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    研磨用组合物
    1.
    发明公开
    研磨用组合物 无效

    公开(公告)号：CN105018030A

    公开(公告)日：2015-11-04

    申请号：CN201510176717.6

    申请日：2015-04-14

    Applicant: 福吉米株式会社

    Inventor： 浅野宏 ,  浅井舞子 ,  森永均 ,  玉井一诚

    IPC: C09K3/14 ,  B24B37/04

    CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B1/00

    Abstract: 本发明提供一种研磨用组合物，其在对表面包含合金材料和树脂、且前述合金材料的面积相对于前述研磨面积整体之比处于特定范围的基板进行研磨时，降低合金材料的研磨速度与树脂的研磨速度之差，可以以高研磨速度一同研磨合金材料和树脂，进而，研磨后的基板表面的平滑性优异，可以得到具有高光泽的表面的基板。一种研磨用组合物，其用于研磨表面包含合金材料和树脂、且前述合金材料的面积相对于研磨面积整体之比为60～95％的基板的用途，其中，所述研磨用组合物包含基于体积基准的粒度分布的累积50％粒径(D50)为5.0μm以上的结晶性磨粒、和酸或其盐、和水溶性高分子。

    研磨用组合物
    2.
    发明公开
    研磨用组合物 无效

    公开(公告)号：CN103958123A

    公开(公告)日：2014-07-30

    申请号：CN201280054514.4

    申请日：2012-11-06

    Applicant: 福吉米株式会社

    Inventor： 森永均 ,  浅野宏 ,  芹川雅之

    IPC: B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

    CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

    Abstract: 本发明提供至少含有水和二氧化硅、且满足以下a)～d)的所有条件的研磨用组合物。a)研磨用组合物中所含的二氧化硅的比表面积为30m2/g以上。b)含有2质量％以上具有10nm以上且50nm以下的粒径的二氧化硅。c)含有2质量％以上具有60nm以上且300nm以下的粒径的二氧化硅。d)前述c)中所述的二氧化硅的平均粒径除以前述b)中所述的二氧化硅的平均粒径而得到的值为2以上。若使用该研磨用组合物，则能够在高速下研磨硬脆材料基板。进而，即使反复使用该研磨用组合物，也能长时间维持其研磨速度。

    抛光组合物
    3.
    发明公开
    抛光组合物 失效

    公开(公告)号：CN101253606A

    公开(公告)日：2008-08-27

    申请号：CN200680031675.6

    申请日：2006-09-01

    Applicant: 福吉米株式会社

    Inventor： 吴俊辉 ,  浅野宏 ,  崛和伸

    IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  B24B37/00

    CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

    Abstract: 一种抛光组合物包含保护膜形成剂，氧化剂，以及蚀刻剂。保护膜形成剂包含苯并三唑和苯并三唑衍生物中的至少一种化合物，以及通式ROR’COOH和通式ROR’OPO3H2表示的化合物中的至少一种化合物，其中R表示烷基或烷代苯基，R’表示聚氧乙烯基或聚氧丙烯基或聚(氧乙烯/氧丙烯)基。抛光组合物的pH值等于或大于8。所述抛光组合物适合在形成半导体器件线路的抛光中使用。

    抛光组合物及利用该组合物的抛光方法
    6.
    发明公开
    抛光组合物及利用该组合物的抛光方法 有权

    公开(公告)号：CN102190963A

    公开(公告)日：2011-09-21

    申请号：CN201110066020.5

    申请日：2011-03-08

    Applicant: 福吉米株式会社

    Inventor： 森永均 ,  玉井一诚 ,  浅野宏

    IPC: C09G1/02 ,  B24B1/00

    CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463

    Abstract: 本发明涉及一种抛光组合物，该抛光组合物至少包含磨粒和水，并且用于对被抛光物体进行抛光。对磨粒进行选择以满足关系X1×Y1≤0和关系X2×Y2＞0，其中X1[mV]代表利用抛光组合物对所述物体进行抛光期间所测量的磨粒的ζ电位，Y1[mV]代表在利用抛光组合物对所述物体进行抛光期间所测量的被抛光物体的ζ电位，X2[mV]代表在抛光后清洗被抛光物体期间所测量的磨粒的ζ电位，Y2[mV]代表在抛光后清洗所述物体期间所测量的该物体的ζ电位。优选地，磨粒是由氧化硅、氧化铝、氧化铈、氧化锆、碳化硅、或者金刚石构成。优选地，被抛光物体是由含镍合金、氧化硅、或者氧化铝构成。

    抛光组合物
    7.
    发明公开
    抛光组合物 有权

    公开(公告)号：CN101253607A

    公开(公告)日：2008-08-27

    申请号：CN200680031676.0

    申请日：2006-09-01

    Applicant: 福吉米株式会社

    Inventor： 平野达彦 ,  浅野宏 ,  堀和伸

    IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

    Abstract: 一种抛光组合物，包含6元环骨架的三唑、水溶性聚合物、氧化剂和抛光粉。三唑的6元环骨架中具有疏水官能团。抛光组合物中三唑的含量为等于或小于3g/L。抛光组合物的pH值等于或大于7。所述抛光组合物适合在形成半导体器件线路的抛光中使用。

    钛合金材料研磨用组合物
    9.
    发明公开
    钛合金材料研磨用组合物 无效

    公开(公告)号：CN106574170A

    公开(公告)日：2017-04-19

    申请号：CN201580042530.5

    申请日：2015-05-01

    Applicant: 福吉米株式会社

    Inventor： 浅井舞子 ,  玉井一诚 ,  森永均 ,  浅野宏

    IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02

    CPC classification number: B24B37/24 ,  B24B37/00 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

    Abstract: [课题]本发明提供能够以高的研磨速度对钛合金材料进行研磨，并且研磨后能够得到表面的平滑性优异、具有高光泽的表面的研磨完的钛合金材料的钛合金材料研磨用组合物。[解决手段]一种钛合金材料研磨用组合物，其用于对钛合金材料进行研磨，所述钛合金材料研磨用组合物含有如下的化合物及磨粒，所述化合物具有以比钛高的溶解度使相对于前述钛合金材料的总质量以大于0.5质量％的含量存在的、除钛以外的金属元素的至少1种溶解的功能。

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