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公开(公告)号：CN105659360B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201480057371.1
申请日：2014-10-10
申请人： 美光科技公司
发明人： 马修·N·洛克莱 , 科塔·狮·马达胡卡尔·雷迪 , 瓦西尔·安东诺夫 , 维什瓦纳特·巴特
IPC分类号： H01L21/28 , H01L27/108 , H01L21/8242
摘要： 本发明揭示一种半导体结构，其可包含在衬底上的第一电极、在所述第一电极上的高K电介质材料，及在所述高K电介质材料上的第二电极，其中所述第一电极及所述第二电极中的至少一者可包含选自由以下各者组成的群组的材料：氮化钼MoaNb材料、氮氧化钼MoOxNy材料、氧化钼MoOx材料，及包括钼及氮的基于钼的合金材料。
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公开(公告)号：CN105659360A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480057371.1
申请日：2014-10-10
申请人： 美光科技公司
发明人： 马修·N·洛克莱 , 科塔·狮·马达胡卡尔·雷迪 , 瓦西尔·安东诺夫 , 维什瓦纳特·巴特
IPC分类号： H01L21/28 , H01L27/108 , H01L21/8242
摘要： 本发明揭示一种半导体结构，其可包含在衬底上的第一电极、在所述第一电极上的高K电介质材料，及在所述高K电介质材料上的第二电极，其中所述第一电极及所述第二电极中的至少一者可包含选自由以下各者组成的群组的材料：氮化钼MoxNy材料、氮氧化钼MoOxNy材料、氧化钼MoOx材料，及包括钼及氮的基于钼的合金材料。
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公开(公告)号：CN102046839B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN200980120508.2
申请日：2009-05-15
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/448
CPC分类号： C23C16/405 , C23C16/4488 , C30B25/02 , C30B29/16 , H01L21/31637 , H01L28/65
摘要： 本发明揭示形成氧化物的方法，所述方法包括使含钌材料(130)与含钽前驱物接触，和使所述含钌材料与包括水且任选地包括分子氢(H2)的蒸汽接触。还揭示包括第一结晶五氧化二钽(140)和在所述第一结晶五氧化二钽的至少一部分上的第二结晶五氧化二钽(150)的物品，其中所述第一五氧化二钽所具有的结晶取向不同于所述第二结晶五氧化二钽的结晶取向。
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公开(公告)号：CN102473681B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201080029584.5
申请日：2010-06-15
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L21/02356 , H01L21/02175 , H01L21/02186 , H01L21/3105 , H01L28/65
摘要： 一种形成电容器的方法包括在内部导电电容器电极材料上方沉积第一相的介电金属氧化物层到厚度不超过75埃。所述第一相介电金属氧化物层具有至少15的k。在所述介电金属氧化物层上方且与其成物理接触地沉积导电RuO2。然后，使所述RuO2与所述介电金属氧化物层在低于500℃的温度下退火。在所述退火期间，与所述介电金属氧化物物理接触的所述RuO2有利于所述介电金属氧化物层从所述第一相到具有高于所述第一相的k的第二结晶相的变化。将所述经退火介电金属氧化物层并入到电容器构造的电容器介电区域中。还揭示了其它实施方案。
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公开(公告)号：CN102449712B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201080024328.7
申请日：2010-05-05
申请人： 美光科技公司
CPC分类号： H01G4/1272 , H01G4/1209 , H01G4/1218 , H01G4/1227 , H01G4/1245 , H01G4/1254 , H01G4/33
摘要： 一些实施例包括形成电容器的方法。可在第一电容器电极上方形成金属氧化物混合物。所述金属氧化物混合物可具有第二组分相对于第一组分的连续浓度梯度。所述连续浓度梯度可对应于所述第二组分随着距所述第一电容器电极的距离增加而减小的浓度。所述第一组分可选自由氧化锌、氧化铪及其混合物组成的群组；且所述第二组分可选自由氧化铌、氧化钛、氧化锶及其混合物组成的群组。可在所述第一电容器电极上方形成第二电容器电极。一些实施例包括含有至少一种金属氧化物混合物的电容器，所述至少一种金属氧化物混合物具有上述第二组分相对于上述第一组分的连续浓度梯度。
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公开(公告)号：CN102421935B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201080020703.0
申请日：2010-04-07
申请人： 美光科技公司
发明人： 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 , 瓦西尔·安东诺夫 , 约翰·斯迈思
IPC分类号： C23C16/00 , C23C16/40 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC分类号： H01L28/75 , C23C16/404 , C23C16/409 , C23C16/45527 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , C23C16/56 , H01G4/33 , H01L21/02197 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L28/56 , H01L28/65
摘要： 锶钌氧化物在钌导体与锶钛氧化物电介质之间提供有效界面。锶钌氧化物的形成包括使用原子层沉积来形成氧化锶和随后对氧化锶实施退火以形成锶钌氧化物。使用水作为氧源对氧化锶进行第一原子层沉积，随后使用臭氧作为氧源对氧化锶进行后续原子层沉积。
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公开(公告)号：CN102046839A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980120508.2
申请日：2009-05-15
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/448
CPC分类号： C23C16/405 , C23C16/4488 , C30B25/02 , C30B29/16 , H01L21/31637 , H01L28/65
摘要： 本发明揭示形成氧化物的方法，所述方法包括使含钌材料(130)与含钽前驱物接触，和使所述含钌材料与包括水且任选地包括分子氢(H2)的蒸汽接触。还揭示包括第一结晶五氧化二钽(140)和在所述第一结晶五氧化二钽的至少一部分上的第二结晶五氧化二钽(150)的物品，其中所述第一五氧化二钽所具有的结晶取向不同于所述第二结晶五氧化二钽的结晶取向。
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公开(公告)号：CN103348455A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201280007981.1
申请日：2012-01-26
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L27/108 , H01L21/02186 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/321 , H01L28/40
摘要： 本发明揭示形成金红石二氧化钛的方法。所述方法包含将过渡金属(例如V、Cr、W、Mn、Ru、Os、Rh、Ir、Pt、Ge、Sn或Pb)暴露于氧气(O2)以氧化所述过渡金属。在所述氧化的过渡金属上形成金红石二氧化钛。通过原子层沉积将气态卤化钛前体和水引入所述氧化的过渡金属而形成所述金红石二氧化钛。还揭示形成具有金红石二氧化钛的半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN102473681A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029584.5
申请日：2010-06-15
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L21/02356 , H01L21/02175 , H01L21/02186 , H01L21/3105 , H01L28/65
摘要： 一种形成电容器的方法包括在内部导电电容器电极材料上方沉积第一相的介电金属氧化物层到厚度不超过75埃。所述第一相介电金属氧化物层具有至少15的k。在所述介电金属氧化物层上方且与其成物理接触地沉积导电RuO2。然后，使所述RuO2与所述介电金属氧化物层在低于500℃的温度下退火。在所述退火期间，与所述介电金属氧化物物理接触的所述RuO2有利于所述介电金属氧化物层从所述第一相到具有高于所述第一相的k的第二结晶相的变化。将所述经退火介电金属氧化物层并入到电容器构造的电容器介电区域中。还揭示了其它实施方案。
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公开(公告)号：CN102449712A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080024328.7
申请日：2010-05-05
申请人： 美光科技公司
CPC分类号： H01G4/1272 , H01G4/1209 , H01G4/1218 , H01G4/1227 , H01G4/1245 , H01G4/1254 , H01G4/33
摘要： 一些实施例包括形成电容器的方法。可在第一电容器电极上方形成金属氧化物混合物。所述金属氧化物混合物可具有第二组分相对于第一组分的连续浓度梯度。所述连续浓度梯度可对应于所述第二组分随着距所述第一电容器电极的距离增加而减小的浓度。所述第一组分可选自由氧化锌、氧化铪及其混合物组成的群组；且所述第二组分可选自由氧化铌、氧化钛、氧化锶及其混合物组成的群组。可在所述第一电容器电极上方形成第二电容器电极。一些实施例包括含有至少一种金属氧化物混合物的电容器，所述至少一种金属氧化物混合物具有上述第二组分相对于上述第一组分的连续浓度梯度。
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