、P型非晶硅层和TCO‑III膜层，其中，TCO‑I膜层为氧化锡含量1wt％～4wt％的ITO，TCO‑III膜层为氧化锡含量≥10wt％的ITO。由于羧基的存在会与TCO膜层中的氧化铟反应，而本发明的异质结太阳能电池，TCO‑I膜层中，二氧化锡的含量为1wt％～4wt％，TCO‑III膜层中，二氧化锡的含量≥10wt％，能有效减少羧基与TCO膜层中氧化铟的反应，避免TCO膜层的腐蚀和TCO膜层与印刷银浆的接触电阻被升高。TCO‑I膜层的氧化锡含量为1wt％～4wt％，兼顾了羟基腐蚀和光的透过率，效果最优。
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公开(公告)号：CN115261805A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210872835.0
申请日：2022-07-21
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种平面靶材的绑定方法，属于光电功能材料技术领域。该方法包括以下步骤：S1、将靶材绑定面与背板绑定面依次进行喷砂和等离子清洗；制得表面处理后的靶材和表面处理后的背板；S2、将所述表面处理后的靶材及所述表面处理后的背板升温至170℃～180℃后，进行超声波焊接铟；S3、在步骤S2处理后的背板绑定面上制作3mm～5mm深的铟池；S4、将步骤S2处理后的靶材放入所述铟池中，直至完全浸入铟池；S5、对步骤S4处理后的靶材表面采用超声波进行震动；S6、将步骤S5处理后靶材施加作用力后冷却；S7、将步骤S6处理后靶材拼接缝隙中的铟去除后，再次冷却。本发明的绑定方法最终达到99％以上的贴合率。
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公开(公告)号：CN113548872A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110805830.1
申请日：2021-07-16
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/35 , C23C14/08 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种IWO靶材及其制备方法与应用，该靶材IWO靶材包含氧化铟和氧化钨；所述氧化钨的含量以W/(In+W)的原子数比计为0.1～0.15；所述IWO靶材的密度为6.5g/cm3～7.18g/cm3。本发明的IWO靶材，导电性好且透光率高；同时还解决镀膜过程中产生中毒结瘤问题而异常放电而造成生产效率低的问题；将本发明的靶材应用于太阳能电池中，提升了太阳能电池转化效率。
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公开(公告)号：CN111943649A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010709835.X
申请日：2020-07-22
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/63 , C23C14/08
摘要： 本发明提供了一种用于蒸镀的烧结体及其制备方法。该烧结体，由氧化铟、掺杂元素x和硅元素制备得到，其中掺杂元素x的含量以x的氧化物/(氧化铟+x的氧化物)的重量比为0.2～5.0％，硅元素在所述烧结体中的含量为5～600ppm，硅元素为纳米氧化硅粉末和二氧化硅溶胶中的至少一种。将氧化铟与掺杂元素x的氧化物混合物料在高温获得具有方铁锰矿结构的、固溶有元素x的氧化铟单一晶相粉末，再与硅元素混合后压制成所需尺寸的胚体，再进行烧结得到烧结体。此烧结体进行RPD镀膜可获得高的迁移率，同时解决了烧结体由于密度低而在使用过程中掉粉影响镀膜过程连续进行而导致生产效率降低的问题，无需再停机针对掉粉问题进行清理，实现了持续的生产，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN117169287A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311116662.0
申请日：2023-08-31
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： G01N27/04
摘要： 本发明公开了一种TCO薄膜功函数的对比分析方法。上述TCO薄膜功函数的对比分析方法，包括以下步骤：A1取测试装置，该测试装置中硅片、TCO薄膜和若干金属Ag栅线依次层叠设置；A2分别测量相邻两根Ag栅线之间的电阻R；A3测量上述区域内TCO的方块电阻r1，经过计算得出两根Ag栅线之间TCO薄膜的电阻r，经计算得出对比电阻Rs；A4重复步骤A1‑A3以计算不同TCO薄膜的Rs，对比不同TCO薄膜的Rs以得到不同TCO薄膜之间的功函数大小。本发明开发了新型的TCO薄膜功函数的对比分析方法，通过简单而高效的分析，快速得出TCO薄膜功函数。
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公开(公告)号：CN112366232B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202011130523.X
申请日：2020-10-21
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法与应用，包括依次层叠TCO‑I膜层、N型非晶硅层、第一本征非晶硅层、N型衬底、第二本征非晶硅层、P型非晶硅层、TCO‑II膜层；其中，TCO‑I膜层的厚度小于TCO‑II膜层的厚度。本发明结构的异质结太阳能电池能够实现在不增加银用量的前提下，通过优化正反面的TCO的膜厚，实现更优的电池转化效率。
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公开(公告)号：CN111943650B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202010709846.8
申请日：2020-07-22
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/24
摘要： 本发明披露了一种用于活化等离子沉积技术的IWO靶材及其制备方法。该氧化物靶材主要由氧化铟组成并含有掺杂元素钨，钨的含量以W/(In+W)的原子数比计为0.003～0.05，除含有上述两种元素计量比外，该烧结体还含有占该烧结体的总重量比为5～600ppm的硅元素，除了钨外、作为掺杂元素还可以进一步加入钛(Ti)、钼(Mo)、锆(Zr)、铪(Hf)元素中的一种或其中几种金属元素的组合，钨与这些金属元素组合的总含量以(W+x)/(In+W+x)的原子数比计为0.003～0.05，除含有上述不同组合的元素计量比外，该靶材还含有占该烧结体的总重量比在5‑600ppm的硅元素。
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公开(公告)号：CN111943649B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010709835.X
申请日：2020-07-22
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/63 , C23C14/08
摘要： 本发明提供了一种用于蒸镀的烧结体及其制备方法。该烧结体，由氧化铟、掺杂元素x和硅元素制备得到，其中掺杂元素x的含量以x的氧化物/(氧化铟+x的氧化物)的重量比为0.2～5.0％，硅元素在所述烧结体中的含量为5～600ppm，硅元素为纳米氧化硅粉末和二氧化硅溶胶中的至少一种。将氧化铟与掺杂元素x的氧化物混合物料在高温获得具有方铁锰矿结构的、固溶有元素x的氧化铟单一晶相粉末，再与硅元素混合后压制成所需尺寸的胚体，再进行烧结得到烧结体。此烧结体进行RPD镀膜可获得高的迁移率，同时解决了烧结体由于密度低而在使用过程中掉粉影响镀膜过程连续进行而导致生产效率降低的问题，无需再停机针对掉粉问题进行清理，实现了持续的生产，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN112216747B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202011003906.0
申请日：2020-09-22
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法与应用，包括依次层叠的TCO‑I膜层、TCO‑II膜层、N型非晶硅层、第一本征非晶硅层、N型衬底、第二本征非晶硅层、P型非晶硅层、TCO‑III膜层、TCO‑IV膜层；其中，所述TCO‑II膜层的功函数高于TCO‑I膜层的功函数且TCO‑IV膜层的功函数高于TCO‑III膜层的功函数。本发明结构的异质结太阳能电池能够有效改善异质结太阳能电池接触电阻，解决了传统异质结电池中不同类型的界面之间的接触电阻高的问题。
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