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公开(公告)号：CN117169287A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311116662.0
申请日：2023-08-31
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： G01N27/04
摘要： 本发明公开了一种TCO薄膜功函数的对比分析方法。上述TCO薄膜功函数的对比分析方法，包括以下步骤：A1取测试装置，该测试装置中硅片、TCO薄膜和若干金属Ag栅线依次层叠设置；A2分别测量相邻两根Ag栅线之间的电阻R；A3测量上述区域内TCO的方块电阻r1，经过计算得出两根Ag栅线之间TCO薄膜的电阻r，经计算得出对比电阻Rs；A4重复步骤A1‑A3以计算不同TCO薄膜的Rs，对比不同TCO薄膜的Rs以得到不同TCO薄膜之间的功函数大小。本发明开发了新型的TCO薄膜功函数的对比分析方法，通过简单而高效的分析，快速得出TCO薄膜功函数。
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公开(公告)号：CN113410362A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110573499.5
申请日：2021-05-25
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法与应用，该LED芯片包括底层，所述底层表面设有N型半导体层(3)；所述N型半导体层(3)分为第一区域和第二区域；所述第一区域表面设有中间层；所述中间层表面设有P型透明导电层；所述P型透明导电层和第二区域表面设有顶层；其中，所述P型透明导电层由包括SnO2复合材料和Cu2O复合材料的一种；所述SnO2复合材料包括SnO2与In2O3；所述Cu2O复合材料包括Cu2O与NiO。本发明通过在外延片的表面沉积P型透明导电层，提高了P型透明导电层中“空穴”向外延片的注入效率，降低了LED芯片正向电压，提升了LED芯片亮度。
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公开(公告)号：CN115261805B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202210872835.0
申请日：2022-07-21
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种平面靶材的绑定方法，属于光电功能材料技术领域。该方法包括以下步骤：S1、将靶材绑定面与背板绑定面依次进行喷砂和等离子清洗；制得表面处理后的靶材和表面处理后的背板；S2、将所述表面处理后的靶材及所述表面处理后的背板升温至170℃～180℃后，进行超声波焊接铟；S3、在步骤S2处理后的背板绑定面上制作3mm～5mm深的铟池；S4、将步骤S2处理后的靶材放入所述铟池中，直至完全浸入铟池；S5、对步骤S4处理后的靶材表面采用超声波进行震动；S6、将步骤S5处理后靶材施加作用力后冷却；S7、将步骤S6处理后靶材拼接缝隙中的铟去除后，再次冷却。本发明的绑定方法最终达到99％以上的贴合率。
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公开(公告)号：CN115849896B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202211520371.3
申请日：2022-11-30
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/645 , C23C14/08
摘要： 本发明公开了一种氧化锌靶材及其制备方法与应用。本发明的氧化锌靶材的制备方法，包括以下步骤：包括以下步骤：将氧化锌粉体模压成型，经冷等静压、脱脂和烧结后，即得氧化锌靶材；其中，所述氧化锌粉体的粒径为10μm‑20μm；所述烧结的温度为1000℃‑1200℃；所制得的3 3氧化锌靶材的密度为5.3g/cm‑5.6g/cm 。本发明的氧化锌靶材的制备方法简单，成本低，采用该方法能够制备出高密度、高纯度和颜色均一的氧化锌靶材，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115745575A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211517926.9
申请日：2022-11-30
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/626 , C23C14/34
摘要： 本发明公开了一种氧化物复合粉体及其制备方法与应用。本发明的氧化物复合粉体按照重量百分比计，包含氧化镨0.1～30％、氧化铟20～70％、氧化锌5～30％、氧化镓3～15％和氧化锡1～10％，其制备方法包括：向氯化锡溶液中滴加氢氧化钠在pH值为6～8.5条件下沉淀，得到氢氧化锡前驱体，并进行水热处理，处理完成后加入氯化锌、氯化铟、氯化镓、氯化镨混合溶液和碱性物质在pH值为7～9下反应，反应完成后，得氧化物复合粉前驱体；将氧化物复合粉前驱体置于800℃～900℃下煅烧，即得氧化物复合粉体。采用本发明的制备方法制得的氧化物复合粉体烧结活性好，且在较低的烧结温度下即可获得高密度且均一性好的氧化物靶材。
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公开(公告)号：CN115650701A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211396319.1
申请日：2022-11-09
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/638 , H10K71/00
摘要： 本发明公开了一种氧化镍基靶材的制备方法与应用，包括以下制备步骤：步骤S1、将氧化镍基粉末材料、分散剂、粘结剂和水制成浆料，经喷雾造粒后得到球型氧化镍基颗粒；步骤S2、将所述球型氧化镍基颗粒进行模压成型、冷等静压后得毛坯靶材；步骤S3、将所述毛坯靶材进行脱胶处理，然后经分段烧结后降温即得。采用本发明方法制得的氧化镍基靶材相对密度高，不易开裂，可广泛应用于太阳能电池的制备。
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公开(公告)号：CN115572167A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211272544.4
申请日：2022-10-18
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/453 , C04B35/622 , C23C14/35
摘要： 本发明公开了一种IWZO靶材及其制备方法与应用。本发明的IWZO靶材，包含In、W、Zn、O，以原子摩尔比计，In：W：Zn＝1：N：N×M；其中，所述N满足0.02≤N＜0.0721；所述M满足0.8≤M＜1.2。采用本发明原子比制得的IWZO靶材密度高、颜色均匀性好，且在连续使用过程中不结瘤、不产生尖端放电。此外，采用该IWZO靶材制得的氧化物薄膜具有低电阻率、低表面粗糙度和高透过率，可广泛用于异质结太阳能电池、显示器或光学元器件等的制备。
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公开(公告)号：CN112750933B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110102458.8
申请日：2021-01-26
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片从下至上依次包括以下各层：外延片、改性ITO透明导电层和顶层；其中，所述外延片上表面为P‑GaN层；所述改性ITO透明导电层为等离子体轰击处理后的ITO透明导电层。其通过对P‑GaN层和ITO透明导电层进行改性，提高了P型电极及ITO透过导电层的“空穴”注入效率，从而降低了LED芯片正向电压和提升LED芯片亮度；同时提高了P型电极与ITO透明导电层的结合力。
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公开(公告)号：CN112750933A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202110102458.8
申请日：2021-01-26
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片从下至上依次包括以下各层：外延片、改性ITO透明导电层和顶层；其中，所述外延片上表面为P‑GaN层；所述改性ITO透明导电层为等离子体轰击处理后的ITO透明导电层。其通过对P‑GaN层和ITO透明导电层进行改性，提高了P型电极及ITO透过导电层的“空穴”注入效率，从而降低了LED芯片正向电压和提升LED芯片亮度；同时提高了P型电极与ITO透明导电层的结合力。
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公开(公告)号：CN117156925A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311061895.5
申请日：2023-08-22
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种极性差异大的基底与薄膜材料间的膜层结构制备方法与应用，涉及氧化物半导体材料技术领域。本发明的膜层结构制备方法，包括以下步骤：步骤S1、在基材上涂覆有机钙钛矿材料，固化，得到含有机钙钛矿薄膜的基材；步骤S2、采用原子层沉积技术在所述含有机钙钛矿薄膜的基材表面沉积第一氧化锡膜层，获得复合膜层结构；步骤S3、采用活性等离子体沉积技术在所述复合膜层结构的表面沉积第二氧化锡膜层，即得。本发明结合了原子层沉积技术和活性等离子体沉积技术有效解决极性极弱的钙钛矿有机层与极性较大的二氧化锡无机材料之间附着力差的技术问题，且制备工艺简单、成本低，适用于工业化生产。
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