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公开(公告)号：CN111201487B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201880066098.7
申请日：2018-09-14
Applicant: 索尼公司
Inventor： 石井由威
Abstract: 调光设备700包括第一基板711、第二基板712、在第一基板上形成的第一电极731、在第一电极上形成的调光层720、至少在调光层720上形成的第二电极732、至少覆盖第二电极732并且面向第二基板712的水分保持部件741，和设置到第一基板711的边缘部分的密封部件733、734、735、736，从从水分保持部件741延伸出的水分保持部件延伸部分743安装在密封部件与第二基板712之间，并且水分保持部件延伸部分743的厚度小于在调光设备的中央部分的水分保持部件742的厚度。
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公开(公告)号：CN103069554A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201180039625.3
申请日：2011-08-10
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L21/368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0002 , H01L51/0026 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供了一种有机薄膜形成方法，能够在控制厚度和尺寸的同时轻松快速地形成单晶有机薄膜。在将有机溶液提供给由温度可控的支撑件支撑的成膜基板的一个表面（宽度较宽的溶液积蓄区以及宽度较窄并与所述溶液积蓄区连接的溶液限制区）之后，独立于所述支撑件温度可控的移动体沿所述支撑件的表面移动，同时保持与所述有机溶液接触。将所述支撑件的温度设定为位于关于所述有机溶液的溶解度曲线和超溶解度曲线之间的温度，并将所述移动体的温度设定为比溶解度曲线的温度高的一侧上的温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103633244A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310351161.0
申请日：2013-08-13
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L51/0545 , B82Y10/00 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/0041 , H01L51/0045 , H01L51/0048 , H01L51/105 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/308
Abstract: 本发明提供能够抑制有机半导体膜因应力而产生特性劣化的半导体器件及其制造方法以及电子装置，所述半导体器件包括：门电极；用于形成沟道的有机半导体膜；以及一对源漏电极，其形成于所述有机半导体膜上，所述一对源漏电极分别包括依次层叠的连接层、缓冲层及布线层。
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公开(公告)号：CN102969448A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210301902.X
申请日：2012-08-22
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L51/052 , H01L27/3274
Abstract: 本发明涉及晶体管及其制造方法以及显示器，其中该晶体管包括：控制电极；面向控制电极的有源层；电连接至有源层的第一电极和第二电极；设置在控制电极和有源层之间的绝缘层，该绝缘层包含间苯二甲酸二烯丙酯树脂。
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公开(公告)号：CN102738393A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210080761.3
申请日：2012-03-23
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L29/78606 , G02F1/1368 , G02F1/167 , G02F2202/02 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L27/3262 , H01L29/66757 , H01L51/003 , H01L51/0097 , H01L51/0512 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了薄膜器件、该薄膜器件的制造方法以及图像显示装置的制造方法。所述薄膜器件的制造方法包括以下步骤：通过涂布法在支撑基底上形成第一基板，所述第一基板是使用树脂材料形成的；通过使用热固性树脂或能量射线固化型树脂在所述第一基板上形成第二基板；在所述第二基板上形成有源元件；并且从所述第一基板去除所述支撑基底，其中，用于形成所述第一基板的树脂材料具有至少180℃的玻璃态转变温度。所述图像显示装置的制造方法包括所述薄膜器件的制造方法。因此，本发明能够在不用大型制造设备的情况下通过简单容易的工艺制造所述薄膜器件。
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公开(公告)号：CN111201487A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201880066098.7
申请日：2018-09-14
Applicant: 索尼公司
Inventor： 石井由威
Abstract: 调光设备700包括第一基板711、第二基板712、在第一基板上形成的第一电极731、在第一电极上形成的调光层720、至少在调光层720上形成的第二电极732、至少覆盖第二电极732并且面向第二基板712的水分保持部件741，和设置到第一基板711的边缘部分的密封部件733、734、735、736，从从水分保持部件741延伸出的水分保持部件延伸部分743安装在密封部件与第二基板712之间，并且水分保持部件延伸部分743的厚度小于在调光设备的中央部分的水分保持部件742的厚度。
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公开(公告)号：CN103633244B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310351161.0
申请日：2013-08-13
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L51/0545 , B82Y10/00 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/0041 , H01L51/0045 , H01L51/0048 , H01L51/105 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/308
Abstract: 本发明提供能够抑制有机半导体膜因应力而产生特性劣化的半导体器件及其制造方法以及电子装置，所述半导体器件包括：门电极；用于形成沟道的有机半导体膜；以及一对源漏电极，其形成于所述有机半导体膜上，所述一对源漏电极分别包括依次层叠的连接层、缓冲层及布线层。
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