公开(公告)号：CN106098539A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610720057.8

申请日：2010-09-02

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 箕谷周平 ,  中野佑纪 ,  渡部平司 ,  志村考功 ,  细井卓治 ,  桐野嵩史

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/04 ,  H01L21/82 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/049 ,  H01L21/8213 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/45 ,  H01L29/511 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体装置，包括：由第一导电型构成的半导体层；阱区域，是第二导电型的阱区域，形成在所述半导体层的表层部上并且具有限定在阱区域中的沟道区域；源区域，是第一导电型的源区域，形成在阱区域的表层部上并且包括邻近阱区域限定的第一区域和邻近第一区域限定的第二区域；栅极绝缘膜，形成在半导体层上并且在栅极绝缘膜中限定：第一部分，接触源区域的第一区域；第二部分，接触阱区域，并且第二部分的厚度与第一部分的厚度相同；和第三部分，接触源区域的第二区域，并且第三部分的厚度大于第一部分的厚度；和栅电极，形成在栅极绝缘膜上，并且通过栅极绝缘膜与阱区域中的形成有沟道的沟道区域对置。

公开(公告)号：CN106098539B

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201610720057.8

申请日：2010-09-02

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 箕谷周平 ,  中野佑纪 ,  渡部平司 ,  志村考功 ,  细井卓治 ,  桐野嵩史

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/04 ,  H01L21/82 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/45

Abstract: 一种半导体装置，包括：由第一导电型构成的半导体层；阱区域，是第二导电型的阱区域，形成在所述半导体层的表层部上并且具有限定在阱区域中的沟道区域；源区域，是第一导电型的源区域，形成在阱区域的表层部上并且包括邻近阱区域限定的第一区域和邻近第一区域限定的第二区域；栅极绝缘膜，形成在半导体层上并且在栅极绝缘膜中限定：第一部分，接触源区域的第一区域；第二部分，接触阱区域，并且第二部分的厚度与第一部分的厚度相同；和第三部分，接触源区域的第二区域，并且第三部分的厚度大于第一部分的厚度；和栅电极，形成在栅极绝缘膜上，并且通过栅极绝缘膜与阱区域中的形成有沟道的沟道区域对置。

公开(公告)号：CN102484069A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080039791.9

申请日：2010-09-02

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 箕谷周平 ,  中野佑纪 ,  渡部平司 ,  志村考功 ,  细井卓治 ,  桐野嵩史

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/049 ,  H01L21/8213 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/45 ,  H01L29/511 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：在碳化硅基板上形成氧化硅膜的工序；在包含氢的气体中对碳化硅基板以及氧化硅膜进行退火的工序；在碳化硅基板以及氧化硅膜的退火后，在氧化硅膜上形成氮氧化铝膜的工序。