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公开(公告)号：CN106531785A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611024689.7
申请日：2016-11-16
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L29/4966 , H01L21/28088 , H01L29/517
Abstract: 本发明公开了一种基于Ge衬底的La基介质材料高K金属栅结构及制备方法。主要解决传统高K金属栅结构栅氧化层介电常数低和栅极金属向栅氧化层扩散的问题。该结构自下而上包含Ge衬底(1)、La基高k栅介质薄膜(2)、TiN阻挡层(5)，其中La基高k栅介质薄膜采用厚度为6-12nm的La2O3或LaAlO3或La2O3/Al2O3叠层结构；TiN阻挡层厚度为2-4nm；Ti氧元素吸附层厚度为3-6nm；重金属Pt栅电极厚度为100-200nm。本发明具有栅氧化层介电常数高、栅氧化层/衬底界面特性好，可用于制造高介电性能的金属氧化物半导体场效应晶体管。(3)、Ti氧元素吸附层(4)以及重金属Pt栅电极
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公开(公告)号：CN106505098A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610898309.6
申请日：2016-10-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/285 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L29/42364 , B82Y30/00 , H01L21/285 , H01L29/401 , H01L29/513 , H01L29/517
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI衬底的高介电常数材料栅介质，主要解决现有栅介质材料介电常数低，热稳定性和薄膜致密性差等问题。该栅介质材料自下而上包含SOI衬底(1)、阻挡层(2)、La基高介电常数薄膜(3)和保护层(4)，其中，阻挡层(2)采用厚度为0.5-4nm的Al2O3；La基高介电常数薄膜(3)采用厚度为1-10nm的La2O3或LaAlO3或HfLaOx；保护层(4)采用厚度为1-4nm的Al2O3。整个栅介质采用原子层淀积方法制备，其工艺与现有CMOS工艺相兼容。本发明具有介电常数高，薄膜致密性和台阶覆盖性好，热稳定性好，表面粗糙度小的优点，可用于金属氧化物半导体场效应晶体管的制造。
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公开(公告)号：CN106449736A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611024998.4
申请日：2016-11-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/43 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/42316 , H01L21/28 , H01L29/43 , H01L29/435
Abstract: 本发明公开了一种基于Si衬底的铪基铝酸盐高K金属栅结构及制备方法。主要解决传统高K金属栅结构栅氧化层结晶温度低、栅氧化层/衬底界面层厚度大，及栅极金属离子向栅氧化层扩散的问题。该高K金属栅结构是在衬底上自下而上包含厚度为4-10nm铪基铝酸盐高k栅介质薄膜的Ti氧元素吸附层(3)以及厚度为100-150nm重金属Pt栅电极(4)，其中，铪基铝酸盐高k栅介质薄膜采用HfAlO3或HfO2/Al2O3叠层结构；本发明的栅氧化层材料结晶温度高、电学特性和栅氧化层/衬底界面特性好，可用于制造高介电性能的金属氧化物半导体场效应晶体管。(1)、厚度为2-3nm的TiN阻挡层(2)、厚度为4-6nm
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公开(公告)号：CN105470306A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510760804.6
申请日：2015-11-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/43
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/42364 , H01L29/432 , H01L29/66477
Abstract: 本发明公开了一种基于La基栅结构的LaAlO3/SrTiO3异质结场效应晶体管及制作方法，主要解决现有技术中栅电容对器件沟道电荷控制能力弱的问题。其自下而上包括：SrTiO3晶体衬底(1)，LaAlO3薄膜(2)，LaAlO3薄膜(2)上设有源极(4)，漏极(5)和栅电极(6)；LaAlO3薄膜(2)与栅电极(6)之间设有栅介质材料层(3)，构成该晶体管的栅电容，该栅介质材料层(3)，采用由La2O3薄膜(301)和Al2O3保护层(302)构成的叠栅结构。本发明的栅介质材料性能稳定、介电常数高，热稳定性好，栅电容控制能力强，栅极击穿电压高，可用于制造高性能异质结场效应晶体管器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106711051A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611024999.9
申请日：2016-11-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/423 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/4232 , H01L21/28008 , H01L21/28194 , H01L29/42364
Abstract: 本发明公开了一种基于Si衬底的La基介质材料高K金属栅结构及制备方法，主要解决传统高K金属栅结构栅氧化层介电常数低和栅极金属向栅氧化层扩散的问题。该高K金属栅结构在Si衬底上自下而上包含La基高k栅介质薄膜(1)、TiN阻挡层(2)、Ti氧元素吸附层(3)以及重金属Pt栅电极(4)，其中La基高k栅介质薄膜采用厚度为4‑10nm的La2O3或LaAlO3或La2O3/Al2O3叠层结构；TiN阻挡层厚度为2‑3nm；Ti氧元素吸附层厚度为4‑6nm；重金属Pt栅电极厚度为100‑150nm。本发明的栅氧化层介电常数高、栅氧化层/衬底界面特性好，可用于制造高介电性能的金属氧化物半导体场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN110428445B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201910562386.8
申请日：2019-06-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06T7/223 , G06T7/246 , G06V10/762
Abstract: 本发明公开了一种分块跟踪方法及其装置、设备、存储介质，该方法包括：获取第一帧跟踪图像和跟踪结果中心；对第一帧跟踪图像进行分块处理，得到第一帧跟踪图像的目标块和目标块跟踪结果中心；对第N帧跟踪图像的目标块进行跟踪处理，得到第N+1帧跟踪图像的目标块和目标块跟踪结果中心；根据第N帧跟踪图像的跟踪结果中心、第N帧和第N+1帧跟踪图像的目标块跟踪结果中心，得到第N+1帧跟踪图像的跟踪结果中心。本发明提供的分块跟踪方法，分块处理所得的目标块具有适应目标外观且特征明显的特点，不仅克服了目标跟踪过程中目标块选取对目标跟踪框形状和大小的依赖，而且适应目标外观多样目标跟踪。
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公开(公告)号：CN110428445A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910562386.8
申请日：2019-06-26
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种分块跟踪方法及其装置、设备、存储介质，该方法包括：获取第一帧跟踪图像和跟踪结果中心；对第一帧跟踪图像进行分块处理，得到第一帧跟踪图像的目标块和目标块跟踪结果中心；对第N帧跟踪图像的目标块进行跟踪处理，得到第N+1帧跟踪图像的目标块和目标块跟踪结果中心；根据第N帧跟踪图像的跟踪结果中心、第N帧和第N+1帧跟踪图像的目标块跟踪结果中心，得到第N+1帧跟踪图像的跟踪结果中心。本发明提供的分块跟踪方法，分块处理所得的目标块具有适应目标外观且特征明显的特点，不仅克服了目标跟踪过程中目标块选取对目标跟踪框形状和大小的依赖，而且适应目标外观多样目标跟踪。
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公开(公告)号：CN106783974A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611032861.3
申请日：2016-11-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/423 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/4232 , H01L21/28194 , H01L29/42364
Abstract: 本发明公开了一种基于Ge衬底的铪基铝酸盐高K金属栅结构及制备方法。主要解决传统氧化铪高K金属栅结构栅氧化层结晶温度低、栅氧化层/衬底界面层厚度大，及栅极金属离子向栅氧化层扩散的问题。该高K金属栅结构自下而上包含Ge衬底(1)、厚度为4‑10nm的铪基铝酸盐高k栅介质薄膜(2)、厚度为2‑3nm的TiN阻挡层(3)、厚度为4‑6nm的Ti氧元素吸附层(4)以及厚度为100‑150nm重金属Pt栅电极(5)，其中，铪基铝酸盐高k栅介质薄膜采用HfAlO3或HfO2/Al2O3叠层结构；本发明的结晶温度高、电学特性和栅氧化层/衬底界面特性好，可用于制造高介电性能的金属氧化物半导体场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN106449760A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611033213.X
申请日：2016-11-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/42356 , H01L29/66477
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI衬底的环栅抗辐照MOS场效应管，其包括Si衬底(1)和位于Si衬底(3)，外延层中部内设有漏区(5)，漏区外边界紧邻的外延层上方设有环形栅极(4)，环形栅极(4)内外两侧边缘下方的外延层内设有轻掺杂源漏区(7)，该轻掺杂源漏区之间的区域形成沟道；栅极外边缘紧邻的外延层内设有环形源极有源区(6)，环形源极有源区(6)外围紧邻的外延层内设有环形隔离槽(8)，形成依次包围在有源区外部的栅环、源环和隔离槽环这种环套结构。本发明抑制了阈值电压漂移、亚阈值摆幅退化，提高了器件抗总剂量辐照能力，可用于大规模集成电路的制备。(1)内的埋氧层(2)，以及Si衬底(1)上的外延层
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