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公开(公告)号：CN102017819A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980115842.9
申请日：2009-04-30
CPC分类号： H05K3/3489 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29109 , H01L2224/75 , H01L2224/751 , H01L2224/7525 , H01L2224/757 , H01L2224/8101 , H01L2224/81011 , H01L2224/81022 , H01L2224/81203 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/83801 , H01L2224/83894 , H01L2924/00011 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1579 , H01L2924/3025 , H05K3/3436 , H05K2201/10674 , H05K2203/1163 , H01L2924/0132 , H01L2924/00014 , H01L2224/83205
摘要： 不会使被接合物彼此的电气的接触性恶化，而容易地在低温下接合。对在外部引出电极(5)的表面上具有突起电极(6)的半导体芯片(2)以及中间基板(3)的突起电极(8)的表面，通过氢自由基进行氧化膜还原处理，之后，对半导体芯片(2)以及中间基板(3)的外部引出电极(8)以及突起电极(6)进行对位，并且之后，施加载荷而接合。
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公开(公告)号：CN102017819B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN200980115842.9
申请日：2009-04-30
CPC分类号： H05K3/3489 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29109 , H01L2224/75 , H01L2224/751 , H01L2224/7525 , H01L2224/757 , H01L2224/8101 , H01L2224/81011 , H01L2224/81022 , H01L2224/81203 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/83801 , H01L2224/83894 , H01L2924/00011 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1579 , H01L2924/3025 , H05K3/3436 , H05K2201/10674 , H05K2203/1163 , H01L2924/0132 , H01L2924/00014 , H01L2224/83205
摘要： 不会使被接合物彼此的电气的接触性恶化，而容易地在低温下接合。对在外部引出电极(5)的表面上具有突起电极(6)的半导体芯片(2)以及中间基板(3)的突起电极(8)的表面，通过氢自由基进行氧化膜还原处理，之后，对半导体芯片(2)以及中间基板(3)的外部引出电极(8)以及突起电极(6)进行对位，并且之后，施加载荷而接合。
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公开(公告)号：CN100455394C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200580005221.7
申请日：2005-02-16
申请人： 神港精机株式会社
IPC分类号： B23K1/20
CPC分类号： B23K3/087 , B23K1/008 , B23K35/26 , B23K2101/42 , C22C13/00 , H05K3/3463 , H05K3/3489
摘要： 本发明要解决的技术问题是，进行品质良好的焊接。解决该技术问题的技术手段是，使配置着具有固体状的焊锡的被处理物(10)的真空室(2)减压到真空状态，该固体状的焊锡只是锡或者含有银、铅、铜、铋、铟、锌中的一种或者两种以上的成分以及锡。产生游离基气体，除去上述焊锡的氧化膜后，停止上述游离基气体的产生，在无氧化环境中，使上述焊锡达到焊锡的熔点以上的温度，熔融焊锡。
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公开(公告)号：CN1921977A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005221.7
申请日：2005-02-16
申请人： 神港精机株式会社
IPC分类号： B23K1/20
CPC分类号： B23K3/087 , B23K1/008 , B23K35/26 , B23K2101/42 , C22C13/00 , H05K3/3463 , H05K3/3489
摘要： 本发明要解决的技术问题是，进行品质良好的焊接。解决该技术问题的技术手段是，使配置着具有固体状的焊锡的被处理物(10)的真空室(2)减压到真空状态，该固体状的焊锡只是锡或者含有银、铅、铜、铋、铟、锌中的一种或者两种以上的成分以及锡。产生游离基气体，除去上述焊锡的氧化膜后，停止上述游离基气体的产生，在无氧化环境中，使上述焊锡达到焊锡的熔点以上的温度，熔融焊锡。
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