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公开(公告)号：CN101467210B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200780022013.7
申请日：2007-06-15
CPC classification number: G11B7/259 , G11B7/00736 , Y10T428/21
Abstract: 本发明可以确定通过物理转写在光学记录介质的基板上形成的凹坑和平面的形状而制备的盗版光盘记录介质。所述光学记录介质具有卓越的耐候性和长期存储可靠性。在通过凹坑和平面的组合记录了主数据的基板上形成由Ag100-x-yXxCuy的Ag合金膜所形成的反射膜，其中，X为Ti、W、Ta、V、Mo、Nb及Zr中的至少一种元素。可以形成标记，使得在所述反射膜上一次写入的记录辅助数据的记录标记的再生信号电平升高，并且在通过物理转写所述基板的凹坑和平面的表面形状而制备的光学记录介质的再生信号电平降低。以这种方式可以确定盗版光学记录介质。
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公开(公告)号：CN101467210A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780022013.7
申请日：2007-06-15
CPC classification number: G11B7/259 , G11B7/00736 , Y10T428/21
Abstract: 本发明可以确定通过物理转写在光学记录介质的基板上形成的凹坑和平面的形状而制备的盗版光盘记录介质。所述光学记录介质具有卓越的耐候性和长期存储可靠性。在通过凹坑和平面的组合记录了主数据的基板上形成由Ag100－x－yXxCuy的Ag合金膜所形成的反射膜，其中，X为Ti、W、Ta、V、Mo、Nb及Zr中的至少一种元素。可以形成标记，使得在所述反射膜上一次写入的记录辅助数据的记录标记的再生信号电平升高，并且在通过物理转写所述基板的凹坑和平面的表面形状而制备的光学记录介质的再生信号电平降低。以这种方式可以确定盗版光学记录介质。
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公开(公告)号：CN1823179B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200480020394.1
申请日：2004-07-14
CPC classification number: C22C5/06 , C22F1/14 , C23C14/3414
Abstract: 一种Ag系溅射靶(6)，在和溅射面平行的面上切断该溅射靶而使多个溅射面露出，在每个露出的溅射面上选择多个位置，通过下式基于全部的选择位置的结晶粒径而算出值A1以及值B1，当这些值A1以及值B1中的大的值被称为结晶粒径的3维偏差时，该结晶粒径的3维偏差为18％以下。A1＝(Dmax-Dave)/Dave×100(％)，B1＝(Dave-Dmin)/Dave×100(％)，Dmax：全部选择位置的结晶粒径D的最大值，Dmin：全部选择位置的结晶粒径D的最小值，Dave：全部选择位置的结晶粒径D的平均值。
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公开(公告)号：CN102084421A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980125743.9
申请日：2009-09-03
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G11B7/258
CPC classification number: C23C14/205 , G11B7/2585
Abstract: 本发明提供反射膜表面高精度再现形成于基板上的凹槽或凹点等，实现光信息记录介质的噪声的减小，并且具有高的反射率的Al基合金反射膜，以及对形成这样的反射膜有用的溅射靶材。本发明的光信息记录介质用反射膜用于光信息记录介质，实质上由含有2.0～15.0原子％的稀土类元素的Al基合金形成，反射膜的厚度方向的微晶尺寸为30nm以下。
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公开(公告)号：CN1901053B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200610101951.3
申请日：2006-07-11
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/165 , C22C5/06 , C23C14/3414 , G11B7/258 , G11B7/259 , Y10T428/21
Abstract: 一种银合金反射膜被用于光学信息记录介质，并包含作为主成分的银、总共1-10原子％的至少一种稀土元素，和总共1-15原子％的选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种，其中所述至少一种稀土元素与所述选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种的总含量为5原子％或更高。该银合金反射膜优选还包含0.01-3原子％的Bi和Sb中的至少一种。银合金溅射靶具有与该银合金反射膜相同的组成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100416681C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200510079173.8
申请日：2005-06-28
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/205 , C23C14/3414 , G11B7/24038 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B7/266 , Y10T428/21
Abstract: 用于光学信息记录介质的各种半反射膜或者反射膜以及一种Ag基合金溅射靶包含Li含量为0.01-10原子百分比的Ag基合金。该Ag基合金显示出高抗粘结性、高耐光性、高耐热性、高反射率、高透射率、低吸收率和高热导率，这些性能是用纯Ag或者常规的Ag合金不能获得的。所得到的包含Ag基合金的用于光学信息记录介质的半反射膜和反射膜显示出优异的录写/读取性能和长期可靠性。半反射膜和反射膜沉积中使用光学信息记录介质用溅射靶。使用该半反射膜和/或反射膜制造光学信息记录介质。
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公开(公告)号：CN1901054A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610101952.8
申请日：2006-07-11
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/258 , G11B7/259 , Y10T428/21
Abstract: 一种银合金反射膜用于光学信息记录介质并包含作为主成分的Ag、总共1－10原子％的选自Nd、Gd、Y、Sm、La和Ce中的至少一种，以及总共2－10原子％的选自Li、Mg、Al、Zn、Cu、Pt、Au、Pd、Ru和Rh中的至少一种。反射膜优选还包含0.01－3原子％的Bi和Sb中的至少一种和/或2－10原子％的选自In、Sn和Pb中的至少一种。一种光学信息记录介质包括该银合金反射膜。一种银合金溅射靶具有与该银合金反射膜相同的组成。
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公开(公告)号：CN1292424C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200410059873.6
申请日：2004-06-24
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G02B5/0858 , B60R1/08 , G02B5/08 , Y10S359/90
Abstract: 本发明提供反射器用Ag合金反射膜及反射器。(1)是以具有在含有Bi的Ag合金薄膜的表面和/或该Ag合金薄膜上的与其他层的界面上形成了Bi层和/或Bi氧化物层的构造为特征的反射器用Ag合金反射膜，(2)在所述Ag合金反射膜中Bi层和/或Bi氧化物层的厚度在2.0nm以下的Ag合金反射膜，(3)在所述Ag合金反射膜中Ag合金薄膜含有0.01～3.0原子%的Bi的Ag合金反射膜，(4)在基体上形成有所述Ag合金反射膜的反射器等。该Ag合金反射膜反射率高，而且耐候性及耐热性优良。
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公开(公告)号：CN1848266A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610074378.1
申请日：2006-04-14
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G11B7/258 , C22C5/06 , C22C5/08 , C23C14/205 , C23C14/3414 , G11B7/259 , Y10T428/12 , Y10T428/21
Abstract: 银合金反射膜用于光学信息记录介质并含有作为主要组分的银，总共0.01－3原子％的选自Bi和Sb中的至少一种，和总共3－42原子％的选自Cu，Ge，Mg和Zn中的至少一种。银合金反射膜优选进一步含有0.1－3原子％的钇。光学信息记录介质包括银合金反射膜。用于沉积银合金反射膜的溅射靶含有作为主要组分的银，总共0.01－3原子％的Sb(或0.03－10原子％的Bi)和总共3－42原子％的选自Cu，Ge，Mg和Zn中的至少一种。
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公开(公告)号：CN1769985A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510118731.7
申请日：2005-10-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1343 , C22C9/00
CPC classification number: H01L23/53233 , C23C14/185 , G02F2001/136295 , H01J29/02 , H01J2211/225 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 一种铜合金薄膜，含有Fe和P以及余量基本上是Cu，其中Fe和P的含量满足所有下列条件(1)～(3)，并且，其中，在200～500℃下热处理1～120分钟之后，Fe2P析出在Cu的晶界上：1.4NFe+8NP＜1.3(1)；NFe+48NP＞1.0 (2)；12NFe+NP＞0.5(3)；其中，NFe表示Fe的含量(原子百分比)；NP表示P的含量(原子百分比)。
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