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公开(公告)号:CN103137592A
公开(公告)日:2013-06-05
申请号:CN201210470646.7
申请日:2012-11-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor: 沼崎雅人
IPC: H01L23/49 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49541 , H01L23/3107 , H01L23/495 , H01L23/49517 , H01L23/49548 , H01L24/97 , H01L2224/05554 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体器件,能够实现半导体器件的小型化或多管脚化。QFN(5)具有:芯片焊盘(2d);半导体芯片(1),其搭载在芯片焊盘(2d)上;多条引线(2a),其配置在半导体芯片(1)周围;多条导线(3),其用于电连接半导体芯片(1)的多个电极焊盘(1c)和多条引线(2a);和封装体(4),其用于封固半导体芯片(1)和多条导线(3),在QFN(5)中,在各引线(2a)的左右两侧的错开位置处形成层差部(2n、2p),使与相邻引线(2a)的层差部(2n、2p)的位置错开,由此缩小引线间的间隙而实现QFN(5)的小型化或多管脚化。
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公开(公告)号:CN102683234B
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:CN201210063525.0
申请日:2012-03-08
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor: 沼崎雅人
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/49
CPC classification number: H01L23/49541 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2223/54486 , H01L2224/05554 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48479 , H01L2224/49175 , H01L2224/78301 , H01L2224/85051 , H01L2224/85986 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2224/48471 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/4554
Abstract: 本发明阻止了在半导体器件的组装中形成孔洞。MCU芯片和AFE芯片被安装在由具有一对第一侧边和一对第二侧边的四边形形成的裸片焊盘上方。在MCU芯片和AFE芯片上执行引线键合之后,从两个第二侧边中的一个第二侧边的一侧向另一第二侧边的一侧提供树脂。从而,使所述树脂穿过MCU芯片上方的第一焊盘组和第二焊盘组之间的开口以填充芯片之间的区域,因此阻止了在芯片之间的区域中形成孔洞。
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公开(公告)号:CN118629987A
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN202410178467.9
申请日:2024-02-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/00 , H01L23/31
Abstract: 一种半导体器件包括:裸片焊盘,具有上表面;半导体芯片;多个引线;以及多个导线。上表面包括:其中安装半导体芯片的第一区域;在平面视图中围绕第一区域的第二区域;以及在平面视图中围绕第二区域的第三区域。此外,第一金属膜被设置在第二区域中。此外,第二金属膜被设置在第三区域中。在此,在平面视图中,半导体芯片、第一金属膜和第二金属膜彼此间隔开。此外,多个导线包括:第一导线,接合到多个电极的第一电极和第一金属膜中的每一者;以及第二导线,接合到多个引线中的第一引线和第二金属膜的每一者。
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公开(公告)号:CN105826292B
公开(公告)日:2019-07-23
申请号:CN201610298080.2
申请日:2012-03-08
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor: 沼崎雅人
IPC: H01L23/495 , H01L23/49 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49541 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2223/54486 , H01L2224/05554 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48479 , H01L2224/49175 , H01L2224/78301 , H01L2224/85051 , H01L2224/85986 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2224/48471 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/4554
Abstract: 本发明阻止了在半导体器件的组装中形成孔洞。MCU芯片和AFE芯片被安装在由具有一对第一侧边和一对第二侧边的四边形形成的裸片焊盘上方。在MCU芯片和AFE芯片上执行引线键合之后,从两个第二侧边中的一个第二侧边的一侧向另一第二侧边的一侧提供树脂。从而,使所述树脂穿过MCU芯片上方的第一焊盘组和第二焊盘组之间的开口以填充芯片之间的区域,因此阻止了在芯片之间的区域中形成孔洞。
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公开(公告)号:CN105826292A
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201610298080.2
申请日:2012-03-08
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor: 沼崎雅人
IPC: H01L23/495 , H01L23/49 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49541 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2223/54486 , H01L2224/05554 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48479 , H01L2224/49175 , H01L2224/78301 , H01L2224/85051 , H01L2224/85986 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2224/48471 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/4554
Abstract: 本发明阻止了在半导体器件的组装中形成孔洞。MCU芯片和AFE芯片被安装在由具有一对第一侧边和一对第二侧边的四边形形成的裸片焊盘上方。在MCU芯片和AFE芯片上执行引线键合之后,从两个第二侧边中的一个第二侧边的一侧向另一第二侧边的一侧提供树脂。从而,使所述树脂穿过MCU芯片上方的第一焊盘组和第二焊盘组之间的开口以填充芯片之间的区域,因此阻止了在芯片之间的区域中形成孔洞。
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公开(公告)号:CN103137592B
公开(公告)日:2017-09-05
申请号:CN201210470646.7
申请日:2012-11-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor: 沼崎雅人
IPC: H01L23/49 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49541 , H01L23/3107 , H01L23/495 , H01L23/49517 , H01L23/49548 , H01L24/97 , H01L2224/05554 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体器件,能够实现半导体器件的小型化或多管脚化。QFN(5)具有:芯片焊盘(2d);半导体芯片(1),其搭载在芯片焊盘(2d)上;多条引线(2a),其配置在半导体芯片(1)周围;多条导线(3),其用于电连接半导体芯片(1)的多个电极焊盘(1c)和多条引线(2a);和封装体(4),其用于封固半导体芯片(1)和多条导线(3),在QFN(5)中,在各引线(2a)的左右两侧的错开位置处形成层差部(2n、2p),使与相邻引线(2a)的层差部(2n、2p)的位置错开,由此缩小引线间的间隙而实现QFN(5)的小型化或多管脚化。
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公开(公告)号:CN102683234A
公开(公告)日:2012-09-19
申请号:CN201210063525.0
申请日:2012-03-08
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor: 沼崎雅人
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/49
CPC classification number: H01L23/49541 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2223/54486 , H01L2224/05554 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48479 , H01L2224/49175 , H01L2224/78301 , H01L2224/85051 , H01L2224/85986 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2224/48471 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/4554
Abstract: 本发明阻止了在半导体器件的组装中形成孔洞。MCU芯片和AFE芯片被安装在由具有一对第一侧边和一对第二侧边的四边形形成的裸片焊盘上方。在MCU芯片和AFE芯片上执行引线键合之后,从两个第二侧边中的一个第二侧边的一侧向另一第二侧边的一侧提供树脂。从而,使所述树脂穿过MCU芯片上方的第一焊盘组和第二焊盘组之间的开口以填充芯片之间的区域,因此阻止了在芯片之间的区域中形成孔洞。
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公开(公告)号:CN202996818U
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201220613616.2
申请日:2012-11-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor: 沼崎雅人
IPC: H01L23/49 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49541 , H01L23/3107 , H01L23/495 , H01L23/49517 , H01L23/49548 , H01L24/97 , H01L2224/05554 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本实用新型提供一种半导体器件,能够实现半导体器件的小型化或多管脚化。QFN(5)具有:芯片焊盘(2d);半导体芯片(1),其搭载在芯片焊盘(2d)上;多条引线(2a),其配置在半导体芯片(1)周围;多条导线(3),其用于电连接半导体芯片(1)的多个电极焊盘(1c)和多条引线(2a);和封装体(4),其用于封固半导体芯片(1)和多条导线(3),在QFN(5)中,在各引线(2a)的左右两侧的错开位置处形成层差部(2n、2p),使与相邻引线(2a)的层差部(2n、2p)的位置错开,由此缩小引线间的间隙而实现QFN(5)的小型化或多管脚化。
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