发明授权
- 专利标题： 一种LED芯片及其制作方法
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申请号： CN202110102458.8申请日： 2021-01-26
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公开(公告)号： CN112750933B公开(公告)日： 2022-08-26
- 发明人: 陈明飞 , 刘永成 , 王金科 , 郭梓旋
- 申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
- 申请人地址： 湖南省长沙市金洲新区澳洲路068号
- 专利权人： 长沙壹纳光电材料有限公司
- 当前专利权人： 长沙壹纳光电材料有限公司
- 当前专利权人地址： 湖南省长沙市金洲新区澳洲路068号
- 代理机构： 广州嘉权专利商标事务所有限公司
- 代理商 伍传松
- 主分类号： H01L33/42
- IPC分类号： H01L33/42 ; H01L33/00
摘要：
本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片从下至上依次包括以下各层：外延片、改性ITO透明导电层和顶层；其中，所述外延片上表面为P‑GaN层；所述改性ITO透明导电层为等离子体轰击处理后的ITO透明导电层。其通过对P‑GaN层和ITO透明导电层进行改性，提高了P型电极及ITO透过导电层的“空穴”注入效率，从而降低了LED芯片正向电压和提升LED芯片亮度；同时提高了P型电极与ITO透明导电层的结合力。
公开/授权文献
- CN112750933A 一种LED芯片及其制作方法 公开/授权日：2021-05-04
IPC分类:
