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公开(公告)号：CN119349628A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411465113.9
申请日：2024-10-21
Applicant: 重庆大学 , 重庆新型储能材料与装备研究院
IPC: C01G23/053 , H01M10/054 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , H01M4/48
Abstract: 本发明涉及电池材料技术、催化、传感器领域，具体涉及一种{110}晶面暴露的金红石型二氧化钛纳米材料及制备方法和应用。所述方法包括：将钛源加入到盐酸溶液中混合搅拌，得到混合溶液；向混合溶液中添加氟化钠，得到反应前驱体；将反应前驱体转移至反应釜中进行水热反应；反应结束后，经冷却、分离、洗涤、干燥，得到{110}晶面暴露的金红石型二氧化钛纳米材料。其制备流程简单、高效，得到的金红石型二氧化钛纯度高、表面光滑，解决现有镁基电池储镁容量低、倍率性能差的问题。
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公开(公告)号：CN117089876A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311003419.8
申请日：2023-08-10
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种超薄银烯纳米带网的制备方法及其应用，涉及电化学催化技术领域，其技术方案要点是：用该方法制备的超薄银烯纳米带网可以显著增加对CO2电化学还原的活性，抑制析氢副反应，增强CO的选择性以及电流密度，拓宽了CO2电化学还原成CO的电势窗口。本发明公开的超薄银烯纳米带网的制备方法，以含银的酸性盐氧化物纳米带网为前驱体，通过原位湿化学转化法可直接得到银烯纳米带网，可以有效的暴露出更多边缘位点、提升本征活性、增强电催化性能，制备工艺简单易行，具有大规模化的应用前景。
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公开(公告)号：CN115259157B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202211012706.0
申请日：2022-08-23
Applicant: 重庆大学
IPC: C01B32/921 , C01B19/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种SnSe/Ti3C2Tx热电复合材料及其制备方法，该热电复合材料中Ti3C2Tx的质量分数y＝0.1～1wt％，其制备方法包括：将一定质量分数的Ti3C2Tx分散液加入圆底烧瓶中，配置成A溶液；随后在A中依次加入一定量的NaOH和SnCl2·2H2O，在室温下搅拌至溶解，随后在氩气气氛下加热搅拌至沸腾，得到B溶液；同时将Se与NaBH4按照一定比例加入到去离子水中，配置成C溶液；将刚配置好的C溶液注射入上述沸腾的B溶液中，保持搅拌速率并在沸腾温度下反应；反应停止并冷却后，抽滤收集产物，并真空干燥，接着通过放电等离子体火花烧结得到致密块体，即SnSe/Ti3C2Tx热电复合材料。本发明采用溶液化学合成法实现了SnSe/Ti3C2Tx复合材料的制备，协同优化了SnSe的热电和力学性能。
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公开(公告)号：CN116313746A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310149328.9
申请日：2023-02-22
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种多层非晶态Ga2O3薄膜的制备方法，涉及纳米材料生长技术领域，其技术方案包括单晶GaSe块体材料的准备、解理面确认、单晶块体的切割、表面剥离修正和空气中高温氧化制备可控生长的多层非晶态Ga2O3薄膜五个步骤。该制备方法的工艺简单、非晶态Ga2O3薄膜易调控,能够实现多层非晶态Ga2O3薄膜的制备，对于其他层状材料通过氧化实现多层氧化物薄膜制备提供了有价值的借鉴。
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公开(公告)号：CN115613047A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211051282.9
申请日：2022-08-31
Applicant: 重庆大学
IPC: C25B1/04 , C25B11/065 , C25B11/091
Abstract: 本发明公开一种生长在碳纸上的镍基偏磷酸盐负载Ir单原子催化剂的制备方法，涉及能源领域。步骤如下：对碳纸进行预处理，称量六水硝酸镍和乌洛托品溶于超纯水并搅拌，所得混合液与预处理的碳纸一同放入高压反应釜内进行水热反应，反应后所得样品洗涤烘干后置于马弗炉中煅烧，煅烧后样品经过管式炉中低温磷化，冷却后得到生长在碳纸上的镍基偏磷酸盐样品，之后采用三电极体系，以生长在碳纸上的镍基偏磷酸盐样品直接做为工作电极，通过电沉积的方式制备Ir单原子，最后制得生长在碳纸上的镍基偏磷酸盐负载Ir单原子催化剂。本发明方法工艺简单，条件温和，采用本发明方法制得的催化剂最大化了活性位点利用率，在电催化析氧领域具有广泛的应用潜能。
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公开(公告)号：CN114524420A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210230325.3
申请日：2022-03-09
Applicant: 重庆大学
IPC: C01B21/082 , B01J27/24 , B01J35/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及光催化材料领域，公开了一种氮化碳纳米管阵列的制备方法，将三聚氰胺进行水热反应，将水热产物与硫脲进行一定比例溶解混合、搅拌和烘干，最后煅烧得到氮化碳纳米管阵列光催化剂。本发明工艺简单、易于操作、条件温和、能耗低，所得产物光催化活性高，提升了载流子传输效率与物料传输效率，具有广阔的应用前景和工程实际应用前景。
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公开(公告)号：CN108425150B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201810223262.2
申请日：2018-03-19
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明属于由金属粉末制造工件或制品技术领域，公开了一种新型P基化合物Ag6Ge10P12高热电性能材料的制备方法，掺杂多晶Ag6Ge10P12具有十分优越的热电性能，掺杂大约3％的Ga可以将整体性能提高2‑3倍，并且材料生长所需时间与其他传统的多晶热电材料相当(大约一周)。与很多磷基热电材料相比，最高PF(决定材料的电学性能)最高的zT(决定热电性能)或者平均zT(决定转化效率)是目前最好的。本发明成功制备出Ag6Ge10P12多晶块体材料；解决了生长过程中磷元素产生过大蒸汽压，蒸汽压过大会导致石英管爆炸的问题；Ga元素的有效掺杂方法使得材料热电性能得到提升。
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公开(公告)号：CN107522489A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710730503.8
申请日：2017-08-23
Applicant: 重庆大学
IPC: C04B35/547 , C04B35/645 , C30B28/04 , C30B29/46
Abstract: 本发明属于热电材料技术领域，公开了一种多晶SnSe热电材料的制备方法，包括：利用单晶制备方法制备高性能单晶；将制备的高性能单晶或者高性能单晶所用后所剩余材料使用研砵、粉碎机等工具将单晶初步研磨成晶粒尺寸小于500μm的细粉；使用球磨机将细粉细化至晶粒尺寸为0.2μm～20μm的超细粉；使用热压设备或者等离子电火花烧结设备将超细粉烧结成块体。本发明利用这多余的材料制备的多晶热电材料的性能优于传统固相合成的多晶材料的性能；同时利用研砵、粉碎机和球磨机细化出合适尺寸的晶粒，可以提高多晶材料的热电性能(zT)和材料稳定性。
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公开(公告)号：CN119240786A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411429419.9
申请日：2024-10-14
Applicant: 重庆大学 , 重庆新型储能材料与装备研究院
IPC: C01G23/053 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及电池材料技术、催化、传感器领域，具体涉及一种{001}晶面暴露的锐钛矿型二氧化钛纳米片及制备方法和应用。所述方法包括：将钛源加入到氢氟酸溶液中混合搅拌，得到反应前驱体；将反应前驱体转移至反应釜中进行水热反应；反应结束后，经冷却、分离、洗涤、干燥，得到{001}晶面暴露的锐钛矿型二氧化钛纳米片。其制备流程简单、高效，得到的锐钛矿型二氧化钛纳米片纯度高、比表面积大、表面能高，能够作为镁离子电池以及镁锂混合电池正极材料进行应用。
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公开(公告)号：CN119110663A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411137135.2
申请日：2024-08-19
Applicant: 重庆大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/853 , H10N10/851
Abstract: 本发明涉及一种活泼金属化合物热电材料的半封闭式制备方法，属于金属化合物制备技术领域。本发明选用带盖石墨罐作为加热容器，以石墨纸置于盖子与罐体间，并通过加压形成半封闭状态，在具有保护气氛的封闭/半封闭腔体中对石墨罐进行加热，并在预设温度进行保温，最终得到所述活泼金属化合物热电材料。半封闭状态很大程度上避免了活泼金属在反应过程中的氧化与挥发问题，提升了样品的纯度；石墨罐及石墨纸兼容直流/交流快速加热技术，提高材料生产效率；半封闭的制备方法规避了各种一次性密封过程，显著简化了工艺并降低成本。
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