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公开(公告)号：CN114335457B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202111495313.5
申请日：2021-12-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/48 , H01M4/583 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种通过恒压电沉积法制备纯的单斜相二氧化钼/氮掺杂碳纳米管三维纳米复合材料的制备方法及其应用。制备方法包括如下步骤：通过化学气相沉积法在泡沫镍基底上生长氮掺杂碳纳米管，得到氮掺杂碳纳米管/泡沫镍三维结构；用恒压电沉积法将含钼化合物原位沉积于氮掺杂碳纳米管/泡沫镍三维结构表面上，然后将其置于管式炉中在氩气氛围下退火，在300‑350℃退火温度范围下，制备出纯的单斜相二氧化钼/氮掺杂碳纳米管三维纳米复合材料。此纳米复合材料可直接用作无粘结剂负极组装成高容量、高循环性能锂离子电池。本发明的制备方法工艺步骤简单，适合商业化的大规模生产，在锂离子电池及其他电化学储能器件领域有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113764121B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111112702.5
申请日：2021-09-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种锑掺杂二氧化锡导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：S1取一基底经多种溶剂依次超声处理后，得到洁净基底；S2将二氯化锡与三氯化锑混合均匀后置于坩埚中；S3将经S1步骤后得到的洁净基底置于S2步骤的坩埚中，将坩埚转移到加热装置中，保持恒定速度升温至指定温度保温一定时间后将加热装置降至室温；S4将S3步骤处理后的洁净基底置于稀盐酸溶液中超声处理后洗涤、干燥得到锑掺杂二氧化锡导电薄膜。本发明的锑掺杂二氧化锡导电薄膜的制备方法简单、易行、可控且成本低，利于大规模生产。本发明主要通过调控前驱体二氯化锡与三氯化锑的质量比，获得不同电导率的锑掺杂二氧化锡导电薄膜。
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公开(公告)号：CN113929313B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202111207397.8
申请日：2021-10-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种三维导电纳米棒及其阵列电子传输层的制备方法，包括以下步骤：将基底依次置于不同溶剂中超声处理，得到洁净的基底；将二氯化锡与二氯化锌混合均匀后置于坩埚中；将此坩埚转移到加热装置中得到二氧化锡基底；将二氧化锡基底超声处理，之后经洗涤、干燥得到三维二氧化锡纳米棒阵列基底；将二氯化锡与三氯化锑混合均匀后置于坩埚中；将得到的沉积有二氧化锡纳米棒阵列基底置于坩埚上，将此坩埚加热；将坩埚上的基底置于稀盐酸中加热超声处理得到三维导电纳米棒阵列。本发明提出采用两步化学气相沉积法，在氟掺杂二氧化锡导电玻璃上制备锑掺杂的二氧化锡三维纳米棒导电阵列，将其用作为钙钛矿太阳能电池的电子传输层。
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公开(公告)号：CN113981481A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111140793.3
申请日：2021-09-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C25B11/052 , C25B11/075 , C25B1/27
Abstract: 本发明公开的一种负载铜纳米颗粒的一维碳基纳米材料的制备方法，包括，首先制备得到铜纳米颗粒分散液，然后将其与柠檬酸溶液混合，在油浴中反应得到含有负载铜纳米颗粒的一维碳基纳米材料的分散液。发明一种负载铜纳米颗粒的一维碳基纳米材料的制备方法及应用，一步可以直接得到一种负载的均匀大小的铜纳米颗粒的新的形貌的碳基材料，而且具有合成条件温和，易于实现，较好的硝酸盐转化性能等特点，能够很好的应用于碳基金属催化剂的设计制备领域。
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公开(公告)号：CN113764121A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111112702.5
申请日：2021-09-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种锑掺杂二氧化锡导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：S1取一基底经多种溶剂依次超声处理后，得到洁净基底；S2将二氯化锡与三氯化锑混合均匀后置于坩埚中；S3将经S1步骤后得到的洁净基底置于S2步骤的坩埚中，将坩埚转移到加热装置中，保持恒定速度升温至指定温度保温一定时间后将加热装置降至室温；S4将S3步骤处理后的洁净基底置于稀盐酸溶液中超声处理后洗涤、干燥得到锑掺杂二氧化锡导电薄膜。本发明的锑掺杂二氧化锡导电薄膜的制备方法简单、易行、可控且成本低，利于大规模生产。本发明主要通过调控前驱体二氯化锡与三氯化锑的质量比，获得不同电导率的锑掺杂二氧化锡导电薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113981481B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202111140793.3
申请日：2021-09-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C25B11/052 , C25B11/075 , C25B1/27
Abstract: 本发明公开的一种负载铜纳米颗粒的一维碳基纳米材料的制备方法，包括，首先制备得到铜纳米颗粒分散液，然后将其与柠檬酸溶液混合，在油浴中反应得到含有负载铜纳米颗粒的一维碳基纳米材料的分散液。发明一种负载铜纳米颗粒的一维碳基纳米材料的制备方法及应用，一步可以直接得到一种负载的均匀大小的铜纳米颗粒的新的形貌的碳基材料，而且具有合成条件温和，易于实现，较好的硝酸盐转化性能等特点，能够很好的应用于碳基金属催化剂的设计制备领域。
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公开(公告)号：CN114335457A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111495313.5
申请日：2021-12-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/48 , H01M4/583 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种通过恒压电沉积法制备纯的单斜相二氧化钼/氮掺杂碳纳米管三维纳米复合材料的制备方法及其应用。制备方法包括如下步骤：通过化学气相沉积法在泡沫镍基底上生长氮掺杂碳纳米管，得到氮掺杂碳纳米管/泡沫镍三维结构；用恒压电沉积法将含钼化合物原位沉积于氮掺杂碳纳米管/泡沫镍三维结构表面上，然后将其置于管式炉中在氩气氛围下退火，在300‑350℃退火温度范围下，制备出纯的单斜相二氧化钼/氮掺杂碳纳米管三维纳米复合材料。此纳米复合材料可直接用作无粘结剂负极组装成高容量、高循环性能锂离子电池。本发明的制备方法工艺步骤简单，适合商业化的大规模生产，在锂离子电池及其他电化学储能器件领域有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117343727A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311280188.5
申请日：2023-10-07
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种具有梯度型壳的胶体核壳量子点、制备方法及应用，包括CdS核，以及包覆于CdS核外部的含有N个摩尔层CdSexS1‑x壳，每层CdSexS1‑x壳中x均不相等，且0＜x≤1，N≥3；制备方法为：制备纯化后的CdS胶体量子点，制备镉前驱体、硒前驱体、硫前驱体，将制备的CdS量子点与油胺以及十八烯，进行混合，得到混合溶液，镉前驱体、硒前驱体以及硫前驱体，注入到混合溶液中进行反应，反应结束后进行纯化，得到具有梯度型壳的胶体核壳量子点；本发明具有有效降低核壳量子点中核与壳之间的晶格失配、减少界面缺陷、显著减少电子和空穴空间重叠、降低载流子复合、提高载流子的分离和转移效率、延长的电子寿命和降低的电荷转移电阻、高的饱和光电流密度和制氢速率的特点。
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公开(公告)号：CN116495770A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310479116.7
申请日：2023-04-28
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开的等离激元增强的铜基硫化物半导体及其制备方法、应用，将N,N‑二丁基硫脲和硬脂酸铜加入油胺中，惰性气氛下搅拌，在油浴反应中得到含有等离激元增强的铜基硫化物半导体的分散液。本发明通过控制硫铜比，实现等离激元共振吸收峰的有效调控。合成条件温和，易于实现，较好的光催化CO2还原性能等特点，有望解决限制传统光催化剂催化CO2还原技术瓶颈，对实现我国的“双碳”目标具有重要实验和理论指导意义。
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公开(公告)号：CN113929313A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111207397.8
申请日：2021-10-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种三维导电纳米棒及其阵列电子传输层的制备方法，包括以下步骤：将基底依次置于不同溶剂中超声处理，得到洁净的基底；将二氯化锡与二氯化锌混合均匀后置于坩埚中；将此坩埚转移到加热装置中得到二氧化锡基底；将二氧化锡基底超声处理，之后经洗涤、干燥得到三维二氧化锡纳米棒阵列基底；将二氯化锡与三氯化锑混合均匀后置于坩埚中；将得到的沉积有二氧化锡纳米棒阵列基底置于坩埚上，将此坩埚加热；将坩埚上的基底置于稀盐酸中加热超声处理得到三维导电纳米棒阵列。本发明提出采用两步化学气相沉积法，在氟掺杂二氧化锡导电玻璃上制备锑掺杂的二氧化锡三维纳米棒导电阵列，将其用作为钙钛矿太阳能电池的电子传输层。
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