公开(公告)号：CN102449712B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201080024328.7

申请日：2010-05-05

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 瓦西尔·安东诺夫 ,  维什瓦纳特·巴特 ,  克里斯·卡尔森

IPC: H01G4/008 ,  H01G4/10

CPC classification number: H01G4/1272 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/33

Abstract: 一些实施例包括形成电容器的方法。可在第一电容器电极上方形成金属氧化物混合物。所述金属氧化物混合物可具有第二组分相对于第一组分的连续浓度梯度。所述连续浓度梯度可对应于所述第二组分随着距所述第一电容器电极的距离增加而减小的浓度。所述第一组分可选自由氧化锌、氧化铪及其混合物组成的群组；且所述第二组分可选自由氧化铌、氧化钛、氧化锶及其混合物组成的群组。可在所述第一电容器电极上方形成第二电容器电极。一些实施例包括含有至少一种金属氧化物混合物的电容器，所述至少一种金属氧化物混合物具有上述第二组分相对于上述第一组分的连续浓度梯度。

公开(公告)号：CN103348455A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201280007981.1

申请日：2012-01-26

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 黄才育 ,  维什瓦纳特·巴特 ,  瓦西尔·安东诺夫 ,  克里斯·卡尔森

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L27/108 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/321 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明揭示形成金红石二氧化钛的方法。所述方法包含将过渡金属(例如V、Cr、W、Mn、Ru、Os、Rh、Ir、Pt、Ge、Sn或Pb)暴露于氧气(O2)以氧化所述过渡金属。在所述氧化的过渡金属上形成金红石二氧化钛。通过原子层沉积将气态卤化钛前体和水引入所述氧化的过渡金属而形成所述金红石二氧化钛。还揭示形成具有金红石二氧化钛的半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN102449712A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080024328.7

申请日：2010-05-05

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 瓦西尔·安东诺夫 ,  维什瓦纳特·巴特 ,  克里斯·卡尔森

IPC: H01G4/008 ,  H01G4/10

CPC classification number: H01G4/1272 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/33

Abstract: 一些实施例包括形成电容器的方法。可在第一电容器电极上方形成金属氧化物混合物。所述金属氧化物混合物可具有第二组分相对于第一组分的连续浓度梯度。所述连续浓度梯度可对应于所述第二组分随着距所述第一电容器电极的距离增加而减小的浓度。所述第一组分可选自由氧化锌、氧化铪及其混合物组成的群组；且所述第二组分可选自由氧化铌、氧化钛、氧化锶及其混合物组成的群组。可在所述第一电容器电极上方形成第二电容器电极。一些实施例包括含有至少一种金属氧化物混合物的电容器，所述至少一种金属氧化物混合物具有上述第二组分相对于上述第一组分的连续浓度梯度。