公开(公告)号：CN115001471A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210654437.1

申请日：2022-06-10

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 黎培森 ,  刘志宏 ,  李蔚然 ,  周瑾 ,  邢伟川 ,  段小玲 ,  周弘 ,  危虎 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H03K17/687

摘要： 本发明公开了一种氮化镓反射式单刀八掷开关，包括：输入端、输入电容、第一微带传输线和八条支路，各支路包括：第二微带传输线、第三微带传输线、氮化镓HEMT、控制电压信号端、隔离电阻、输出电容、隔直电容、输出端和第一节点；其中，第一微带传输线的一端经输入电容连接至输入端、另一端与第二微带传输线连接，第二微带传输线串接第三微带传输线和输出电容，输出电容与输出端连接；第一节点位于第二微带传输线与第三微带传输线之间，氮化镓HEMT的漏电极与第一节点连接、栅电极经隔离电阻连接至控制电压信号端、源电极经隔直电容接地。上述单刀八掷开关工作于24.25GHz～33GHz，具有工作频带宽、在导通状态下插入损耗小的优点。

公开(公告)号：CN113921596A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202110970797.8

申请日：2021-08-23

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 王泽宇 ,  陈家博 ,  刘志宏 ,  朱肖肖 ,  赵胜雷 ,  周弘 ,  张苇杭 ,  段小玲 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/872 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/329

摘要： 本发明涉及一种氟离子注入场环氮化镓准垂直肖特基二极管及其制备方法，该二极管包括：衬底层；外延层，设置在衬底层上，外延层包括自下而上依次层叠设置的缓冲层、导通层和势垒层，势垒层位于导通层上表面的中部；阳极，设置在势垒层上；阴极，位于导通层上未被势垒层覆盖的区域，势垒层的两侧面，以及势垒层的部分上表面；势垒层内间隔设置有若干氟注入场环，氟注入场环位于阳极和阴极之间。本发明的氟离子注入场环氮化镓准垂直肖特基二极管，将带负电荷的氟离子作为场限制环结合到三族氮化物中，制备准垂直结构的侧壁肖特基势垒金属阴极，解决了肖特基金属淀积边缘电场线拥挤的问题，从而解决准垂直肖特基二极管过早击穿的问题。

公开(公告)号：CN114864737A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210384985.7

申请日：2022-04-13

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  唐从威 ,  樊雨佳 ,  陈淑莹 ,  邢伟川 ,  冯欣 ,  杨伟涛 ,  段小玲 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L31/113 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种基于GaN MIS‑HEMT结构的太赫兹探测器及其制备方法，太赫兹探测器包括：衬底层；复合缓冲层，设置于所述衬底层之上；沟道层，置于所述复合缓冲层之上；势垒层，设置于所述沟道层之上；源电极、漏电极和栅电极，所述源电极、所述漏电极和所述栅电极均设置于所述势垒层之上，且所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间；绝缘介质层，设置于所述势垒层和所述栅电极之间。本发明在太赫兹探测器里面引用基于半导体领域的GaN MIS‑HEMT结构，并在GaN HEMT太赫兹探测器的栅电极下面引入绝缘介质层，利用GaN MIS‑HEMT结构降低栅电流，降低栅极闪烁噪声，从而达到改善太赫兹探测器噪声等效功率的性能，提升探测器的灵敏度。

公开(公告)号：CN115064577A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210492878.6

申请日：2022-05-07

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

发明人： 陈晓今 ,  刘志宏 ,  郝璐 ,  高广杰 ,  李蔚然 ,  邢伟川 ,  赵胜雷 ,  段小玲 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了一种GaN基异质结横向肖特基二极管及其制备方法，制备出的二极管包括：自下而上依次层叠设置的衬底层、成核层、过渡层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层、帽层；从帽层表面开始自上而下直至沟道层内部刻蚀有凹槽，在凹槽内设置有阳极，阳极覆盖帽层的部分区域；在凹槽还设置有介质层，介质层包裹阳极直至插入层内部或势垒层内部，阳极与帽层部分区域之间设置有介质层；阳极的部分区域覆盖介质层，可以减少由阳极向各层内壁泄露电流的路径，从而降低器件工作漏电流。另外介质层可以增加阳极金属与二维电子气沟道的等效电学距离，有效减少二极管的阳极寄生电容。

公开(公告)号：CN113921596B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202110970797.8

申请日：2021-08-23

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 王泽宇 ,  陈家博 ,  刘志宏 ,  朱肖肖 ,  赵胜雷 ,  周弘 ,  张苇杭 ,  段小玲 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/872 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/329

摘要： 本发明涉及一种氟离子注入场环氮化镓准垂直肖特基二极管及其制备方法，该二极管包括：衬底层；外延层，设置在衬底层上，外延层包括自下而上依次层叠设置的缓冲层、导通层和势垒层，势垒层位于导通层上表面的中部；阳极，设置在势垒层上；阴极，位于导通层上未被势垒层覆盖的区域，势垒层的两侧面，以及势垒层的部分上表面；势垒层内间隔设置有若干氟注入场环，氟注入场环位于阳极和阴极之间。本发明的氟离子注入场环氮化镓准垂直肖特基二极管，将带负电荷的氟离子作为场限制环结合到三族氮化物中，制备准垂直结构的侧壁肖特基势垒金属阴极，解决了肖特基金属淀积边缘电场线拥挤的问题，从而解决准垂直肖特基二极管过早击穿的问题。

公开(公告)号：CN115274844A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210716336.2

申请日：2022-06-22

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  唐从威 ,  樊雨佳 ,  陈淑莹 ,  危虎 ,  周瑾 ,  冯欣 ,  杨伟涛 ,  段小玲 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明涉及一种高效转化的太赫兹探测器及制备方法，太赫兹探测器包括：衬底层、复合缓冲层、沟道层、势垒层、栅电极、源电极和漏电极，其中，衬底层的背面呈凸起状以对从背面入射的太赫兹波进行聚焦；复合缓冲层、沟道层、势垒层依次层叠于衬底层的上表面；栅电极、源电极、漏电极均位于势垒层上，且栅电极位于源电极和漏电极之间。本发明实施例在太赫兹探测器里面将衬底层设置为凸起状用来聚焦太赫兹波，从而提高探测器接受背面入射太赫兹波的效率，提高了太赫兹探测器各项指标，整体上提高了该太赫兹探测器的探测信号的性能。

公开(公告)号：CN114005866A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202111070444.9

申请日：2021-09-13

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  李蔚然 ,  樊雨佳 ,  周瑾 ,  叶刚 ,  李祥东 ,  刘先河 ,  赵胜雷 ,  段小玲 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L27/07

摘要： 本发明涉及一种GaN高电子迁移率异质结结构及制备方法、二极管、晶体管，异质结结构包括：衬底、复合缓冲区、沟道层、复合势垒区、凹槽、重掺杂半导体接触区和欧姆接触电极，衬底、复合缓冲区、沟道层、复合势垒区依次层叠；凹槽贯穿复合势垒区且位于沟道层中；重掺杂半导体接触区填充在凹槽中，重掺杂半导体接触区的材料为n型重掺杂非三族氮化物材料；欧姆接触电极位于重掺杂半导体接触区上。该GaN高电子迁移率异质结结构中重掺杂半导体接触区选择与GaN的导带底能级相近的非三族氮化物半导体材料，有利于实现金属电极与GaN结构二维电子气之间较低的欧姆接触阻值，同时能够减少欧姆接触工艺步骤对晶圆的负面影响，提高器件的良率和可靠性。

公开(公告)号：CN112185959B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202010887541.6

申请日：2020-08-28

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  王泽宇 ,  张进成 ,  朱肖肖 ,  宋昆璐 ,  赵胜雷 ,  周弘 ,  张苇杭 ,  段小玲 ,  郝跃

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/20 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778

摘要： 本发明涉及一种与GaN HEMT电力电子器件单片集成的CMOS反相器及制备方法，该CMOS反相器包括：衬底、复合缓冲层、沟道层、复合势垒层、P‑InGaN层、PMOS源电极、PMOS漏电极、PMOS绝缘介质层54、PMOS栅电极、NMOS源电极、NMOS漏电极、NMOS绝缘介质层、NMOS栅电极和互联金属。该CMOS反相器在复合势垒层上制备P‑InGaN层，可以产生空穴，耗尽复合势垒层和沟道层之间的二维电子气，与复合势垒层的界面处形成二维空穴气，从而形成PMOS的导电沟道，提高了PMOS器件的输出电流。

公开(公告)号：CN114741949A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210231250.0

申请日：2022-03-09

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 段小玲 ,  刘诗杰 ,  王树龙 ,  张进成 ,  张金风 ,  郝跃

IPC分类号： G06F30/27 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

摘要： 本发明涉及微电子器件技术领域，具体涉及一种双场板AlGaN/GaN HEMT器件的击穿电压预测方法。本发明基于神经网络，对双场板HEMT器件中栅、源场板结构与击穿电压之间的非线性关系进行学习，从而能快速且精准地预测出双场板HEMT器件的击穿电压，避免了传统TCAD仿真方法计算量大、耗时且难以收敛的缺点。

公开(公告)号：CN112185959A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010887541.6

申请日：2020-08-28

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 刘志宏 ,  王泽宇 ,  张进成 ,  朱肖肖 ,  宋昆璐 ,  赵胜雷 ,  周弘 ,  张苇杭 ,  段小玲 ,  郝跃

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/20 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778

摘要： 本发明涉及一种与GaN HEMT电力电子器件单片集成的CMOS反相器及制备方法，该CMOS反相器包括：衬底、复合缓冲层、沟道层、复合势垒层、P‑InGaN层、PMOS源电极、PMOS漏电极、PMOS绝缘介质层54、PMOS栅电极、NMOS源电极、NMOS漏电极、NMOS绝缘介质层、NMOS栅电极和互联金属。该CMOS反相器在复合势垒层上制备P‑InGaN层，可以产生空穴，耗尽复合势垒层和沟道层之间的二维电子气，与复合势垒层的界面处形成二维空穴气，从而形成PMOS的导电沟道，提高了PMOS器件的输出电流。