公开(公告)号：CN106373972B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN201610580088.8

申请日：2016-07-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 関泽充生 ,  桑沢和伸 ,  中村纪元 ,  远藤刚廣

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种固态成像元件及其制造方法。所述固态成像元件具备：第一导电型的半导体层；栅极绝缘膜，其位于半导体层上；栅电极，其位于栅极绝缘膜上；第二导电型的第一杂质区域，其位于半导体层内，并且至少位于在俯视观察时与栅电极的第一端部相比靠外侧的区域内；第二导电型的第二杂质区域，其位于半导体层内，并且位于在俯视观察时与栅电极的对置于第一端部的第二端部相比靠外侧以及内侧的区域内；第一导电型的第三杂质区域，其位于半导体层内，并且位于在俯视观察时与栅电极的第二端部相比靠外侧的第二杂质区域的上层，且与第二杂质区域相接。

公开(公告)号：CN105990389A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610151117.9

申请日：2016-03-16

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 桑沢和伸 ,  中村纪元 ,  関泽充生 ,  远藤刚廣

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/266 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/36 ,  H04N5/335 ,  H01L27/14679

Abstract: 本发明涉及一种固态成像元件及其制造方法。所述固态成像元件包括：P阱(12)；栅极绝缘膜(19)；栅电极(20)；P+型的钉扎层(22)，其位于与所述栅电极的第一端部(20a)相比靠外侧的P阱内；P－型杂质区域(17)，其至少位于与栅电极的第一端部相比靠内侧的P阱内，且与钉扎层相接；N‑型杂质区域(15a)，其位于钉扎层以及P‑型杂质区域(17)的下方的所述半导体层内；N‑‑型杂质区域(15)，其与栅极绝缘膜及P‑型杂质区域(17)分别相接，且在俯视观察时位于N‑型杂质区域(15a)的周围。

公开(公告)号：CN105633106A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510825492.2

申请日：2015-11-24

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 中村纪元

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明所涉及一种固态成像装置及其制造方法。所涉及的固态成像装置(100)包括：第一导电型阱(20)；第一的第二导电型扩散层(30)，其被设置于第一导电型阱(20)中，并通过被照射光而产生载流子；第二的第二导电型扩散层(34)，其被设置于第一导电型阱(20)中，在第一的第二导电型扩散层(30)中所产生的载流子向第二的第二导电型扩散层(34)被传送并被蓄积在第二的第二导电型扩散层(34)中；第一的第一导电型扩散层(40)，其被设置于第二的第二导电型扩散层(34)之下，第二的第二导电型扩散层(34)的杂质浓度高于第一的第二导电型扩散层(30)的杂质浓度，第一的第一导电型扩散层(40)的杂质浓度低于第一导电型阱(20)的杂质浓度。

公开(公告)号：CN105466559A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510808306.4

申请日：2012-03-16

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 中村纪元

IPC: G01J3/02 ,  G01J3/36

CPC classification number: G02B5/20 ,  G01J3/0205 ,  G01J3/0256 ,  G01J3/0289 ,  G01J3/28 ,  G01J3/36 ,  G01J2003/1226 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14623

Abstract: 本发明涉及分光传感器以及角度限制滤光器，所述角度限制滤光器包括：第一遮光层，其包含第一遮光性材料，且设置有第一开口部；第二遮光层，其包含第二遮光性材料，且位于至少部分包围第一遮光层的区域内；第三遮光层，其包含第一遮光性材料，且设置有至少部分与第一开口部重合的第二开口部，并且位于第一遮光层的上方；第四遮光层，其包含第二遮光性材料，并且位于至少部分包围第三遮光层的区域内且第二遮光层的上方。

公开(公告)号：CN104078476A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410123124.9

申请日：2014-03-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 中村纪元 ,  花冈辉直 ,  矢野邦彦

IPC: H01L27/146 ,  G01J3/36 ,  G01J3/02

CPC classification number: H01L31/02165 ,  A61B5/14552 ,  A61B2562/0238 ,  A61B2562/046 ,  A61B2562/12 ,  A61B2562/164 ,  H01L31/02024

Abstract: 本发明提供一种光谱传感器及其制造方法。该制造方法包括：在半导体基板上形成受光元件的工序（a）；在半导体基板之上形成角度限制滤波器的工序（b）；在角度限制滤波器之上形成光谱滤波器的工序（c）。形成光谱滤波器的工序（c）包括如下工序：工序（c1），通过剥离法而形成第一透光膜，所述第一透光膜具有在俯视观察半导体基板时与遮光部重叠的边缘部；工序（c2），通过剥离法而在俯视观察半导体基板时远离第一透光膜的位置处形成第二透光膜，所述第二透光膜具有在俯视观察半导体基板时与遮光部重叠的边缘部。

公开(公告)号：CN105990388B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201610150684.2

申请日：2016-03-16

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 桑沢和伸 ,  中村纪元 ,  関泽充生 ,  远藤刚廣

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明涉及一种固态成像元件及其制造方法。所述固态成像元件包括：P阱(12)；栅极绝缘膜(19)；栅电极(20)；P+型的钉扎层(22)，其位于与所述栅电极的第一端部(20a)相比靠外侧的P阱内；P－型杂质区域(17)，其至少位于与栅电极的第一端部相比靠内侧的P阱内，且与钉扎层相接；N－型杂质区域(15a)，其与P－型杂质区域(17)相接且与栅极绝缘膜相接；N－－型杂质区域(15)，其在俯视观察时包围N－型杂质区域(15a)的至少一部分。

公开(公告)号：CN105633106B

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201510825492.2

申请日：2015-11-24

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 中村纪元

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明所涉及一种固态成像装置及其制造方法。所涉及的固态成像装置(100)包括：第一导电型阱(20)；第一的第二导电型扩散层(30)，其被设置于第一导电型阱(20)中，并通过被照射光而产生载流子；第二的第二导电型扩散层(34)，其被设置于第一导电型阱(20)中，在第一的第二导电型扩散层(30)中所产生的载流子向第二的第二导电型扩散层(34)被传送并被蓄积在第二的第二导电型扩散层(34)中；第一的第一导电型扩散层(40)，其被设置于第二的第二导电型扩散层(34)之下，第二的第二导电型扩散层(34)的杂质浓度高于第一的第二导电型扩散层(30)的杂质浓度，第一的第一导电型扩散层(40)的杂质浓度低于第一导电型阱(20)的杂质浓度。

公开(公告)号：CN107833896A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710804655.8

申请日：2017-09-08

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 桑泽和伸 ,  关泽充生 ,  中村纪元

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

CPC classification number: H01L27/14678 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明提供固体摄像装置和电子设备。固体摄像装置具有：配置在半导体衬底上的受光元件、电荷保持区域以及浮置扩散区域；第1传输门，其在受光元件与电荷保持区域之间；第2传输门，其在电荷保持区域与浮置扩散区域之间，布线层，其包括隔着多个层间绝缘膜配置在半导体衬底上的布线；以及遮光膜，其相对于布线层配置在半导体衬底侧，对电荷保持区域进行遮光。

公开(公告)号：CN105990387A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610134503.7

申请日：2016-03-09

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 桑沢和伸 ,  中村纪元 ,  関泽充生 ,  远藤刚廣

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明为一种固体摄像元件，其包括：P阱(12)；栅绝缘膜(19)；栅电极(20)；P+型的引脚层(22)，其位于与所述栅电极的第一端部(20a)相比靠外侧的P阱中；P‑型杂质区域(17)，其至少位于与栅电极的第一端部相比靠内侧的所述P阱中，且与所述引脚层接触；N‑型杂质区域(15)，其位于所述引脚层以及所述P‑型杂质区域下方的所述P阱中，且在与所述P‑型杂质区域接触的同时与所述栅绝缘膜接触；N+型杂质区域(24)，其位于所述栅电极的第二端部(20b)的下方的所述P阱中。

公开(公告)号：CN105390514A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510531863.6

申请日：2015-08-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 中村纪元

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明涉及一种固态成像装置及其制造方法。本发明的一个方式为一种固态成像装置，其具备：P型阱(12)；被形成在P型阱(12)中的N型低浓度扩散层(18)，被形成在N型低浓度扩散层(18)的表面上的P型表面扩散层(16)，被形成在N型低浓度扩散层(18)的侧面与P型阱(12)的边界处的P型高浓度阱(15)。