先剪枝再蒸馏的轻量化网络构建方法、系统、介质及终端

    公开(公告)号:CN116776951A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310660179.2

    申请日:2023-06-05

    Abstract: 本发明属于轻量化网络设计技术领域,公开了一种先剪枝再蒸馏的轻量化网络构建方法、系统、介质及终端,根据归一化特征图与输出特征图确定批标准化层的通道缩放因子;对所述批标准化层的通道缩放因子进行稀疏化处理,基于稀疏化后的通道缩放因子与预设的全局阈值之间的关系进行CNN模型的通道剪枝处理;分别训练剪枝后的CNN模型与剪枝前的CNN模型进行知识蒸馏得到轻量化网络。本发明不仅能够快速实现CNN模型的轻量化设计,还进一步提高了轻量化网络的学习能力和泛化能力。因此,具有非常好的可扩展性和灵活的可移植性,能够满足资源受限的嵌入式设备的部署需要。

    一种具有逆向导通能力的GaN RC-HEMT

    公开(公告)号:CN113675270B

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202111000705.X

    申请日:2021-08-27

    Abstract: 本发明属于半导体技术领域,涉及一种具有逆向导通能力的GaN RC‑HEMT器件。本发明在传统MIS栅HEMT器件基础上引入电流阻挡层和多沟道导电通路,并且集成了反向续流肖特基管,降低了反向开启损耗。阻挡层形成2DHG阻断纵向电流通路,实现器件增强型。正向导通时栅极加高电位,栅极侧壁形成反型层使纵向沟道导通,漂移区的多沟道导电通路和栅极下方形成的电子积累层均降低了导通电阻;正向阻断时,阻挡层辅助耗尽漂移区调制电场,降低电场尖峰,此外多沟道区域形成的极化电场可以进一步提高漂移区耐压,有效缓解了导通电阻与耐压之间的矛盾关系;反向续流时集成肖特基管沿2DEG形成电流路径,降低导通损耗的同时相较于常规集成SBD的方法节省了面积。

    一种分方向熵加权WKNN的位置指纹室内定位方法

    公开(公告)号:CN114845388B

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202210537871.1

    申请日:2022-05-17

    Abstract: 该发明公开了一种分方向熵加权WKNN的位置指纹室内定位方法,涉及位置指纹室内定位领域。本发明通过使用四叉树算法以及分方向熵加权WKNN算法来实现室内定位的。该方法是通过对位置指纹数据库进行划分,并在定位阶段快速确定待定位目标所属最小子定位区域后,依靠分方向熵加权WKNN算法实现对待定位目标的位置估计。由于将定位过程替换为索引过程,能够实现快速索引,因此定位效率高,同时在粗定位的基础上提出分方向熵加权WKNN算法进行进一步精准定位,故在满足高精度检测效果的同时检测速度快。

    一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件的制造方法

    公开(公告)号:CN115050813A

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202210829590.3

    申请日:2022-07-15

    Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种具有渐变掺杂阶梯氟离子终端的GaN HEMT器件的制造方法。该制造方法中,先采用光刻工艺,形成宽度依次变小的窗口,之后通过宽度依次变小的窗口一次性干法刻蚀实现深度依次变浅的阶梯槽,最后进行一次性氟离子注入,形成渐变掺杂阶梯氟离子终端。该终端能更好地优化表面电场,提升器件耐压,并且该制造方法通过一次性氟离子注入形成栅下氟离子区和渐变掺杂阶梯氟离子终端,同时实现了增强型和提高器件耐压,降低工艺的难度。另外,该制造方法中氟离子注入到钝化层中而非直接注入到势垒层AlGaN中,可减小对二维电子气迁移率的影响,抑制动态电阻增加和电流崩塌效应,改善器件正向导通和动态特性。

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