公开(公告)号：CN1380682A

公开(公告)日：2002-11-20

申请号：CN02105475.4

申请日：2002-04-05

Applicant: 索尼公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 宫嶋孝夫 ,  富谷茂隆 ,  碓井彰

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L21/02389 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  Y10S438/94 ,  Y10S438/977

Abstract: 借助于在单晶衬底上制作结晶缺陷较少的高质量化合物半导体层,并清除单晶衬底而不引起对化合物半导体层的损伤,制造了化合物半导体衬底。此方法包含下列步骤:通过晶体生长,在单晶衬底(蓝宝石衬底)上制作化合物半导体层(第一、第二和第三化合物半导体层),使化合物半导体层与单晶衬底之间局部具有间隔;以及借助于利用通过单晶衬底并在化合物半导体层中被吸收以熔化单晶衬底与化合物半导体之间的界面的激光束,从蓝宝石衬底侧辐照化合物半导体层,而从蓝宝石衬底清除化合物半导体层。

公开(公告)号：CN100481326C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN02105475.4

申请日：2002-04-05

Applicant: 索尼株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 宫孝夫 ,  富谷茂隆 ,  碓井彰

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L21/02389 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  Y10S438/94 ,  Y10S438/977

Abstract: 借助于在单晶衬底上制作结晶缺陷较少的高质量化合物半导体层，并清除单晶衬底而不引起对化合物半导体层的损伤，制造了化合物半导体衬底。此方法包含下列步骤：通过晶体生长，在单晶衬底(蓝宝石衬底)上制作化合物半导体层(第一、第二和第三化合物半导体层)，使化合物半导体层与单晶衬底之间局部具有间隔；以及借助于利用通过单晶衬底并在化合物半导体层中被吸收以熔化单晶衬底与化合物半导体之间的界面的激光束，从蓝宝石衬底侧辐照化合物半导体层，而从蓝宝石衬底清除化合物半导体层。

公开(公告)号：CN101471246B

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200810170558.9

申请日：2002-04-05

Applicant: 索尼株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 宫嶋孝夫 ,  富谷茂隆 ,  碓井彰

IPC: H01L21/20 ,  C30B33/00 ,  C30B29/60

CPC classification number: H01L21/02389 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  Y10S438/94 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体衬底的制造方法，其借助于在单晶衬底上制作结晶缺陷较少的高质量化合物半导体层，并清除单晶衬底而不引起对化合物半导体层的损伤，制造了化合物半导体衬底。此方法包含下列步骤：通过晶体生长，在单晶村底(蓝宝石衬底)上制作化合物半导体层(第一、第二和第三化合物半导体层)，使化合物半导体层与单晶衬底之间局部具有间隔；以及借助于利用通过单晶衬底并在化合物半导体层中被吸收以熔化单晶衬底与化合物半导体之间的界面的激光束，从蓝宝石衬底侧辐照化合物半导体层，而从蓝宝石衬底清除化合物半导体层。

公开(公告)号：CN101471246A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810170558.9

申请日：2002-04-05

Applicant: 索尼株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 宫孝夫 ,  富谷茂隆 ,  碓井彰

IPC: H01L21/20 ,  C30B33/00 ,  C30B29/60

CPC classification number: H01L21/02389 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  Y10S438/94 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体衬底的制造方法，其借助于在单晶衬底上制作结晶缺陷较少的高质量化合物半导体层，并清除单晶衬底而不引起对化合物半导体层的损伤，制造了化合物半导体衬底。此方法包含下列步骤：通过晶体生长，在单晶村底(蓝宝石衬底)上制作化合物半导体层(第一、第二和第三化合物半导体层)，使化合物半导体层与单晶衬底之间局部具有间隔；以及借助于利用通过单晶衬底并在化合物半导体层中被吸收以熔化单晶衬底与化合物半导体之间的界面的激光束，从蓝宝石衬底侧辐照化合物半导体层，而从蓝宝石衬底清除化合物半导体层。

公开(公告)号：CN103069554A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201180039625.3

申请日：2011-08-10

Applicant: 索尼公司

Inventor： 后藤修 ,  保原大介 ,  野元章裕 ,  村上洋介 ,  富谷茂隆 ,  小林典仁 ,  清水圭辅 ,  胜原真央 ,  大江贵裕 ,  川岛纪之 ,  高桥由佳 ,  福田敏生 ,  石井由威

IPC: H01L21/368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0002 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供了一种有机薄膜形成方法，能够在控制厚度和尺寸的同时轻松快速地形成单晶有机薄膜。在将有机溶液提供给由温度可控的支撑件支撑的成膜基板的一个表面（宽度较宽的溶液积蓄区以及宽度较窄并与所述溶液积蓄区连接的溶液限制区）之后，独立于所述支撑件温度可控的移动体沿所述支撑件的表面移动，同时保持与所述有机溶液接触。将所述支撑件的温度设定为位于关于所述有机溶液的溶解度曲线和超溶解度曲线之间的温度，并将所述移动体的温度设定为比溶解度曲线的温度高的一侧上的温度。