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公开(公告)号：CN101638556B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200910165248.2
申请日：2005-03-22
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明的抛光用组合物合适地使用在形成半导体器件的导体配线用的抛光上。该抛光用组合物含有：作为磨料的二氧化硅、选自多糖类及聚乙烯醇中的至少一种的抑制降低剂，作为螯合剂的α-氨基酸、防腐剂和氧化剂，抛光用组合物中的所述抑制降低剂的含量为0.01～5质量％，抛光用组合物中的所述防腐剂的含量为0.0001～0.02质量％。
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公开(公告)号：CN1837320B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200510062406.3
申请日：2005-03-22
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 一种形成半导体器件的导体配线的方法，其特征在于，该方法具有：准备具备阻挡层和导体层的抛光对象物的工序、和通过抛光去除位于沟槽之外的导体层部分和阻挡层部分的工序，所述阻挡层设置在具有沟槽的绝缘层之上，所述导体层设置在阻挡层之上，所述阻挡层及所述导体层分别具有位于沟槽之外的部分及位于沟槽中的部分，所述通过抛光去除位于沟槽之外的导体层部分和阻挡层部分的工序具有：为去除位于沟槽之外的导体层部分的一部分，使用第1抛光用组合物对抛光对象物进行抛光的工序、使用第1抛光用组合物进行抛光之后，为去除位于沟槽之外的导体层部分的另一部分，用含有防腐剂的第2抛光用组合物对抛光对象物进行抛光的工序、和使用第2抛光用组合物进行抛光之后，为去除位于沟槽之外的导体层部分的残部以及位于沟槽之外的阻挡层部分，用含有防腐剂的第3抛光用组合物对抛光对象物进行抛光的工序，所述第1抛光用组合物含有由选自多糖类及聚乙烯醇中的至少一种构成的抑制降低剂、磨料以及水。
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公开(公告)号：CN101215447A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200710199423.0
申请日：2004-09-30
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/18 , H01L21/304
CPC classification number: C23F3/04 , C09G1/02 , C09G1/18 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明的抛光组合物，用于形成半导体器件的配线的抛光，它含有特定的表面活性剂、氧化硅、选自羧酸及α－氨基酸中的至少一种、防腐蚀剂、氧化剂、水。使用该抛光组合物可抑制凹陷的发生。
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公开(公告)号：CN1837320A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200510062406.3
申请日：2005-03-22
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明的抛光用组合物，合适地使用在形成半导体器件的导体配线用的抛光上。该抛光用组合物含有抑制抛光用组合物的抛光能力降低的抑制降低剂、磨料以及水。抑制降低剂是选自多糖类及聚乙烯醇中的至少一种。多糖类理想的是淀粉、支链淀粉、糖原、纤维素、果胶、半纤维素、茁霉多糖(プルラン)或艾鲁西南(エルシナン)。磨料是选自氧化铝及二氧化硅中的至少一种，理想的是选自气相二氧化硅、气相氧化铝及胶体二氧化硅中的至少一种。
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公开(公告)号：CN101186784B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200710199425.X
申请日：2004-09-30
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/18 , H01L21/304
CPC classification number: C23F3/04 , C09G1/02 , C09G1/18 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明的抛光组合物，用于形成半导体器件的配线的抛光，它含有特定的表面活性剂、氧化硅、选自羧酸及α-氨基酸中的至少一种、防腐蚀剂、氧化剂、水。使用该抛光组合物可抑制凹陷的发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101638556A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910165248.2
申请日：2005-03-22
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/02 , B24B29/02 , H01L21/768
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明的抛光用组合物，合适地使用在形成半导体器件的导体配线用的抛光上。该抛光用组合物含有：作为磨料的二氧化硅、选自多糖类及聚乙烯醇中的至少一种的抑制降低剂，作为螯合剂的α-氨基酸、防腐剂和氧化剂，抛光用组合物中的所述抑制降低剂的含量为0.01～5质量％，抛光用组合物中的所述防腐剂的含量为0.0001～0.02质量％。
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公开(公告)号：CN101186784A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710199425.X
申请日：2004-09-30
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: C09G1/18 , H01L21/304
CPC classification number: C23F3/04 , C09G1/02 , C09G1/18 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明的抛光组合物，用于形成半导体器件的配线的抛光，它含有特定的表面活性剂、氧化硅、选自羧酸及α－氨基酸中的至少一种、防腐蚀剂、氧化剂、水。使用该抛光组合物可抑制凹陷的发生。
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公开(公告)号：CN100435290C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200480028200.2
申请日：2004-09-30
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/7684
Abstract: 在为去除位于沟槽(13)外部的导体膜(15)部分而进行的化学机械研磨中，使用第1研磨用组合物。在为去除位于沟槽外部的导体膜部分的残留部分及位于沟槽外部的屏蔽膜部分而进行的化学机械研磨中，使用第2研磨用组合物。第1研磨用组合物含有特定的表面活性剂、硅氧化物、羧酸、防腐蚀剂、氧化剂和水。第2研磨用组合物含有胶体二氧化硅、防腐蚀剂、完全皂化型聚乙烯醇和水。
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公开(公告)号：CN100393833C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200410083441.9
申请日：2004-09-30
Applicant: 福吉米株式会社
CPC classification number: H01L21/7684 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/04 , H01L21/3212
Abstract: 本发明的抛光组合物，用于形成半导体器件的配线的抛光，它含有特定的表面活性剂、氧化硅、选自羧酸及α-氨基酸中的至少一种、防腐蚀剂、氧化剂、水。使用该抛光组合物可抑制凹陷的发生。
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公开(公告)号：CN100361277C
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN03805084.6
申请日：2003-03-04
Applicant: 福吉米株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , B24B37/00
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 一种可令人满意地抛光半导体的抛光组合物。本发明的第一抛光组合物含有：二氧化硅、至少一种选自过碘酸及其盐中的组分、至少一种选自氢氧化四烷基铵、氯化四烷基铵中的组分、盐酸以及水，并基本上不含铁。本发明的第二抛光组合物含有：含量预定的煅制二氧化硅、含量预定的至少一种选自过碘酸及其盐中的组分、以下面的通式(1)表示的四烷基季铵盐、至少一选自从乙二醇和丙二醇中的组分、以及水，第二抛光组合物的pH值大于或等于1.8且小于4.0。
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