公开(公告)号：CN119731116A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380060152.8

申请日：2023-07-10

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·克尔布尔 ,  J·托马斯科 ,  H·屈佩尔斯 ,  H·施塔尔 ,  A·哈茨海姆

IPC: B81C1/00

Abstract: 一种用于制造硅层系统(310)的方法，包括以下步骤：提供具有表面的载体衬底，其中，载体衬底设有形成在所述表面上的绝缘层；在所述绝缘层上施加第一硅层；将第一硅层结构化，用于在第一硅层中形成沟槽，其中，沟槽至少在局部延伸穿过第一硅层；将第一硅层钝化，其中，沟槽被填充，并且，在第一硅层的背离绝缘层的一侧上形成第一钝化层；将第一钝化层结构化，其中，在第一硅层中形成第一牺牲区域和功能区域，并且，第一牺牲区域在第一硅层的背离绝缘层的一侧上至少在局部没有第一钝化层。从施加起重复这些步骤，由此在另外的硅层中形成牺牲区域和功能区域；接着去除所有牺牲区域。这些步骤实施成，使得形成包括至少一个专用功能区域的电连接部(390)，通过所述电连接部能在两个元件(380)之间建立电连接，其中，所述至少一个专用功能区域仅用于电连接部(390)。

公开(公告)号：CN119731115A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380060150.9

申请日：2023-07-20

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·克尔布尔 ,  J·托马斯科 ,  H·屈佩尔斯 ,  H·施塔尔 ,  A·哈茨海姆

IPC: B81C1/00

Abstract: 一种用于制造微机电结构的方法，包括提供载体衬底(110)，其具有中心层(140)和表面以及布置在中心层的一侧上且施加在所述表面上的绝缘层(122)；在绝缘层上施加硅层(150a)；对硅层进行结构化以形成在局部延伸穿过硅层的沟槽(156)；对硅层进行钝化，其中，沟槽被填充并形成钝化层(154)；对钝化层进行结构化，其中，形成牺牲区域(153)和功能区域(152)，且牺牲区域局部地没有钝化层；去除载体衬底(110)的一部分以形成新表面，并在新表面上形成第二绝缘层(172)。接着，在第二绝缘层上重复施加、结构化和钝化用于第二硅层(180a)并且针对第二钝化层(184)重复结构化而形成牺牲区域和功能区域，并且去除所有牺牲区域。