公开(公告)号：CN1326962C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN03127205.3

申请日：2003-09-30

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 大野晃司 ,  堀川智代 ,  酒井谦儿 ,  伊奈克芳

IPC: C09G1/18 ,  B24B1/00

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 提供了一种减少磨蚀且用于半导体元件制造工艺的最终抛光工序中的抛光组合物。该抛光组合物含有胶体二氧化硅、高碘酸化合物、氨水、硝酸铵和水，且它的pH值在1.8～4.0之间。

公开(公告)号：CN1639847A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN03805084.6

申请日：2003-03-04

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 大野晃司 ,  崛川智代 ,  酒井谦儿 ,  玉井一诚 ,  伊奈克芳

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  B24B37/00

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 一种可令人满意地抛光半导体的抛光组合物。本发明的第一抛光组合物含有：二氧化硅、至少一种选自过碘酸及其盐中的组分、至少一种选自氢氧化四烷基铵、氯化四烷基铵中的组分、盐酸以及水，并基本上不含铁。本发明的第二抛光组合物含有：含量预定的煅制二氧化硅、含量预定的至少一种选自过碘酸及其盐中的组分、以下面的通式(1)表示的四烷基季铵盐、至少一选自从乙二醇和丙二醇中的组分、以及水，第二抛光组合物的pH值大于或等于1.8且小于4.0。

公开(公告)号：CN100361277C

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN03805084.6

申请日：2003-03-04

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 大野晃司 ,  崛川智代 ,  酒井谦儿 ,  玉井一诚 ,  伊奈克芳

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  B24B37/00

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 一种可令人满意地抛光半导体的抛光组合物。本发明的第一抛光组合物含有：二氧化硅、至少一种选自过碘酸及其盐中的组分、至少一种选自氢氧化四烷基铵、氯化四烷基铵中的组分、盐酸以及水，并基本上不含铁。本发明的第二抛光组合物含有：含量预定的煅制二氧化硅、含量预定的至少一种选自过碘酸及其盐中的组分、以下面的通式(1)表示的四烷基季铵盐、至少一选自从乙二醇和丙二醇中的组分、以及水，第二抛光组合物的pH值大于或等于1.8且小于4.0。

公开(公告)号：CN1660951A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510052880.8

申请日：2005-02-25

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 崛川智代 ,  大野晃司 ,  玉井一诚

IPC: C09G1/02

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种抛光组合物，它含有大于0.1质量％的胶体二氧化硅和水，且pH值为6或更小。该抛光组合物具有以高切削率抛光钛材料的能力。因此，该抛光组合物适合用于抛光含钛物体的应用中。