公开(公告)号：CN100481326C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN02105475.4

申请日：2002-04-05

Applicant: 索尼株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 宫孝夫 ,  富谷茂隆 ,  碓井彰

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L21/02389 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  Y10S438/94 ,  Y10S438/977

Abstract: 借助于在单晶衬底上制作结晶缺陷较少的高质量化合物半导体层，并清除单晶衬底而不引起对化合物半导体层的损伤，制造了化合物半导体衬底。此方法包含下列步骤：通过晶体生长，在单晶衬底(蓝宝石衬底)上制作化合物半导体层(第一、第二和第三化合物半导体层)，使化合物半导体层与单晶衬底之间局部具有间隔；以及借助于利用通过单晶衬底并在化合物半导体层中被吸收以熔化单晶衬底与化合物半导体之间的界面的激光束，从蓝宝石衬底侧辐照化合物半导体层，而从蓝宝石衬底清除化合物半导体层。

公开(公告)号：CN101471246A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810170558.9

申请日：2002-04-05

Applicant: 索尼株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 宫孝夫 ,  富谷茂隆 ,  碓井彰

IPC: H01L21/20 ,  C30B33/00 ,  C30B29/60

CPC classification number: H01L21/02389 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  Y10S438/94 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体衬底的制造方法，其借助于在单晶衬底上制作结晶缺陷较少的高质量化合物半导体层，并清除单晶衬底而不引起对化合物半导体层的损伤，制造了化合物半导体衬底。此方法包含下列步骤：通过晶体生长，在单晶村底(蓝宝石衬底)上制作化合物半导体层(第一、第二和第三化合物半导体层)，使化合物半导体层与单晶衬底之间局部具有间隔；以及借助于利用通过单晶衬底并在化合物半导体层中被吸收以熔化单晶衬底与化合物半导体之间的界面的激光束，从蓝宝石衬底侧辐照化合物半导体层，而从蓝宝石衬底清除化合物半导体层。