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发明公开
一种高效率提高半导体载流子浓度的非常规掺杂方法审中-实审

公开(公告)号：CN114094004A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111360614.7

申请日：2021-11-17

Applicant: 重庆大学

Inventor： 卢旭 , 周小元 , 黄玉玲 , 张斌 , 王桂文

IPC: H01L35/34 , H01L35/16

Abstract: 本发明公开了一种高效率提高半导体载流子浓度的非常规掺杂方法，涉及半导体技术领域。一种高效率提高半导体载流子浓度的非常规掺杂方法：制造半导体原有元素的空位缺陷，加入少量异质原子(稳定原子)用于稳定缺陷。在具有氩气保护环境的手套箱中精确称量原料，称量后置于石英管中真空封管，然后将装有原料的石英管置于马沸炉中，充分反应后，取出石英管，在冷水中淬火迅速冷却，接着在450℃退火，退火后倒入玛瑙研磨钵中研磨，之后通过热压烧结技术制成致密性良好的块体材料。本发明方法可提高半导体掺杂的效率，在高效提高半导体载流子浓度的同时不损害其载流子迁移率，大幅提升了半导体的电学性能。

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