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公开(公告)号：CN114349514B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202111613962.0
申请日：2021-12-27
Applicant: 重庆大学
IPC: C04B35/547 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有无序立方结构黄铜矿的制备方法，包括如下步骤：称量：铜丝、铁粒和硫颗粒按化学比例称取得到混合原料；烧结：将混合原料放入石墨坩埚，然后置于石英管内并抽真空密封，将密封后的石英管放入箱式炉内烧结，将烧结后的材料在过饱和盐水内进行急冷，得金色铸锭；粉碎：将金色铸锭手动研磨成精细粉末；SPS处理：将前述步骤的精细粉末放入石墨模具中，利用等离子快速烧结技术进行处理，得到立方结构黄铜矿材料。本发明的制备工艺简单，时间短，无需特殊设备，原材料在地壳中储量丰富，合成的材料属于功能材料，可以实现热电转换，具有低的热导率，易于通过其他方法提高热电性能，可作为前景良好的热电材料。
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公开(公告)号：CN107522489B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201710730503.8
申请日：2017-08-23
Applicant: 重庆大学
IPC: C04B35/547 , C04B35/645 , C30B28/04 , C30B29/46
Abstract: 本发明属于热电材料技术领域，公开了一种多晶SnSe热电材料的制备方法，包括：利用单晶制备方法制备高性能单晶；将制备的高性能单晶或者高性能单晶所用后所剩余材料使用研砵、粉碎机等工具将单晶初步研磨成晶粒尺寸小于500μm的细粉；使用球磨机将细粉细化至晶粒尺寸为0.2μm～20μm的超细粉；使用热压设备或者等离子电火花烧结设备将超细粉烧结成块体。本发明利用这多余的材料制备的多晶热电材料的性能优于传统固相合成的多晶材料的性能；同时利用研砵、粉碎机和球磨机细化出合适尺寸的晶粒，可以提高多晶材料的热电性能(zT)和材料稳定性。
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公开(公告)号：CN109919476A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910151824.1
申请日：2019-02-28
Abstract: 本申请涉及一种配网电缆运行状态的评估方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取待测配网电缆标识，根据所述待测配网电缆标识采集所述待测配网电缆的基本信息；调用预先设立的参数矩阵，所述参数矩阵包括现有配网电缆的基本信息以及现有配网电缆的介损特性参数；对所述待测配网电缆的基本信息进行转换，得到待测向量；将所述待测向量输入所述参数矩阵，通过所述参数矩阵对所述待测向量进行匹配运算，输出所述待测向量对应的近似介损特性参数；根据所述近似介损特性参数评估所述待测配网电缆的运行状态，得到所述待测电缆的运行状态评估结果。采用本方法能够在较差电缆敷设环境下有效提高配网电缆的运行状态的评估准确性。
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公开(公告)号：CN107604208A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710875549.9
申请日：2017-09-25
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明属于方钴矿化合物制备技术领域，公开了一种制备p型填充式方钴矿化合物的方法及熔体旋甩装置，包括：以化学计量比称量的样品为起始原料，置于底端的石墨管中，采用高频电磁感应加热方式，在极短时间内使样品熔融为液态；从熔体上方施加喷气压力Ar气体，熔体即可快速从小孔中喷射到高速旋转的铜辊表面，同时快速急冷而形成连续带状非晶或纳米晶材；之后将所得甩带样品研磨、放电等离子火花烧结得到致密性良好的块体材料。本发明的制备速度快，可有效提高样品制备效率、抑制易挥发性元素的挥发；旋甩设备置于Ar气氛围的手套箱中，可有效杜绝氧化物杂相的产生；所得样品晶粒尺寸细小、成分均匀，可明显降低材料的晶格热导率。
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公开(公告)号：CN113063537B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110287372.7
申请日：2021-03-17
Applicant: 重庆大学
IPC: G01L5/16
Abstract: 本发明提供多维力传感器恒温系统，包括至少设有一个腔室的壳体、以及内置于壳体的温度监测装置、处理器、温控装置、加热装置；所述壳体，至少设置有一个检测位；所述温度监测装置，配置为采集检测位的温度数据，并根据温度数据输出温度信号；所述处理器，与温度监测装置连接，配置为接收温度信号，并根据温度信号与预设阈值段的关系输出加热信号；所述温控装置，与处理器连接，配置为接收加热信号，并根据加热信号输出调节信号；所述加热装置，与温控装置连接，配置为接收调节信号，并根据调节信号使检测位的温度保持在预定的温度范围。本发明通过恒温系统，使多维力传感器在校准及试验的温度保持恒定，提高了多维力传感器的检测精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114349514A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111613962.0
申请日：2021-12-27
Applicant: 重庆大学
IPC: C04B35/547 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有无序立方结构黄铜矿的制备方法，包括如下步骤：称量：铜丝、铁粒和硫颗粒按化学比例称取得到混合原料；烧结：将混合原料放入石墨坩埚，然后置于石英管内并抽真空密封，将密封后的石英管放入箱式炉内烧结，将烧结后的材料在过饱和盐水内进行急冷，得金色铸锭；粉碎：将金色铸锭手动研磨成精细粉末；SPS处理：将前述步骤的精细粉末放入石墨模具中，利用等离子快速烧结技术进行处理，得到立方结构黄铜矿材料。本发明的制备工艺简单，时间短，无需特殊设备，原材料在地壳中储量丰富，合成的材料属于功能材料，可以实现热电转换，具有低的热导率，易于通过其他方法提高热电性能，可作为前景良好的热电材料。
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公开(公告)号：CN109799434A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910156159.5
申请日：2019-03-01
IPC: G01R31/12
Abstract: 本申请涉及一种局部放电模式识别系统。所述局部放电模式识别系统包括内置传感器、信号处理器和模式识别装置。所述内置传感器包括电极，所述电极套设于被测电缆的外半导电层，所述电极用于获取局部放电信号。所述信号处理器与所述内置传感器电连接，用于接收所述内置传感器采集的数据并进行处理。所述模式识别装置与所述信号处理器电连接，用于接收所述信号处理器处理后的波形数据，并匹配所述波形数据和局部放电相位特征图谱数据。所述电极距离局部放射源较近，能够有效解决由于高频局部放电信号随距离衰减而造成的局部放电检出能力不足的问题，可以有效提升所述局部放电模式识别系统对局部放电信号检测的灵敏度和准确度。
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公开(公告)号：CN114094004A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111360614.7
申请日：2021-11-17
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种高效率提高半导体载流子浓度的非常规掺杂方法，涉及半导体技术领域。一种高效率提高半导体载流子浓度的非常规掺杂方法：制造半导体原有元素的空位缺陷，加入少量异质原子(稳定原子)用于稳定缺陷。在具有氩气保护环境的手套箱中精确称量原料，称量后置于石英管中真空封管，然后将装有原料的石英管置于马沸炉中，充分反应后，取出石英管，在冷水中淬火迅速冷却，接着在450℃退火，退火后倒入玛瑙研磨钵中研磨，之后通过热压烧结技术制成致密性良好的块体材料。本发明方法可提高半导体掺杂的效率，在高效提高半导体载流子浓度的同时不损害其载流子迁移率，大幅提升了半导体的电学性能。
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公开(公告)号：CN108624958A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810486631.7
申请日：2018-05-21
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明属于半导体材料掺杂技术领域，公开了一种掺杂大块单晶SnS的制备方法，将原料按化学计量比在具有氩气保护环境的手套箱中配好并真空封与石英管中，置于自制的单晶炉中，用2400分钟升温到1000度，在1000度保温800分钟来保证原料充分扩散；将炉温将至900度，利用自制单晶炉中的温度梯度，采用布里奇曼法，通过1mm/h的速率移动；共计六天时间。大块掺杂单晶SnS的生长，使用改进的布里奇曼方法；解决了生长过程中硫元素产生过大蒸汽压，这蒸汽压会导致石英管爆炸。
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公开(公告)号：CN108425150B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201810223262.2
申请日：2018-03-19
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明属于由金属粉末制造工件或制品技术领域，公开了一种新型P基化合物Ag6Ge10P12高热电性能材料的制备方法，掺杂多晶Ag6Ge10P12具有十分优越的热电性能，掺杂大约3％的Ga可以将整体性能提高2‑3倍，并且材料生长所需时间与其他传统的多晶热电材料相当(大约一周)。与很多磷基热电材料相比，最高PF(决定材料的电学性能)最高的zT(决定热电性能)或者平均zT(决定转化效率)是目前最好的。本发明成功制备出Ag6Ge10P12多晶块体材料；解决了生长过程中磷元素产生过大蒸汽压，蒸汽压过大会导致石英管爆炸的问题；Ga元素的有效掺杂方法使得材料热电性能得到提升。
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