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公开(公告)号:CN105182367A
公开(公告)日:2015-12-23
申请号:CN201510611230.6
申请日:2015-09-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01S19/07
CPC classification number: G01S19/07
Abstract: 本发明公开了一种提取BDS卫星电离层穿刺点电子浓度的新方法,根据电离层在小区域内具有良好的空间相关性的特点,搜索出电离层穿刺点距离在100Km内的BDS与GPS卫星,用户解算出此刻搜索到的GPS卫星电离层穿刺点电子浓度,再将解算值与搜索出的BDS卫星电离层穿刺点电子浓度近似相等,得到BDS卫星电离层穿刺点处的电子浓度(VTEC),再通过倾斜因子转化为站-星斜向电离层含量(TEC)。本发明可精确提取BDS卫星电离层穿刺点的电子浓度,解决BDS系统在我国区域电离层精确改正的问题。