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公开(公告)号：CN119444686A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411474302.2
申请日：2024-10-22
Applicant: 江西省通讯终端产业技术研究院有限公司 , 江西省智能硬件制造创新中心有限公司 , 西安电子科技大学
IPC: G06T7/00 , G06V10/774 , G06V10/80 , G06F16/51 , G06F9/50 , G06V10/75 , G06V10/30 , G06V10/44 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于多模态融合的工业视觉检测系统，属于工业数据采集、处理、加工的技术领域，包括：多模态数据采集与校准模块、场景图像捕获模块、视觉信息合成模块、算法优化与训练模块和多模态图像输出模块，通过将上述多个模块集成到多模态数据采集、处理和融合的工业视觉检测系统中，为后续的图像分析提供了高质量的原始数据，能够在不同的光照条件下自动捕获工业场景的图像，构建起包含多种光照和场景条件下的原始图像数据库，使得系统能够稳定运行，实现了对工业场景中图像数据集的高精度分析和处理，生成对应的融合图像，基于融合图像生成工业视觉检测报告，提高了工业视觉检测系统的适应性和可靠性。
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公开(公告)号：CN114335457B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202111495313.5
申请日：2021-12-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/48 , H01M4/583 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种通过恒压电沉积法制备纯的单斜相二氧化钼/氮掺杂碳纳米管三维纳米复合材料的制备方法及其应用。制备方法包括如下步骤：通过化学气相沉积法在泡沫镍基底上生长氮掺杂碳纳米管，得到氮掺杂碳纳米管/泡沫镍三维结构；用恒压电沉积法将含钼化合物原位沉积于氮掺杂碳纳米管/泡沫镍三维结构表面上，然后将其置于管式炉中在氩气氛围下退火，在300‑350℃退火温度范围下，制备出纯的单斜相二氧化钼/氮掺杂碳纳米管三维纳米复合材料。此纳米复合材料可直接用作无粘结剂负极组装成高容量、高循环性能锂离子电池。本发明的制备方法工艺步骤简单，适合商业化的大规模生产，在锂离子电池及其他电化学储能器件领域有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN112819212A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110087151.5
申请日：2021-01-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种基于等效路阻分析和考虑消防栓动态可用性的路径规划方法，属于路径规划技术领域。本发明提出了体现道路通行情况的道路通行状态系数，由此得到当量长度，结合预估的通行速度得到各路段合理的预估通行时间作为通行代价，既充分考虑了影响通行状况因素，也具有一定的可扩展性。本发明使用启发式路径搜索方法，结合退火法思想得到消防车辆的推荐路径。提高了在消防救援场景下，合理获取消防资源点的路径规划效率和准确性，更加符合发生火情时，消防车队进行救援的实情。
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公开(公告)号：CN105931670B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201610256532.0
申请日：2016-04-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G11C16/10
Abstract: 本发明公开了一种基于Nand Flash存储器阵列的存储控制装置，包括：Nand Flash存储器阵列、存储控制器、用户应用逻辑层、用户逻辑、基础设施和状态采集单元；Nand Flash存储器阵列获取操作指令；物理层获取操作时序；介质接口层获取解析后的重组数据流；存储器命令层获取分解后的Nand Flash操作数据流和命令接口时序；存储链路层获取符合命令接口时序的数据帧和解码后的命令接口时序；用户逻辑获取寄存器配置命令、时钟和复位信号、工作状态、操作指令数据流；存储器维护和配置单元获取解析后的寄存器配置命令；基础设施获取时钟、复位信号；状态采集单元获取工作状态；用户应用逻辑层获取存储器控制接口所需数据格式和操作格式；状态采集单元获取用户逻辑操作命令。
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公开(公告)号：CN108599893A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810203125.2
申请日：2018-03-13
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L1/00
Abstract: 本发明涉及一种产生及接收端处理微波着陆数据字信号的方法，包括：(1)判断所要发送的数据字类型,确定前导码功能识别码；(2)得到功能识别码后有两种情况；(3)在上两个步骤中，功能识别码或者功能识别码+地址码可唯一确定一种数据字信号；(4)数据处理完后，根据前面得到的数据位进行相应的奇偶校验；(5)差分编码；(6)接收端信号恢复。本发明具有以下有益效果：1、该方法微波着陆系统系统中数据字信号的产生方式，且所有数据字可独立选取校验方式，增加了系统的灵活性，并且产生方式简单易懂；2、该方法在接收端详细说明了数据的接受方式，并且将一部分数据舍弃，提高了接收的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108493110A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810405243.1
申请日：2018-04-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L23/58
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L23/58 , H01L29/7786
Abstract: 本发明公开了一种利用全固态电池实现增强型III-V HEMT器件的方法，在衬底上依次形成第二半导体层和第一半导体层并在所述第二半导体层和第一半导体层之间形成异质结构；源电极和漏电极通过形成于该异质结构中的二维电子气电连接；栅电极用于控制所述异质结构中二维电子气的导通或断开；还包括设置在所述源电极和栅电极之间的全固态电池，所述全固态电池由至少1组电池单元串联或串并联构成，用于使异质结构相应区域中二维电子气耗尽。本发明能有效实现增强型工作模式，此外，全固态电池是与微纳加工工艺兼容的，可以在器件的工艺过程中一次完成。同时，器件的阈值电压可通过串联固态电池的单元数来改变。
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公开(公告)号：CN106876467A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710087137.9
申请日：2017-02-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/45 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直沟道的MISFET(金属‑绝缘介质半导体场效应管)器件及其制备方法。所述MISFET器件包括源极、漏极、栅极以及MIS结构，所述MIS结构的轴线基本垂直于一选定平面，所述MIS结构包括半导体结构和环绕半导体结构设置的绝缘介质，且在所述半导体结构和绝缘介质的界面处形成有沟道，所述源极与漏极经所述沟道电连接，所述栅极分布于源极和漏极之间。本发明的MISFET器件具有栅控能力好、工作频率高，工艺难度低，易于制作，成品率高等优点。
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公开(公告)号：CN105931670A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610256532.0
申请日：2016-04-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G11C16/10
Abstract: 本发明公开了一种基于Nand Flash存储器阵列的存储控制装置，包括：Nand Flash存储器阵列、存储控制器、用户应用逻辑层、用户逻辑、基础设施和状态采集单元；Nand Flash存储器阵列获取操作指令；物理层获取操作时序；介质接口层获取解析后的重组数据流；存储器命令层获取分解后的Nand Flash操作数据流和命令接口时序；存储链路层获取符合命令接口时序的数据帧和解码后的命令接口时序；用户逻辑获取寄存器配置命令、时钟和复位信号、工作状态、操作指令数据流；存储器维护和配置单元获取解析后的寄存器配置命令；基础设施获取时钟、复位信号；状态采集单元获取工作状态；用户应用逻辑层获取存储器控制接口所需数据格式和操作格式；状态采集单元获取用户逻辑操作命令。
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公开(公告)号：CN105353228A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510641749.9
申请日：2015-09-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R29/10
CPC classification number: G01R29/10
Abstract: 本发明公开了一种基于自适应滤波的天线相位中心估计方法，主要解决现有技术估计不够精确和步骤较为繁琐的问题。其技术方案是：(1)利用电磁仿真软件仿真或通过矢量网络分析仪测量得到坐标原点位于天线参考点时的远区辐射场的相位方向函数，将其作为自适应滤波器的空间角域参考信号；(2)将空间角域参考信号与空间角域阵列采样快拍经权向量加权求和后的差定义为空间角域误差信号；(3)在最小均方误差准则下求解自适应滤波器的空间角域权向量。(4)将空间角域权向量的前3个分量除以相位常数k得到天线相位中心的坐标。本发明能快速准确地估计单元或阵列天线的相位中心，可有效应用于卫星导航定位尤其是高精度导航定位。
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公开(公告)号：CN103319736B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201310246514.0
申请日：2013-06-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造高介电复合薄膜的方法，包括：将微米钛酸钡、纳米钛酸锶和聚偏氟乙烯粉末均匀混合；将混合材料粉末溶于有机溶剂中；将有机混合溶液在室温下真空静置脱泡；将有机混合溶液在基板上流延刮膜形成平板膜；加热平板膜使有机溶剂挥发，获得聚偏氟乙烯-钛酸钡-钛酸锶复合薄膜。通过本发明的实施例中的方法，可将纳米粒径的钛酸锶粒子填充入微米粒径的钛酸钡粒子之间的空隙之中，可以使钛酸钡粒子的堆积更加的紧密，从而可以较大的提高获得的复合薄膜的介电常数并降低损耗。
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