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公开(公告)号：CN101177592B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200710194162.3
申请日：2004-09-30
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/18
CPC classification number: C23F3/04 , C09G1/02 , C09G1/18 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明的抛光组合物，用于形成半导体器件的配线的抛光，它含有特定的表面活性剂、氧化硅、选自羧酸及α-氨基酸中的至少一种、防腐蚀剂、氧化剂、水。使用该抛光组合物可抑制凹陷的发生。
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公开(公告)号：CN100536081C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200680031675.6
申请日：2006-09-01
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , B24B37/00
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 一种抛光组合物包含保护膜形成剂，氧化剂，以及蚀刻剂。保护膜形成剂包含：苯并三唑和苯并三唑衍生物中的至少一种化合物，其在抛光组合物中的含量大于等于0.001g/L且小于等于1g/L；以及通式ROR’COOH和通式ROR’OPO3H2表示的化合物中的至少一种化合物，其在抛光组合物中的含量大于等于0.05g/L且小于等于50g/L，其分子量大于等于200，亲水/亲油平衡值大于等于10且小于等于16，其中R表示烷基或烷代苯基，R’表示聚氧乙烯基或聚氧丙烯基或聚(氧乙烯/氧丙烯)基。抛光组合物的pH值等于或大于8。所述抛光组合物适合在形成半导体器件线路的抛光中使用。
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公开(公告)号：CN101177592A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710194162.3
申请日：2004-09-30
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/18 , H01L21/304
CPC classification number: C23F3/04 , C09G1/02 , C09G1/18 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明的抛光组合物，用于形成半导体器件的配线的抛光，它含有特定的表面活性剂、氧化硅、选自羧酸及α－氨基酸中的至少一种、防腐蚀剂、氧化剂、水。使用该抛光组合物可抑制凹陷的发生。
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公开(公告)号：CN1860592A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200480028200.2
申请日：2004-09-30
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/7684
Abstract: 在为去除位于沟槽(13)外部的导体膜(15)部分而进行的化学机械研磨中，使用第1研磨用组合物。在为去除位于沟槽外部的导体膜部分的残留部分及位于沟槽外部的屏蔽膜部分而进行的化学机械研磨中，使用第2研磨用组合物。第1研磨用组合物含有特定的表面活性剂、硅氧化物、羧酸、防腐蚀剂、氧化剂和水。第2研磨用组合物含有胶体二氧化硅、防腐蚀剂、完全皂化型聚乙烯醇和水。
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公开(公告)号：CN1837319A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200510062405.9
申请日：2005-03-22
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C23F3/06
Abstract: 本发明的抛光用组合物具有表面阶差抑制剂、二氧化硅、酸、氧化剂以及水。表面阶差抑制剂，例如至少是从贮备多糖类以及细胞多糖类选择的一种。二氧化硅例如是胶体二氧化硅、气相二氧化硅或沉淀二氧化硅。酸例如是至少从硝酸、盐酸、硫酸、乳酸、醋酸、草酸、柠檬酸、苹果酸、琥珀酸、酪酸以及丙二酸中选择的一种。氧化剂例如是过氧化氢、过硫酸盐、过草酸盐、过盐酸盐、硝酸盐或氧化性金属盐。此抛光用组合物能够适用于形成半导体器件的配线用抛光上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1769006A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510119396.2
申请日：2005-11-04
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: B24B1/00 , B24B37/00 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/7684 , H01L21/02074 , H01L21/3212
Abstract: 一种用于化学和机械抛光对象物以形成半导体装置线路的方法，其包括：通过化学和机械抛光除去部分导电层外侧部以显露阻挡层的上表面；以及在除去部分导电层外侧部之后，通过化学和机械抛光除去导电层外侧部的剩余部分和阻挡层外侧部以显露绝缘层的上表面。当除去部分导电层外侧部时，使用包含成膜剂的第一种抛光组合物化学和机械抛光对象物的上表面。随后，清洗被化学和机械抛光的对象物的上表面，从而除去由第一种抛光组合物中的成膜剂在导电层的上表面形成的保护膜。然后，使用包含成膜剂的第二种抛光组合物再次化学和机械抛光对象物的上表面。这样，就很好地形成了半导体装置线路。
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公开(公告)号：CN1616575A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410083441.9
申请日：2004-09-30
Applicant: 福吉米株式会社
CPC classification number: H01L21/7684 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/04 , H01L21/3212
Abstract: 本发明的抛光组合物，用于形成半导体器件的配线的抛光，它含有特定的表面活性剂、氧化硅、选自羧酸及α－氨基酸中的至少一种、防腐蚀剂、氧化剂、水。使用该抛光组合物可抑制凹陷的发生。
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公开(公告)号：CN101215447B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200710199423.0
申请日：2004-09-30
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/18 , H01L21/304
CPC classification number: C23F3/04 , C09G1/02 , C09G1/18 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明的抛光组合物，用于形成半导体器件的配线的抛光，它含有特定的表面活性剂、氧化硅、选自羧酸及α-氨基酸中的至少一种、防腐蚀剂、氧化剂、水。使用该抛光组合物可抑制凹陷的发生。
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公开(公告)号：CN1837319B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200510062405.9
申请日：2005-03-22
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C23F3/06
Abstract: 本发明的抛光用组合物具有：含量为0.001质量％以上、30质量％以下的表面阶差抑制剂、含量为0.01质量％以上、20质量％以下的二氧化硅、含量为0.01质量％以上、30质量％以下的酸、含量为0.01质量％以上、20质量％以下的氧化剂、含量为0.001质量％以上、不到0.5质量％的防腐蚀剂以及水。表面阶差抑制剂，例如至少是从贮备多糖类以及细胞多糖类选择的一种。二氧化硅例如是胶体二氧化硅、气相二氧化硅或沉淀二氧化硅。酸例如是至少从硝酸、盐酸、硫酸、乳酸、醋酸、草酸、柠檬酸、苹果酸、琥珀酸、酪酸以及丙二酸中选择的一种。氧化剂例如是过氧化氢、过硫酸盐、过草酸盐、过盐酸盐、硝酸盐或氧化性金属盐。此抛光用组合物能够适用于形成半导体器件的配线用抛光上。
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公开(公告)号：CN101638556B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200910165248.2
申请日：2005-03-22
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明的抛光用组合物合适地使用在形成半导体器件的导体配线用的抛光上。该抛光用组合物含有：作为磨料的二氧化硅、选自多糖类及聚乙烯醇中的至少一种的抑制降低剂，作为螯合剂的α-氨基酸、防腐剂和氧化剂，抛光用组合物中的所述抑制降低剂的含量为0.01～5质量％，抛光用组合物中的所述防腐剂的含量为0.0001～0.02质量％。
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