公开(公告)号：CN118629868A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202310220045.9

申请日：2023-03-07

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 周鑫 ,  刘志宏 ,  高广杰 ,  唐从威 ,  危虎 ,  周瑾 ,  冯欣 ,  侯松岩 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417

摘要： 本发明涉及一种自对准T型栅的GaN高频器件及制备方法，包括：获取外延片；在势垒层上生长第一介质层；刻蚀栅极区域的所述第一介质层至暴露所述势垒层的上表面，以形成栅极窗口；在暴露所述沟道层的所述栅极窗口内和所述势垒层上生长第二介质层；刻蚀部分区域的所述第二介质层和该第二介质层正下方的第一介质层，暴露势垒层，以形成两个有源区区域；在有源区区域内进行离子注入，以形成离子注入区域，之后进行退火处理，形成欧姆接触；在势垒层、离子注入区域和T型的第二介质层上生长第一介质层；去除T型的第二介质层，以在栅极窗口和第一介质层上制备T型的栅电极；去除有源区区域处的第一介质层，之后在离子注入区域上生长源电极和漏电极。本发明提高金了属线与半导体之间的对准精度，改善了器件制造精度，性能更加优越。

公开(公告)号：CN115985958A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211455577.2

申请日：2022-11-21

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

发明人： 张进成 ,  杜航海 ,  刘志宏 ,  郝璐 ,  高广杰 ,  邢伟川 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种低欧姆接触GaN基高电子迁移率晶体管，包括：源极、漏极、栅极和由下至上依次设置的衬底、缓冲层、沟道层、氮化铝势垒层和氮化硅帽层；栅极设置在氮化硅帽层上；源极和漏极均穿过氮化硅帽层延伸至氮化铝势垒层和氮化硅帽层的界面；或者源极和漏极一部分穿过氮化硅帽层延伸至氮化铝势垒层和氮化硅帽层的界面，另一部分穿过氮化硅帽层延伸至氮化铝势垒层内；源极和漏极的材料中含有金属硅化物。本发明还提供一种低欧姆接触GaN基异质结晶体管的制备方法。本发明能够降低基于氮化铝势垒层的射频器件的欧姆接触势垒，有效减小源极和漏极与二维电子气沟道之间的欧姆接触电阻，降低工艺复杂度的同时提高了器件的射频性能。

公开(公告)号：CN115064577A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210492878.6

申请日：2022-05-07

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学广州研究院

发明人： 陈晓今 ,  刘志宏 ,  郝璐 ,  高广杰 ,  李蔚然 ,  邢伟川 ,  赵胜雷 ,  段小玲 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了一种GaN基异质结横向肖特基二极管及其制备方法，制备出的二极管包括：自下而上依次层叠设置的衬底层、成核层、过渡层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层、帽层；从帽层表面开始自上而下直至沟道层内部刻蚀有凹槽，在凹槽内设置有阳极，阳极覆盖帽层的部分区域；在凹槽还设置有介质层，介质层包裹阳极直至插入层内部或势垒层内部，阳极与帽层部分区域之间设置有介质层；阳极的部分区域覆盖介质层，可以减少由阳极向各层内壁泄露电流的路径，从而降低器件工作漏电流。另外介质层可以增加阳极金属与二维电子气沟道的等效电学距离，有效减少二极管的阳极寄生电容。