公开(公告)号：CN109860175A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201811297674.7

申请日：2018-10-31

Applicant: 英特尔公司

Inventor： H·M·迈尔 ,  A·图拉 ,  B·何 ,  S·乔希 ,  M·L·哈藤多夫 ,  C·P·奥特

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开的实施例属于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括鳍状物。绝缘结构与鳍状物的下鳍状物部分的侧壁直接相邻。第一栅极电极在上鳍状物部分之上和绝缘结构的第一部分之上。第二栅极电极在上鳍状物部分之上和绝缘结构的第二部分之上。第一电介质间隔体沿第一栅极电极的侧壁。第二电介质间隔体沿第二栅极电极的侧壁，该第二电介质间隔体在绝缘结构的在第一栅极电极和第二栅极电极之间的第三部分之上与第一电介质间隔体连续。

公开(公告)号：CN104795444A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201510084707.X

申请日：2010-12-07

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·T·博尔 ,  T·加尼 ,  N·M·拉哈尔-乌拉比 ,  S·乔希 ,  J·M·施泰格瓦尔德 ,  J·W·克劳斯 ,  J·黄 ,  R·马茨凯维奇

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/456 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及自对准接触部。一种晶体管，包括衬底、在所述衬底上的间隔体对、在所述衬底上且在所述间隔体对之间的栅极电介质层、在所述栅极电介质层上且在所述间隔体对之间的栅电极层、在所述栅电极层上且在所述间隔体对之间的绝缘帽层以及邻近所述间隔体对的扩散区对。所述绝缘帽层形成蚀刻停止结构，所述蚀刻停止结构与所述栅极自对准，并且防止接触部蚀刻使所述栅电极暴露，由此防止所述栅极与所述接触部之间的短路。所述绝缘帽层能够使接触部自对准，这使得较宽接触部的初始构图对构图限制而言更加鲁棒。

公开(公告)号：CN102640291A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201080054553.5

申请日：2010-12-07

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·T·博尔 ,  T·加尼 ,  N·M·拉哈尔-乌拉比 ,  S·乔希 ,  J·M·施泰格瓦尔德 ,  J·W·克劳斯 ,  J·黄 ,  R·马茨凯维奇

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/456 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种晶体管，包括衬底、在所述衬底上的间隔体对、在所述衬底上且在所述间隔体对之间的栅极电介质层、在所述栅极电介质层上且在所述间隔体对之间的栅电极层、在所述栅电极层上且在所述间隔体对之间的绝缘帽层以及邻近所述间隔体对的扩散区对。所述绝缘帽层形成蚀刻停止结构，所述蚀刻停止结构与所述栅极自对准，并且防止接触部蚀刻使所述栅电极暴露，由此防止所述栅极与所述接触部之间的短路。所述绝缘帽层能够使接触部自对准，这使得较宽接触部的初始构图对构图限制而言更加鲁棒。

公开(公告)号：CN102640291B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201080054553.5

申请日：2010-12-07

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·T·博尔 ,  T·加尼 ,  N·M·拉哈尔-乌拉比 ,  S·乔希 ,  J·M·施泰格瓦尔德 ,  J·W·克劳斯 ,  J·黄 ,  R·马茨凯维奇

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/456 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种晶体管，包括衬底、在所述衬底上的间隔体对、在所述衬底上且在所述间隔体对之间的栅极电介质层、在所述栅极电介质层上且在所述间隔体对之间的栅电极层、在所述栅电极层上且在所述间隔体对之间的绝缘帽层以及邻近所述间隔体对的扩散区对。所述绝缘帽层形成蚀刻停止结构，所述蚀刻停止结构与所述栅极自对准，并且防止接触部蚀刻使所述栅电极暴露，由此防止所述栅极与所述接触部之间的短路。所述绝缘帽层能够使接触部自对准，这使得较宽接触部的初始构图对构图限制而言更加鲁棒。

公开(公告)号：CN113410233A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110664368.8

申请日：2018-10-31

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S·乔希 ,  M·J·杰克逊 ,  M·L·哈藤多夫

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L27/11 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/417 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L49/02 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开的实施例属于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括：包括硅的鳍状物，所述鳍状物具有下鳍状物部分和上鳍状物部分。栅极电极在所述鳍状物的所述上鳍状物部分之上，所述栅极电极具有与第二侧相对的第一侧。第一外延源极或漏极结构在所述栅极电极的所述第一侧嵌入于所述鳍状物中。第二外延源极或漏极结构在所述栅极电极的所述第二侧嵌入于所述鳍状物中，所述第一和第二外延源极或漏极结构包括硅和锗并具有火柴棍轮廓。

公开(公告)号：CN109860186A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201811297813.6

申请日：2018-10-31

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S·乔希 ,  M·J·杰克逊 ,  M·L·哈藤多夫

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开的实施例属于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括：包括硅的鳍状物，所述鳍状物具有下鳍状物部分和上鳍状物部分。栅极电极在所述鳍状物的所述上鳍状物部分之上，所述栅极电极具有与第二侧相对的第一侧。第一外延源极或漏极结构在所述栅极电极的所述第一侧嵌入于所述鳍状物中。第二外延源极或漏极结构在所述栅极电极的所述第二侧嵌入于所述鳍状物中，所述第一和第二外延源极或漏极结构包括硅和锗并具有火柴棍轮廓。

公开(公告)号：CN104795444B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201510084707.X

申请日：2010-12-07

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·T·博尔 ,  T·加尼 ,  N·M·拉哈尔-乌拉比 ,  S·乔希 ,  J·M·施泰格瓦尔德 ,  J·W·克劳斯 ,  J·黄 ,  R·马茨凯维奇

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/456 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及自对准接触部。一种晶体管，包括衬底、在所述衬底上的间隔体对、在所述衬底上且在所述间隔体对之间的栅极电介质层、在所述栅极电介质层上且在所述间隔体对之间的栅电极层、在所述栅电极层上且在所述间隔体对之间的绝缘帽层以及邻近所述间隔体对的扩散区对。所述绝缘帽层形成蚀刻停止结构，所述蚀刻停止结构与所述栅极自对准，并且防止接触部蚀刻使所述栅电极暴露，由此防止所述栅极与所述接触部之间的短路。所述绝缘帽层能够使接触部自对准，这使得较宽接触部的初始构图对构图限制而言更加鲁棒。