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公开(公告)号：CN101431057A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810147817.6
申请日：2008-12-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/8249
Abstract: 一种两次刻蚀单多晶硅的高功率BCD工艺，属于半导体器件及集成电路，具体涉及BCD器件的制造方法。包括衬底预氧、NBL、PBL；外延生长；ISO；Nsink；PCH和NCH注入；栅氧化层生长；PBASE、PBODY1和PBODY2区硼注入；多晶硅参杂；刻出VDMOS以外的多晶硅；NLDD；NSD、PSD等步骤。本发明采用淀积一次多晶硅，两次刻蚀多晶硅后进行多晶硅掺杂的方法避免了多晶后续工艺的高温过程中多晶硅中的掺杂离子对栅氧及沟道区的影响，解决了热过程中栅氧易被破坏的难题。可在单一芯片上集成包括高压VDMOS、高压PMOS、高压NPN、高压PNP、低压NPN、衬底PNP、横向PNP、低压NMOS、低压PMOS、低压二极管、高压二极管、齐纳二极管以及各类电容电阻在内的多种器件。具有高功率、集成器件多、工艺易于实现、器件性能稳定和兼容性好的特点。
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公开(公告)号：CN101431057B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810147817.6
申请日：2008-12-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/8249
Abstract: 一种两次刻蚀单层多晶硅的高功率BCD工艺，属于半导体器件及集成电路，具体涉及BCD器件的制造方法。包括衬底预氧、NBL、PBL；外延生长；ISO；Nsink；PCH和NCH注入；栅氧化层生长；PBASE、PBODY1和PBODY2区硼注入；多晶硅参杂；刻出VDMOS以外的多晶硅；NLDD；NSD、PSD等步骤。本发明采用淀积一次多晶硅，两次刻蚀多晶硅后进行多晶硅掺杂的方法避免了多晶后续工艺的高温过程中多晶硅中的掺杂离子对栅氧及沟道区的影响，解决了热过程中栅氧易被破坏的难题。可在单一芯片上集成包括高压VDMOS、高压PMOS、高压NPN、高压PNP、低压NPN、衬底PNP、横向PNP、低压NMOS、低压PMOS、低压二极管、高压二极管、齐纳二极管以及各类电容电阻在内的多种器件。具有高功率、集成器件多、工艺易于实现、器件性能稳定和兼容性好的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105842710A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201410705123.5
申请日：2015-01-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于VRS差分原理的低轨双星时差频差精密修正方法，该方法利用地面合作辐射源在未知辐射源附近建立一个物理上并不存在的虚拟参考站，从而利用此虚拟参考站去修正未知辐射源的时频误差。本发明不仅扩大了现有方法的应用范围，而且利用本发明去对未知辐射源时差改正精度可以达到97%，频差改正精度可以达到95%。同时利用改正后的时频差对未知辐射源定位，其定位精度比传统的时差频差定位体制有大幅度提高。
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公开(公告)号：CN105182367A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510611230.6
申请日：2015-09-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01S19/07
CPC classification number: G01S19/07
Abstract: 本发明公开了一种提取BDS卫星电离层穿刺点电子浓度的新方法，根据电离层在小区域内具有良好的空间相关性的特点，搜索出电离层穿刺点距离在100Km内的BDS与GPS卫星，用户解算出此刻搜索到的GPS卫星电离层穿刺点电子浓度，再将解算值与搜索出的BDS卫星电离层穿刺点电子浓度近似相等，得到BDS卫星电离层穿刺点处的电子浓度（VTEC），再通过倾斜因子转化为站-星斜向电离层含量（TEC）。本发明可精确提取BDS卫星电离层穿刺点的电子浓度，解决BDS系统在我国区域电离层精确改正的问题。
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公开(公告)号：CN109508174A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811305671.3
申请日：2018-11-05
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种结构简单的单级真随机数发生器，它包括两个单级的亚稳态环振随机熵源、反馈移位寄存器、异或链组成的后处理电路，和一个DES加密单元。两个随机源各生成一条互不相关的原始随机序列，原始序列再经过后处理电路得到改良后的随机序列，最后再将得到的两条随机序列分别作为DES加密单元的明文与密匙进行加密，得到加密后的随机序列以供使用。与现有技术相比较，本发明摒弃了复杂的多熵源异或结构，改为仅使用单级熵源，进一步减少了逻辑器件使用量，缩小了真随机数发生器模块所占芯片的面积；同时，对于单一熵源相关性问题的解决，本发明使用Galois结构的反馈移位寄存器去消除单一熵源的相关性，并改善随机序列质量。
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公开(公告)号：CN109460212A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811305636.1
申请日：2018-11-05
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F7/58
Abstract: 本发明公开了一种单级真随机数的产生方法，包括以下步骤：步骤S1：采用两个独立的第一环振和第二环振分别产生两路独立随机信号；步骤S2：通过采样电路采集环振生成的单比特熵形成第一随机序列和第二随机序列；步骤S3：将所述第一随机序列和第二随机序列输入反馈移位寄存器进行数据处理，所述反馈移位寄存器将输入序列与其输出序列异或后不断地输入反馈环以消除序列相关性；步骤S4：通过异或链纠偏电路消除序列偏置；步骤S5：以第一随机序列作为明文数据且以第二随机序列作为密钥进行加密运算并输出密文数据作为随机数输出。与现有技术相比较，本发明使用Galois结构的反馈移位寄存器去消除单一熵源的相关性，并改善随机序列质量。
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公开(公告)号：CN105842710B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201410705123.5
申请日：2015-01-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于VRS差分原理的低轨双星时差频差精密修正方法，该方法利用地面合作辐射源在未知辐射源附近建立一个物理上并不存在的虚拟参考站，从而利用此虚拟参考站去修正未知辐射源的时频误差。本发明不仅扩大了现有方法的应用范围，而且利用本发明去对未知辐射源时差改正精度可以达到97%，频差改正精度可以达到95%。同时利用改正后的时频差对未知辐射源定位，其定位精度比传统的时差频差定位体制有大幅度提高。
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