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公开(公告)号：CN108624958A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810486631.7
申请日：2018-05-21
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明属于半导体材料掺杂技术领域，公开了一种掺杂大块单晶SnS的制备方法，将原料按化学计量比在具有氩气保护环境的手套箱中配好并真空封与石英管中，置于自制的单晶炉中，用2400分钟升温到1000度，在1000度保温800分钟来保证原料充分扩散；将炉温将至900度，利用自制单晶炉中的温度梯度，采用布里奇曼法，通过1mm/h的速率移动；共计六天时间。大块掺杂单晶SnS的生长，使用改进的布里奇曼方法；解决了生长过程中硫元素产生过大蒸汽压，这蒸汽压会导致石英管爆炸。
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