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公开(公告)号：CN118064899A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410153441.9
申请日：2024-02-02
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开的本发明的全光谱硅基复合光阳极阵列及其制备方法和应用，包括硅纳米线阵列，硅纳米线阵列上涂覆有导电聚合物。本发明的全光谱硅基复合光阳极阵列及其制备方法和应用，通过将导电聚合物涂覆于硅纳米线阵列上，得到的复合光阳极在全光谱范围内可实现吸收，且复合光阳极光电流密度较高；并且具有合成条件温和，易于实现；对电子金属材料较好的光电化学阴极防护作用，特别是在暗态下表现出优异的防护效果，有望解决限制电子设备的“三防技术”的技术瓶颈。
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公开(公告)号：CN118064899B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410153441.9
申请日：2024-02-02
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开的本发明的全光谱硅基复合光阳极阵列及其制备方法和应用，包括硅纳米线阵列，硅纳米线阵列上涂覆有导电聚合物。本发明的全光谱硅基复合光阳极阵列及其制备方法和应用，通过将导电聚合物涂覆于硅纳米线阵列上，得到的复合光阳极在全光谱范围内可实现吸收，且复合光阳极光电流密度较高；并且具有合成条件温和，易于实现；对电子金属材料较好的光电化学阴极防护作用，特别是在暗态下表现出优异的防护效果，有望解决限制电子设备的“三防技术”的技术瓶颈。
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公开(公告)号：CN116495770A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310479116.7
申请日：2023-04-28
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开的等离激元增强的铜基硫化物半导体及其制备方法、应用，将N,N‑二丁基硫脲和硬脂酸铜加入油胺中，惰性气氛下搅拌，在油浴反应中得到含有等离激元增强的铜基硫化物半导体的分散液。本发明通过控制硫铜比，实现等离激元共振吸收峰的有效调控。合成条件温和，易于实现，较好的光催化CO2还原性能等特点，有望解决限制传统光催化剂催化CO2还原技术瓶颈，对实现我国的“双碳”目标具有重要实验和理论指导意义。
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