薄膜晶体管、电子设备及其制造方法

    公开(公告)号:CN102163692A

    公开(公告)日:2011-08-24

    申请号:CN201110041020.X

    申请日:2011-02-17

    Applicant: 索尼公司

    Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管、电子设备及其制造方法。所述薄膜晶体管可以实现性能稳定。有机TFT包括:栅电极(1);活性层(3),隔着栅绝缘层(2)与所述栅电极(1)相对配置;源电极(4)和漏电极(5),它们相互分开,并且与所述活性层(3)连接。活性层(3)含有可溶性有机半导体材料和可溶性高分子材料,该可溶性高分子材料的玻璃化温度比封装工序中的最高温度高。

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