公开(公告)号：CN118064899B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202410153441.9

申请日：2024-02-02

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 白晓霞 ,  黄嘉宁 ,  刘关正 ,  杨金霖 ,  孙阗睿 ,  马鑫

IPC: C23F13/14 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C18/44 ,  C23C18/18 ,  C23F1/00 ,  B05D7/24 ,  B05D1/00

Abstract: 本发明公开的本发明的全光谱硅基复合光阳极阵列及其制备方法和应用，包括硅纳米线阵列，硅纳米线阵列上涂覆有导电聚合物。本发明的全光谱硅基复合光阳极阵列及其制备方法和应用，通过将导电聚合物涂覆于硅纳米线阵列上，得到的复合光阳极在全光谱范围内可实现吸收，且复合光阳极光电流密度较高；并且具有合成条件温和，易于实现；对电子金属材料较好的光电化学阴极防护作用，特别是在暗态下表现出优异的防护效果，有望解决限制电子设备的“三防技术”的技术瓶颈。

公开(公告)号：CN118064899A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410153441.9

申请日：2024-02-02

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 白晓霞 ,  黄嘉宁 ,  刘关正 ,  杨金霖 ,  孙阗睿 ,  马鑫

IPC: C23F13/14 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C18/44 ,  C23C18/18 ,  C23F1/00 ,  B05D7/24 ,  B05D1/00

Abstract: 本发明公开的本发明的全光谱硅基复合光阳极阵列及其制备方法和应用，包括硅纳米线阵列，硅纳米线阵列上涂覆有导电聚合物。本发明的全光谱硅基复合光阳极阵列及其制备方法和应用，通过将导电聚合物涂覆于硅纳米线阵列上，得到的复合光阳极在全光谱范围内可实现吸收，且复合光阳极光电流密度较高；并且具有合成条件温和，易于实现；对电子金属材料较好的光电化学阴极防护作用，特别是在暗态下表现出优异的防护效果，有望解决限制电子设备的“三防技术”的技术瓶颈。