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公开(公告)号：CN100504321C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610095736.7
申请日：2006-06-28
CPC分类号： H01L25/162 , G06F1/206 , H01L23/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 用于以提供对应于集成电路的不同部分的有用热测量的方式将热传感器定位到集成电路内的系统和方法。在一个实施例中，集成电路包括多重，复制功能块。独立的热传感器优选地在每个复制功能块的相同相关位置(优选地是在热点处)与每个复制功能块耦接。一个实施例还包括集成电路中一个或多个其它类型的功能块上的热传感器。一个实施例包括被置于冷点的热传感器，如在集成电路芯片的边缘处。每个热传感器可具有端口，用以实现在传感器和外部组件或装置之间的电源和地连接或者数据连接。
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公开(公告)号：CN1894668A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200480037517.2
申请日：2004-12-22
申请人： 索尼计算机娱乐公司
CPC分类号： G06F1/206 , G06F1/3203 , G06F1/329 , G06F9/3836 , G06F9/3869 , G06F9/4881 , G06F9/505 , Y02D10/126 , Y02D10/24
摘要： 本发明的命令解码器(14)，对每个命令指定与命令的执行有关的运算块和发热系数，并将其存储在发热系数简档(20)中。命令调度器(16)基于数据依存关系调度命令。发热度数加法器(32)与被调度的命令的进行匹配，对保持在运算块发热度数寄存器(22)中的该运算块的发热度数累计加上发热系数。发热度数减法器(34)基于经过时间产生的发热量减去运算块发热度数寄存器(22)的各运算块的发热度数。热点检测器(36)检测运算块发热度数寄存器(22)的发热度数超过了规定的阈值的运算块作为热点，命令调度器(16)使与被判断为热点的运算块执行的有关的命令执行延迟。
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公开(公告)号：CN100495349C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200480037517.2
申请日：2004-12-22
申请人： 索尼计算机娱乐公司
CPC分类号： G06F1/206 , G06F1/3203 , G06F1/329 , G06F9/3836 , G06F9/3869 , G06F9/4881 , G06F9/505 , Y02D10/126 , Y02D10/24
摘要： 本发明的命令解码器(14)，对每个命令指定与命令的执行有关的运算块和发热系数，并将其存储在发热系数简档(20)中。命令调度器(16)基于数据依存关系调度命令。发热频度加法器(32)与被调度的命令的进行匹配，对保持在运算块发热频度寄存器(22)中的该运算块的发热频度累计加上发热系数。发热频度减法器(34)基于经过时间产生的发热量减去运算块发热频度寄存器(22)的各运算块的发热频度。热点检测器(36)检测运算块发热频度寄存器(22)的发热频度超过了规定的阈值的运算块作为热点，命令调度器(16)使与被判断为热点的运算块执行的有关的命令执行延迟。
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公开(公告)号：CN100454542C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200510137392.7
申请日：2005-11-07
CPC分类号： G01K15/00 , G01R31/2856 , G01R31/2874 , G01R31/31704 , G01R31/319 , G01R31/31908
摘要： 公开了一种集成电路小片(102)，其包括温度检测电路(200)和配置成存储校准数据的存储器(204)。温度检测电路(200)可操作地连接到存储器(204)，并且接收输入信号。温度检测电路(200)被配置成根据输入信号产生指示集成电路小片(102)的温度是否高于所选温度的输出信号。在集成电路小片(102)的正常工作模式期间，输入信号包括校准数据。还描述了一种用于校准该温度检测电路(200)的系统和方法。
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公开(公告)号：CN1708213A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510087849.8
申请日：2005-06-03
申请人： 索尼计算机娱乐公司
CPC分类号： G06F1/206 , G01K7/425 , G05D23/1917 , H01L23/34 , H01L23/467 , H01L23/4735 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311 , H05K7/20172 , H05K7/20209 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供用于高效冷却电子设备的技术。温度预测部(150)，从负荷的动作状态预测规定期间后的电子设备(200)的温度或温度变化的速度。选择部(140)，根据温度预测部(150)的预测结果，对喷嘴控制部(120)以及电扇控制部(130)中的任一方或者双方进行指示。喷嘴控制部(120)按照来自选择部(140)的控制信号，向喷嘴单元(102)发送控制信号，驱动喷流冷却装置(300)。电扇控制部(130)按照来自选择部(140)的控制信号，向电扇单元(106)发送控制信号，驱动电扇。选择部(140)也可以在预测的温度变化的速度超过规定的阈值时，选择电扇；在不超过规定的阈值时，选择喷流冷却装置(300)。
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公开(公告)号：CN100568497C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200480041785.1
申请日：2004-12-02
申请人： 索尼计算机娱乐公司
发明人： 矢泽和明
IPC分类号： H01L23/473 , H05K7/20
CPC分类号： H01L23/467 , H01L23/34 , H01L23/4735 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311 , H01L2924/19106 , H01L2924/00012
摘要： 温度测定部(108)测量作为发热体的电子器件(200)的温度。在测量的温度超过规定的阈值的情况下，电动风扇控制部(130)指示电动风扇设备(106)通过驱动电动风扇来冷却电子器件(200)。此外，在测量的温度每单位时间上升到规定的阈值以上的情况下，喷嘴控制部(120)指示喷嘴单元(102)通过喷流冷却来冷却电子器件(200)。
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公开(公告)号：CN100517662C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710108106.3
申请日：2007-05-30
IPC分类号： H01L23/34 , H01L23/473 , H01L21/50
CPC分类号： H01L23/427 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/01087 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19106 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，能够提高倒装片安装的半导体芯片的散热性。半导体装置(10)具有基板(20)、倒装片安装在基板(20)上的半导体芯片(30)、将半导体芯片(30)的周围密封的密封树脂层(40)、经由TIM层(80)接合的散热器(90)。进而，在形成于半导体芯片(30)的背面的密闭空间(95)中封入制冷剂(98)。
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公开(公告)号：CN100433961C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200510087849.8
申请日：2005-06-03
申请人： 索尼计算机娱乐公司
CPC分类号： G06F1/206 , G01K7/425 , G05D23/1917 , H01L23/34 , H01L23/467 , H01L23/4735 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311 , H05K7/20172 , H05K7/20209 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供用于高效冷却电子设备的技术。温度预测部(150)，从负荷的动作状态预测规定期间后的电子设备(200)的温度或温度变化的速度。选择部(140)，根据温度预测部(150)的预测结果，对喷嘴控制部(120)以及电扇控制部(130)中的任一方或者双方进行指示。喷嘴控制部(120)按照来自选择部(140)的控制信号，向喷嘴单元(102)发送控制信号，驱动喷流冷却装置(300)。电扇控制部(130)按照来自选择部(140)的控制信号，向电扇单元(106)发送控制信号，驱动电扇。选择部(140)也可以在预测的温度变化的速度超过规定的阈值时，选择电扇；在不超过规定的阈值时，选择喷流冷却装置(300)。
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公开(公告)号：CN100432943C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200580001100.5
申请日：2005-04-08
申请人： 索尼计算机娱乐公司
CPC分类号： G06F1/206 , G06F1/3206 , G06F1/324 , G06F1/3243 , G06F1/3287
摘要： 发热量估计单元(110)取得当前运行着的子处理器的数量，取得当前的工作频率，并估计Δt期间后的发热量。温度控制单元(120)根据从温度传感器(400)输入的当前温度和被估计出的发热量，估计Δt期间后的温度，并与规定的阈值温度进行比较。在达到了规定的阈值温度的情况下，从任务管理单元(121)取得Δt期间后的子处理器的可并行利用数，参照性能表(122)求转移的工作点。子处理器控制单元(130)和频率控制单元(140)切换到与其对应的子处理器的运行数和工作频率。在性能表(122)中转移的工作点被按照性能的顺序记述。
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公开(公告)号：CN1949486B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610136115.9
申请日：2006-10-11
申请人： 索尼计算机娱乐公司
发明人： 矢泽和明
CPC分类号： H01L23/40 , H01L23/4006 , H01L2023/405 , H01L2023/4062 , H01L2023/4087 , H01L2224/16 , H01L2224/73253 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311
摘要： 一种半导体装置和半导体装置的制作方法。其中半导体芯片(36)将电路面向下按压在封装基板(30)上而从作为电路面相反侧的上面进行散热。密封树脂层(32)将半导体芯片(36)的上面露出来地来密封该半导体芯片(36)的周围。固定部件(34)被埋入在密封树脂层内，而在固定部件前端形成的钩部(40)则比半导体芯片的上面突出。扩展板(10)将半导体芯片散发出来的热进行散热。将固定部件的钩部(40)插入到扩展板在面向封装基板侧形成的导入槽(12)内并将扩展板相对封装基板以规定量旋转，则钩部沿导入槽被引导而将扩展板按压在半导体芯片上。
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