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公开(公告)号：CN113960561A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110748802.0
申请日：2021-07-02
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01S7/481 , G01S7/483 , G01S7/491 , G01S17/931
Abstract: 单芯片激光雷达模块包括激光器、光电二极管、光子集成电路(PIC)、透镜和外壳。该激光器被配置成输出预定波长的光。该光电二极管被配置成检测预定波长的光能。该PIC与激光器和光电二极管耦合，并且与MEMS开关阵列集成，该MEMS开关阵列包括被配置成衍射预定波长的光的光学天线。该透镜被布置在PIC上方。该外壳被配置成包围激光器、光电二极管和PIC，并且具有被配置成使与PIC相关联的光通过的窗口。
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公开(公告)号：CN104241228B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201410275934.6
申请日：2014-06-19
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L23/481 , B81C1/00238 , B81C3/001 , B81C2203/0109 , B81C2203/0792 , G01C19/5783 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于ASIC构件中的穿通接触部的实现方案，所述ASIC构件能够简单地集成在ASIC衬底的CMOS工艺中。所述ASIC构件(120)具有有效的前侧，在所述有效的前侧中实现电路功能(20)。所述至少一个穿通接触部(15)应建立所述有效的前侧与所述构件背侧之间的电连接。根据本发明，在前侧通过至少一个完全填充的前侧沟槽(151)限定所述穿通接触部(15)，而在背侧通过至少一个没有完全填充的背侧沟槽(154)限定所述穿通接触部。所述背侧沟槽(154)通到经填充的前侧沟槽(151)中。
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公开(公告)号：CN107720686A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710680047.0
申请日：2017-08-10
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81B7/00
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B7/0041 , B81B7/02 , B81C1/00285 , G01C19/5783 , G01P3/00 , G01P15/00 , G01P15/0802 , B81B2201/0235 , B81B2201/025 , B81B2203/0315
Abstract: 提出一种具有主延伸平面的微机械结构元件，其中，所述微机械结构元件包围第一空腔并且包围第二空腔，其中，在所述第一空腔中存在第一压力并且在所述第二空腔中存在第二压力，其中，微机械结构元件的基本上平行于所述主延伸平面延伸的第一层在所述第一空腔与所述第二空腔之间基本上垂直于主延伸平面地伸入微机械结构元件的基本上平行于所述主延伸平面延伸的第二层中。
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公开(公告)号：CN104241228A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410275934.6
申请日：2014-06-19
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L23/481 , B81C1/00238 , B81C3/001 , B81C2203/0109 , B81C2203/0792 , G01C19/5783 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于ASIC构件中的穿通接触部的实现方案，所述ASIC构件能够简单地集成在ASIC衬底的CMOS工艺中。所述ASIC构件(120)具有有效的前侧，在所述有效的前侧中实现电路功能(20)。所述至少一个穿通接触部(15)应建立所述有效的前侧与所述构件背侧之间的电连接。根据本发明，在前侧通过至少一个完全填充的前侧沟槽(151)限定所述穿通接触部(15)，而在背侧通过至少一个没有完全填充的背侧沟槽(154)限定所述穿通接触部。所述背侧沟槽(154)通到经填充的前侧沟槽(151)中。
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公开(公告)号：CN113885125A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110748803.5
申请日：2021-07-02
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 平面内MEMS光开关。一种光开关包括：由基板支撑的第一总线波导、经由弹簧悬挂在第一总线波导上方的光学天线、以及将基板与光学天线耦合并且被配置成控制光学天线相对于第一总线波导的方位的叉指电极。当施加到叉指电极的电压差小于下阈值时，光学天线处于偏离第一总线波导的第一方位，当施加到叉指电极的电压差大于上阈值时，光学天线处于偏离第一总线波导的第二方位，并且第二方位处的偏移大于第一方位处的偏移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113885122A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110748727.8
申请日：2021-07-02
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 具有停止控件的MEMS光开关。一种光开关包括：由基板支撑的总线波导；由基板支撑的致动电极，该致动电极具有在垂直于基板和总线波导的方向上突出的鳍部；以及反应电极，其具有被配置成与致动电极形成梳状驱动器的叉指鳍部。当反应电极与致动电极之间的电压差小于下阈值时，反应电极被定位在距总线波导第一距离处，当反应电极与致动电极之间的电压差大于上阈值时，反应电极被定位在距总线波导第二距离处，并且第二距离小于第一距离。
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公开(公告)号：CN119731116A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202380060152.8
申请日：2023-07-10
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种用于制造硅层系统(310)的方法，包括以下步骤：提供具有表面的载体衬底，其中，载体衬底设有形成在所述表面上的绝缘层；在所述绝缘层上施加第一硅层；将第一硅层结构化，用于在第一硅层中形成沟槽，其中，沟槽至少在局部延伸穿过第一硅层；将第一硅层钝化，其中，沟槽被填充，并且，在第一硅层的背离绝缘层的一侧上形成第一钝化层；将第一钝化层结构化，其中，在第一硅层中形成第一牺牲区域和功能区域，并且，第一牺牲区域在第一硅层的背离绝缘层的一侧上至少在局部没有第一钝化层。从施加起重复这些步骤，由此在另外的硅层中形成牺牲区域和功能区域；接着去除所有牺牲区域。这些步骤实施成，使得形成包括至少一个专用功能区域的电连接部(390)，通过所述电连接部能在两个元件(380)之间建立电连接，其中，所述至少一个专用功能区域仅用于电连接部(390)。
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公开(公告)号：CN119731115A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202380060150.9
申请日：2023-07-20
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种用于制造微机电结构的方法，包括提供载体衬底(110)，其具有中心层(140)和表面以及布置在中心层的一侧上且施加在所述表面上的绝缘层(122)；在绝缘层上施加硅层(150a)；对硅层进行结构化以形成在局部延伸穿过硅层的沟槽(156)；对硅层进行钝化，其中，沟槽被填充并形成钝化层(154)；对钝化层进行结构化，其中，形成牺牲区域(153)和功能区域(152)，且牺牲区域局部地没有钝化层；去除载体衬底(110)的一部分以形成新表面，并在新表面上形成第二绝缘层(172)。接着，在第二绝缘层上重复施加、结构化和钝化用于第二硅层(180a)并且针对第二钝化层(184)重复结构化而形成牺牲区域和功能区域，并且去除所有牺牲区域。
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公开(公告)号：CN113885123A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110748785.0
申请日：2021-07-02
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 具有悬臂耦合器的MEMS光开关。一种光开关包括：由基板支撑的总线波导、悬挂在总线波导上方的耦合波导、与耦合波导耦合并且与耦合波导相邻的反应电极、由基板支撑并且被配置成经由反应电极控制耦合波导相对于总线波导的方位的致动电极、以及与耦合波导耦合并且设置在距总线波导固定距离处的光学天线。当反应电极与致动电极之间的电压差小于下阈值时，耦合波导被定位在距总线波导第一距离处，当反应电极与致动电极之间的电压差大于上阈值时，耦合波导被定位在距总线波导第二距离处，并且第二距离小于第一距离。
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公开(公告)号：CN107720686B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201710680047.0
申请日：2017-08-10
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81B7/00
Abstract: 提出一种具有主延伸平面的微机械结构元件，其中，所述微机械结构元件包围第一空腔并且包围第二空腔，其中，在所述第一空腔中存在第一压力并且在所述第二空腔中存在第二压力，其中，微机械结构元件的基本上平行于所述主延伸平面延伸的第一层在所述第一空腔与所述第二空腔之间基本上垂直于主延伸平面地伸入微机械结构元件的基本上平行于所述主延伸平面延伸的第二层中。
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