公开(公告)号：CN101253606A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200680031675.6

申请日：2006-09-01

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 吴俊辉 ,  浅野宏 ,  崛和伸

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  B24B37/00

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种抛光组合物包含保护膜形成剂，氧化剂，以及蚀刻剂。保护膜形成剂包含苯并三唑和苯并三唑衍生物中的至少一种化合物，以及通式ROR’COOH和通式ROR’OPO3H2表示的化合物中的至少一种化合物，其中R表示烷基或烷代苯基，R’表示聚氧乙烯基或聚氧丙烯基或聚(氧乙烯/氧丙烯)基。抛光组合物的pH值等于或大于8。所述抛光组合物适合在形成半导体器件线路的抛光中使用。

公开(公告)号：CN100536081C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200680031675.6

申请日：2006-09-01

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 吴俊辉 ,  浅野宏 ,  崛和伸

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  B24B37/00

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种抛光组合物包含保护膜形成剂，氧化剂，以及蚀刻剂。保护膜形成剂包含：苯并三唑和苯并三唑衍生物中的至少一种化合物，其在抛光组合物中的含量大于等于0.001g/L且小于等于1g/L；以及通式ROR’COOH和通式ROR’OPO3H2表示的化合物中的至少一种化合物，其在抛光组合物中的含量大于等于0.05g/L且小于等于50g/L，其分子量大于等于200，亲水/亲油平衡值大于等于10且小于等于16，其中R表示烷基或烷代苯基，R’表示聚氧乙烯基或聚氧丙烯基或聚(氧乙烯/氧丙烯)基。抛光组合物的pH值等于或大于8。所述抛光组合物适合在形成半导体器件线路的抛光中使用。