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公开(公告)号：CN108425150B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201810223262.2
申请日：2018-03-19
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明属于由金属粉末制造工件或制品技术领域，公开了一种新型P基化合物Ag6Ge10P12高热电性能材料的制备方法，掺杂多晶Ag6Ge10P12具有十分优越的热电性能，掺杂大约3％的Ga可以将整体性能提高2‑3倍，并且材料生长所需时间与其他传统的多晶热电材料相当(大约一周)。与很多磷基热电材料相比，最高PF(决定材料的电学性能)最高的zT(决定热电性能)或者平均zT(决定转化效率)是目前最好的。本发明成功制备出Ag6Ge10P12多晶块体材料；解决了生长过程中磷元素产生过大蒸汽压，蒸汽压过大会导致石英管爆炸的问题；Ga元素的有效掺杂方法使得材料热电性能得到提升。
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公开(公告)号：CN108425150A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810223262.2
申请日：2018-03-19
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明属于由金属粉末制造工件或制品技术领域，公开了一种新型P基化合物Ag6Ge10P12高热电性能材料的制备方法，掺杂多晶Ag6Ge10P12具有十分优越的热电性能，掺杂大约3％的Ga可以将整体性能提高2-3倍，并且材料生长所需时间与其他传统的多晶热电材料相当(大约一周)。与很多磷基热电材料相比，最高PF(决定材料的电学性能)最高的zT(决定热电性能)或者平均zT(决定转化效率)是目前最好的。本发明成功制备出Ag6Ge10P12多晶块体材料；解决了生长过程中磷元素产生过大蒸汽压，蒸汽压过大会导致石英管爆炸的问题；Ga元素的有效掺杂方法使得材料热电性能得到提升。
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公开(公告)号：CN107604208A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710875549.9
申请日：2017-09-25
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明属于方钴矿化合物制备技术领域，公开了一种制备p型填充式方钴矿化合物的方法及熔体旋甩装置，包括：以化学计量比称量的样品为起始原料，置于底端的石墨管中，采用高频电磁感应加热方式，在极短时间内使样品熔融为液态；从熔体上方施加喷气压力Ar气体，熔体即可快速从小孔中喷射到高速旋转的铜辊表面，同时快速急冷而形成连续带状非晶或纳米晶材；之后将所得甩带样品研磨、放电等离子火花烧结得到致密性良好的块体材料。本发明的制备速度快，可有效提高样品制备效率、抑制易挥发性元素的挥发；旋甩设备置于Ar气氛围的手套箱中，可有效杜绝氧化物杂相的产生；所得样品晶粒尺寸细小、成分均匀，可明显降低材料的晶格热导率。
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公开(公告)号：CN114094004A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111360614.7
申请日：2021-11-17
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种高效率提高半导体载流子浓度的非常规掺杂方法，涉及半导体技术领域。一种高效率提高半导体载流子浓度的非常规掺杂方法：制造半导体原有元素的空位缺陷，加入少量异质原子(稳定原子)用于稳定缺陷。在具有氩气保护环境的手套箱中精确称量原料，称量后置于石英管中真空封管，然后将装有原料的石英管置于马沸炉中，充分反应后，取出石英管，在冷水中淬火迅速冷却，接着在450℃退火，退火后倒入玛瑙研磨钵中研磨，之后通过热压烧结技术制成致密性良好的块体材料。本发明方法可提高半导体掺杂的效率，在高效提高半导体载流子浓度的同时不损害其载流子迁移率，大幅提升了半导体的电学性能。
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