半导体晶片的再生方法和研磨用组合物

    公开(公告)号:CN102725374B

    公开(公告)日:2016-04-27

    申请号:CN201180007110.5

    申请日:2011-01-21

    Abstract: 提供一种研磨用组合物,其用于研磨半导体晶片表面以将具有台阶的半导体的表面平坦化并且由此再生所述半导体晶片。所述研磨用组合物至少包括台阶消除剂,所述台阶消除剂吸附至半导体晶片表面并且起到防止在研磨期间蚀刻在所述表面上的台阶底部的作用。所述台阶消除剂为,例如,水溶性高分子或表面活性剂,更具体地,聚乙烯醇类、聚乙烯吡咯烷酮类、聚乙二醇类、纤维素类、羧酸型表面活性剂、磺酸型表面活性剂、磷酸酯型表面活性剂或氧化烯类聚合物。

    研磨方法和合金材料的制造方法

    公开(公告)号:CN104684684A

    公开(公告)日:2015-06-03

    申请号:CN201380051652.1

    申请日:2013-10-01

    CPC classification number: B24B37/015

    Abstract: 研磨方法使用研磨垫和向研磨垫供给的研磨用组合物研磨合金材料。研磨用组合物含有包含二氧化硅或氧化铝的研磨材料,研磨结束时的研磨垫的表面温度为20℃以下。合金材料的制造方法具有使用研磨垫和向研磨垫供给的研磨用组合物研磨合金材料的研磨工序。研磨用组合物含有包含二氧化硅或氧化铝的研磨材料,研磨结束时的研磨垫的表面温度为20℃以下。

    钛合金材料研磨用组合物

    公开(公告)号:CN106574170A

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201580042530.5

    申请日:2015-05-01

    CPC classification number: B24B37/24 B24B37/00 B24B37/044 C09G1/02 C09K3/1463

    Abstract: [课题]本发明提供能够以高的研磨速度对钛合金材料进行研磨,并且研磨后能够得到表面的平滑性优异、具有高光泽的表面的研磨完的钛合金材料的钛合金材料研磨用组合物。[解决手段]一种钛合金材料研磨用组合物,其用于对钛合金材料进行研磨,所述钛合金材料研磨用组合物含有如下的化合物及磨粒,所述化合物具有以比钛高的溶解度使相对于前述钛合金材料的总质量以大于0.5质量%的含量存在的、除钛以外的金属元素的至少1种溶解的功能。

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