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公开(公告)号：CN103874704A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201280049303.1
申请日：2012-10-04
Applicant: 索尼公司
IPC: C07D495/22 , C07D495/16 , H01L29/786 , H01L31/10 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/42
CPC classification number: H01L51/0558 , C07D495/16 , C07D495/22 , C09B11/28 , C09B57/00 , H01L51/0058 , H01L51/0071 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , C07D493/06
Abstract: 提供了一种例如用以下结构式（1）表示的二氧杂蒽嵌蒽化合物。
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公开(公告)号：CN103430293B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201280014498.6
申请日：2012-02-23
Applicant: 索尼公司
Inventor： 小林典仁
IPC: H01L21/336 , C07D493/06 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/005 , C07D493/06 , H01L51/0003 , H01L51/0058 , H01L51/0073 , H01L51/052 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供一种可以获得充分高的载流子迁移率的有机晶体管以及其制造方法。包括通过在布置在基板上的栅极上施涂溶液统一形成栅绝缘膜和有机半导体膜，所述溶液包含聚合物和通式1所表示的化合物，栅绝缘膜含有所述聚合物，以及所述有机半导体膜包括所述化合物(其中R为氢或烷基)。
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公开(公告)号：CN105118920A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510487158.0
申请日：2011-06-24
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L51/42 , H01L51/46 , C07D493/06 , H01L27/30
CPC classification number: H01L51/0073 , C07D493/06 , C09B57/00 , H01L27/14665 , H01L27/307 , H01L51/0058 , H01L51/0068 , H01L51/0076 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/442 , Y02E10/549 , H01L27/30
Abstract: 本申请涉及光电转换元件和固体摄像装置。其中，所述光电转换元件包含：彼此分开设置的第一电极和第二电极；以及设置在所述第一电极和所述第二电极间的光电转换区。所述光电转换区包括多个层，所述多个层中的至少一个层由结构式(1)或结构式(2)所示的基于二氧杂蒽嵌蒽的化合物形成。但结构式(1)中的R3和R9中的至少一个为除氢以外的取代基，并且结构式(2)中的R1-R11中的至少一个为除氢以外的取代基。
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公开(公告)号：CN102971881A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180032858.0
申请日：2011-06-24
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L51/42 , C07D493/06 , H01L27/146
CPC classification number: H01L51/0073 , C07D493/06 , C09B57/00 , H01L27/14665 , H01L27/307 , H01L51/0058 , H01L51/0068 , H01L51/0076 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/442 , Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了具有出色灵敏度和响应性的光电转换元件，所述光电转换元件具有由有机材料组成的光电转换材料层。所公开的光电转换元件包括：（a-1）相互分开设置的第一电极（21）和第二电极（22）；以及（a-2）设置在所述第一电极（21）和所述第二电极（22）间的光电转换材料层（30）。在所述光电转换元件中，所述光电转换材料层（30）包含下文结构式（1）所示的基于二氧杂蒽嵌蒽的化合物。
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公开(公告)号：CN103430293A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280014498.6
申请日：2012-02-23
Applicant: 索尼公司
Inventor： 小林典仁
IPC: H01L21/336 , C07D493/06 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/005 , C07D493/06 , H01L51/0003 , H01L51/0058 , H01L51/0073 , H01L51/052 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供一种可以获得充分高的载流子迁移率的有机晶体管以及其制造方法。包括通过在布置在基板上的栅极上施涂溶液统一形成栅绝缘膜和有机半导体膜，所述溶液包含聚合物和通式1所表示的化合物，栅绝缘膜含有所述聚合物，以及所述有机半导体膜包括所述化合物(其中R为氢或烷基)。
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公开(公告)号：CN103069554A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201180039625.3
申请日：2011-08-10
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L21/368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0002 , H01L51/0026 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供了一种有机薄膜形成方法，能够在控制厚度和尺寸的同时轻松快速地形成单晶有机薄膜。在将有机溶液提供给由温度可控的支撑件支撑的成膜基板的一个表面（宽度较宽的溶液积蓄区以及宽度较窄并与所述溶液积蓄区连接的溶液限制区）之后，独立于所述支撑件温度可控的移动体沿所述支撑件的表面移动，同时保持与所述有机溶液接触。将所述支撑件的温度设定为位于关于所述有机溶液的溶解度曲线和超溶解度曲线之间的温度，并将所述移动体的温度设定为比溶解度曲线的温度高的一侧上的温度。
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公开(公告)号：CN101941985A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010217003.2
申请日：2010-06-24
Applicant: 索尼公司
Inventor： 小林典仁
IPC: C07D519/00 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/006 , C07D493/06 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1088 , H01L51/0073 , H01L51/0558 , H05B33/10
Abstract: 本发明公开了一种结构式(1)的蒽嵌蒽类化合物以及包括由这样的蒽嵌蒽类化合物构成的半导体层的半导体装置：其中X表示第16族的元素；n表示0至20的整数；m表示1至9的整数；A部中与B部的键合位置、B部中与A部的键合位置、B部中与C部的键合位置、以及C部中与B部的键合位置是从1位至5位和从7位至11位中的至少一个；取代基R1、R2、R3、R4、R5、R7、R8、R9、R10和R11中的每一个独立地表示，例如选自由氢原子、烷基、芳基、芳烷基等组成的组中的一种的取代基。
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公开(公告)号：CN105118920B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201510487158.0
申请日：2011-06-24
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L51/42 , H01L51/46 , C07D493/06 , H01L27/30
CPC classification number: H01L51/0073 , C07D493/06 , C09B57/00 , H01L27/14665 , H01L27/307 , H01L51/0058 , H01L51/0068 , H01L51/0076 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/442 , Y02E10/549
Abstract: 本申请涉及光电转换元件和固体摄像装置。其中，所述光电转换元件包含：彼此分开设置的第一电极和第二电极；以及设置在所述第一电极和所述第二电极间的光电转换区。所述光电转换区包括多个层，所述多个层中的至少一个层由结构式(1)或结构式(2)所示的基于二氧杂蒽嵌蒽的化合物形成。但结构式(1)中的R3和R9中的至少一个为除氢以外的取代基，并且结构式(2)中的R1‑R11中的至少一个为除氢以外的取代基。
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公开(公告)号：CN102971881B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201180032858.0
申请日：2011-06-24
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L51/42 , C07D493/06 , H01L27/146
CPC classification number: H01L51/0073 , C07D493/06 , C09B57/00 , H01L27/14665 , H01L27/307 , H01L51/0058 , H01L51/0068 , H01L51/0076 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/442 , Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了具有出色灵敏度和响应性的光电转换元件，所述光电转换元件具有由有机材料组成的光电转换材料层。所公开的光电转换元件包括：（a-1）相互分开设置的第一电极（21）和第二电极（22）；以及（a-2）设置在所述第一电极（21）和所述第二电极（22）间的光电转换材料层（30）。在所述光电转换元件中，所述光电转换材料层（30）包含下文结构式（1）所示的基于二氧杂蒽嵌蒽的化合物。
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公开(公告)号：CN103348485A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201280007972.2
申请日：2012-03-07
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L29/786 , H01B5/14 , H01B12/06 , H01L21/28
CPC classification number: H01L51/0512 , H01L51/0012 , H01L51/0541 , H01L51/102
Abstract: 为了提供一种有机分子结晶层的接合方法以及为了提供一种使用所述接合方法来制造有机元件的方法，所述接合方法能够通过控制所述有机分子结晶层的取向将所述有机分子结晶层接合至电极。在绝缘基体（11）上形成电极（12）和包含芳香族化合物且要被接合至所述电极（12）的有机分子结晶层（13）的情况下，通过控制所述电极（12）的侧表面（12a）相对于所述绝缘基体（11）的主表面的倾斜角度来控制所述有机分子结晶层（13）相对于所述电极（12）的取向。所述电极（12）的所述侧表面可以被形成为包含具有互不相同的倾斜角度的多个表面。
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