公开(公告)号：CN107720686A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710680047.0

申请日：2017-08-10

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·布莱特林 ,  C·施文克 ,  H·屈佩尔斯 ,  N·席滕黑尔姆 ,  V·施米茨

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0038 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00285 ,  G01C19/5783 ,  G01P3/00 ,  G01P15/00 ,  G01P15/0802 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/025 ,  B81B2203/0315

Abstract: 提出一种具有主延伸平面的微机械结构元件，其中，所述微机械结构元件包围第一空腔并且包围第二空腔，其中，在所述第一空腔中存在第一压力并且在所述第二空腔中存在第二压力，其中，微机械结构元件的基本上平行于所述主延伸平面延伸的第一层在所述第一空腔与所述第二空腔之间基本上垂直于主延伸平面地伸入微机械结构元件的基本上平行于所述主延伸平面延伸的第二层中。

公开(公告)号：CN107720686B

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN201710680047.0

申请日：2017-08-10

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·布莱特林 ,  C·施文克 ,  H·屈佩尔斯 ,  N·席滕黑尔姆 ,  V·施米茨

IPC: B81B7/00

Abstract: 提出一种具有主延伸平面的微机械结构元件，其中，所述微机械结构元件包围第一空腔并且包围第二空腔，其中，在所述第一空腔中存在第一压力并且在所述第二空腔中存在第二压力，其中，微机械结构元件的基本上平行于所述主延伸平面延伸的第一层在所述第一空腔与所述第二空腔之间基本上垂直于主延伸平面地伸入微机械结构元件的基本上平行于所述主延伸平面延伸的第二层中。

公开(公告)号：CN116466106A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310071146.4

申请日：2023-01-16

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： Z·切凯 ,  B·西蒙尼 ,  C·施文克

IPC: G01P15/125 ,  G01P3/44 ,  G01P15/08

Abstract: 本发明涉及一种微机械惯性传感器(100)，其具有：带有第一电极(2)的衬底；和震动质量元件(5)，其中，在所述震动质量元件(5)内部布置有第二电极(3)，其中，所述第二电极(3)双金属构造。

公开(公告)号：CN114823322A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210060341.2

申请日：2022-01-19

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： C·施文克 ,  N·肖尔

IPC: H01L21/308 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及用于在多层系统的第一半导体层中形成沟道的方法，其包括在第一半导体层上施加掩模层，其中形成槽口，从而槽口内的第一半导体层暴露；施加保护层，其覆盖掩膜层和第一半导体层；在保护层上施加第二半导体层；蚀刻第二半导体层，使得其在包围掩模层槽口的区域中被去除，保护层起蚀刻停止层作用并在去除的子区域中暴露；蚀刻保护层，使得槽口内的第一半导体层暴露；在第一半导体层中形成沟道，掩模层槽口用作蚀刻掩模，且沟道通过蚀刻与钝化步骤之间的周期性交替形成，通过蚀刻步骤去除第一半导体层的材料，且通过钝化步骤钝化沟道内壁，第一蚀刻步骤比后续步骤时间长，从而在沟道上边缘的材料去除量比在位于其下方区域中的材料去除量大。