公开(公告)号：CN106952967A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201611115520.2

申请日：2016-12-07

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 桑泽和伸 ,  佐久间盛敬 ,  新田博明 ,  関泽充生 ,  远藤刚廣

IPC: H01L29/92 ,  H01L29/94 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/761 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L27/0676 ,  H01L27/0814 ,  H01L27/0821 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66106 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/732 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/866 ,  H01L29/94 ,  H01L29/92

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置混装有具有所需的击穿电压的齐纳二极管或减少了电容的电压依赖性的电容器，从而能够实现多样的电路。该半导体装置具备：半导体层；第一导电型的阱，其被配置在半导体层的第一区域内；第一导电型的第一杂质扩散区，其被配置在阱中；第一导电型的第二杂质扩散区，其被配置在半导体层的第二区域内；绝缘膜，其被配置在第二杂质扩散区上；电极，其被配置在绝缘膜上；第二导电型的第三杂质扩散区，其被配置在至少第一杂质扩散区上。

公开(公告)号：CN107833896A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710804655.8

申请日：2017-09-08

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 桑泽和伸 ,  关泽充生 ,  中村纪元

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

CPC classification number: H01L27/14678 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明提供固体摄像装置和电子设备。固体摄像装置具有：配置在半导体衬底上的受光元件、电荷保持区域以及浮置扩散区域；第1传输门，其在受光元件与电荷保持区域之间；第2传输门，其在电荷保持区域与浮置扩散区域之间，布线层，其包括隔着多个层间绝缘膜配置在半导体衬底上的布线；以及遮光膜，其相对于布线层配置在半导体衬底侧，对电荷保持区域进行遮光。

公开(公告)号：CN107017291A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611116192.8

申请日：2016-12-07

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 桑泽和伸 ,  佐久间盛敬 ,  新田博明 ,  関泽充生 ,  远藤刚廣

IPC: H01L29/735 ,  H01L29/866 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L27/0814 ,  H01L27/0821 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66106 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/732 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/866 ,  H01L29/94 ,  H01L29/0619

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，其混装有多个不同种类的电路元件从而实现多样的电路。该半导体装置具备：第一导电型的半导体基板；配置在半导体基板中的第二导电型的第一及第二埋入扩散层；配置在半导体基板上的半导体层；配置在半导体层中且在第一埋入扩散层上于俯视观察时包围半导体层的第一区域的第二导电型的第一杂质扩散区；配置在半导体层的第二埋入扩散层上的第二导电型的第二杂质扩散区；配置在半导体层的第一区域内的第二导电型的第一阱；配置在半导体层中与第二杂质扩散区相接的第二区域内的第一导电型的第二阱；配置在第一阱中的第一导电型的第三及第四杂质扩散区；配置在第二阱中的第一导电型的第五杂质扩散区。

公开(公告)号：CN107017291B

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN201611116192.8

申请日：2016-12-07

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 桑泽和伸 ,  佐久间盛敬 ,  新田博明 ,  関泽充生 ,  远藤刚廣

IPC: H01L29/735 ,  H01L29/866 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，其混装有多个不同种类的电路元件从而实现多样的电路。该半导体装置具备：第一导电型的半导体基板；配置在半导体基板中的第二导电型的第一及第二埋入扩散层；配置在半导体基板上的半导体层；配置在半导体层中且在第一埋入扩散层上于俯视观察时包围半导体层的第一区域的第二导电型的第一杂质扩散区；配置在半导体层的第二埋入扩散层上的第二导电型的第二杂质扩散区；配置在半导体层的第一区域内的第二导电型的第一阱；配置在半导体层中与第二杂质扩散区相接的第二区域内的第一导电型的第二阱；配置在第一阱中的第一导电型的第三及第四杂质扩散区；配置在第二阱中的第一导电型的第五杂质扩散区。

公开(公告)号：CN107359171A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710220833.2

申请日：2017-04-06

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 桑泽和伸 ,  中村纪元 ,  关泽充生

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1461 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14612

Abstract: 固体摄像装置。该固体摄像装置的电荷传输路径的从传输晶体管的光电二极管到浮置扩散区的电势分布的同一性提高。该固体摄像装置具有：第1传输晶体管，其包含第1光电二极管、第1栅电极和第1浮置扩散区；第2传输晶体管，其包含第2光电二极管、第2栅电极和第2浮置扩散区；第3传输晶体管，其包含第3光电二极管、第3栅电极和第3浮置扩散区；以及复位晶体管，其包含源或漏区域的扩散层和复位栅极。第1～第3浮置扩散区和复位晶体管的扩散层相互分开，并经由布线而相互电连接。第1～第3光电二极管呈一维状地排列。

公开(公告)号：CN107068673A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611160829.3

申请日：2016-12-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 新田博明 ,  桑泽和伸

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L21/283 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/66106 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/866 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0684

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具备：P型的半导体基板；配置在半导体基板中的N型的多个埋入扩散层；配置在第一埋入扩散层上的第一区域内的N型的第一半导体层；配置在第二埋入扩散层上的第二区域内的N型的第二半导体层；在第一埋入扩散层上于俯视观察时包围第一区域的N型的第一杂质扩散区；配置在第二半导体层中的P型的第二杂质扩散区；配置在第二半导体层中的N型的第三杂质扩散区；配置在第一半导体层中的N型的第四杂质扩散区，第二区域为，与第二埋入扩散层相接并且具有高于第二半导体层的杂质浓度的N型的杂质扩散区的禁止配置区。

公开(公告)号：CN106531754A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610809330.4

申请日：2016-09-07

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 関泽充生 ,  桑泽和伸 ,  中村纪元 ,  远藤刚廣

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14616 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明涉及一种固态摄像元件及其制造方法以及电子设备。该固态摄像元件具备：半导体层，其为第一导电型；栅极绝缘膜，其位于半导体层上；栅电极，其位于栅极绝缘膜上；第一杂质区，其为第二导电型，且至少位于在俯视观察时与栅电极的第一端部相比靠外侧的半导体层内；第二杂质区，其为第二导电型，且至少位于在俯视观察时与栅电极的对置于第一端部的第二端部相比靠外侧的半导体层内；第三杂质区，其为第一导电型，且在俯视观察时从栅电极的第二端部分离且位于半导体层内的第二杂质区的上层内，并与第二杂质区相接。

公开(公告)号：CN107359171B

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN201710220833.2

申请日：2017-04-06

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 桑泽和伸 ,  中村纪元 ,  关泽充生

IPC: H01L27/146

Abstract: 固体摄像装置。该固体摄像装置的电荷传输路径的从传输晶体管的光电二极管到浮置扩散区的电势分布的同一性提高。该固体摄像装置具有：第1传输晶体管，其包含第1光电二极管、第1栅电极和第1浮置扩散区；第2传输晶体管，其包含第2光电二极管、第2栅电极和第2浮置扩散区；第3传输晶体管，其包含第3光电二极管、第3栅电极和第3浮置扩散区；以及复位晶体管，其包含源或漏区域的扩散层和复位栅极。第1～第3浮置扩散区和复位晶体管的扩散层相互分开，并经由布线而相互电连接。第1～第3光电二极管呈一维状地排列。

公开(公告)号：CN106952967B

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN201611115520.2

申请日：2016-12-07

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 桑泽和伸 ,  佐久间盛敬 ,  新田博明 ,  関泽充生 ,  远藤刚廣

IPC: H01L29/92 ,  H01L29/94 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置混装有具有所需的击穿电压的齐纳二极管或减少了电容的电压依赖性的电容器，从而能够实现多样的电路。该半导体装置具备：半导体层；第一导电型的阱，其被配置在半导体层的第一区域内；第一导电型的第一杂质扩散区，其被配置在阱中；第一导电型的第二杂质扩散区，其被配置在半导体层的第二区域内；绝缘膜，其被配置在第二杂质扩散区上；电极，其被配置在绝缘膜上；第二导电型的第三杂质扩散区，其被配置在至少第一杂质扩散区上。

公开(公告)号：CN107845654A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201710833091.0

申请日：2017-09-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 桑泽和伸 ,  中村纪元 ,  关泽充生

IPC: H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14616 ,  H04N5/335 ,  H04N5/37452 ,  H04N5/37457 ,  H04N5/379 ,  H01L27/148 ,  H01L27/14831

Abstract: 本发明提供固体摄像装置和电子设备。该固体摄像装置构成为，具有：配置在半导体衬底上的受光元件、电荷保持区域以及浮置扩散区域；第1传输门；以及第2传输门，将如下电势梯度施加给电荷保持区域：通过第1传输门从受光元件传输到电荷保持区域的信号电荷在第2传输门侧分布得比第1传输门侧多。