公开(公告)号：CN101741326B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN200910222005.8

申请日：2009-11-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 近藤将夫 ,  松永良国 ,  关健太 ,  樱井智

IPC: H03F3/24 ,  H03F3/26

CPC classification number: H03F3/193 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H03F1/0272 ,  H03F1/565 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F3/245 ,  H03F3/26 ,  H03F3/265 ,  H03F3/45179 ,  H03F3/45475 ,  H03F3/68 ,  H03F2200/105 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/465 ,  H03F2200/534 ,  H03F2200/541 ,  H03F2203/45481 ,  H03F2203/45544 ,  H03F2203/45621 ,  H03F2203/45631 ,  H03F2203/45731 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明实现了减小作为输出阻抗匹配电路的变压器(电压变换器)的初级线圈侧输入阻抗而不减小Q因子。本发明提供一种RF功率放大器，包括晶体管和作为输出匹配电路的变压器。变压器具有相互磁耦合的初级线圈和次级线圈。对晶体管的输入端子提供相应的输入信号。初级线圈被耦合到晶体管的每个输出端子。从次级线圈产生输出信号。变压器的初级线圈包括并联地耦合在晶体管的相应的输出端子之间且每个都磁耦合到次级线圈的第一线圈和第二线圈。通过初级线圈的第一和第二线圈的并联耦合，减小了初级线圈的输入阻抗。

公开(公告)号：CN103001661B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201210271791.2

申请日：2012-08-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 后藤聪 ,  堀和明 ,  樱井智

IPC: H04B1/401

CPC classification number: H04B1/109 ,  Y02D70/00

Abstract: 本公开涉及天线开关以及通信设备。本发明旨在抑制RFIC的规模和功耗的增大。作为天线开关的部件的第一开关切换在第一端子与天线耦合的第三端子之间传播高频信号的第一状态和中断高频信号的第二状态。第二开关在第二端子与第三端子之间与第一开关无关地切换第一和第二状态。处在第一状态下的第一和第二开关之后调整多个级的任何一级中的高频信号的衰减量。

公开(公告)号：CN103178792B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201210562608.4

申请日：2012-12-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 萩沢弘 ,  樱井智

IPC: H03F3/20 ,  H03F3/189 ,  H03M1/10

CPC classification number: H04W52/028 ,  Y02D70/1262

Abstract: 本发明涉及无线通信装置。本发明提高无线通信装置的发送功率特性或者减少为提高发送功率特性所需的资源。无线通信装置包括例如偏置检测电路、误差放大器和校正电路。偏置检测电路检测被供应给高频功率放大器的偏置。误差放大器放大检测的偏置与预定的基准电压之间的误差。校正电路搜索使误差放大器中检测的误差最小的比特校正值。在正常操作期间，数模转换电路从基带单元接收偏置指令码并且输出在比特校正值被反映在偏置指令码中时获得的偏置设立电压。然后将与偏置设立电压对应的偏置供应给高频功率放大器。

公开(公告)号：CN103001661A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210271791.2

申请日：2012-08-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 后藤聪 ,  堀和明 ,  樱井智

IPC: H04B1/40

CPC classification number: H04B1/109 ,  Y02D70/00

Abstract: 本公开涉及天线开关以及通信设备。本发明旨在抑制RFIC的规模和功耗的增大。作为天线开关的部件的第一开关切换在第一端子与与天线耦合的第三端子之间传播高频信号的第一状态和中断高频信号的第二状态。第二开关在第二端子与第三端子之间与第一开关无关地切换第一和第二状态。处在第一状态下的第一和第二开关之后调整多个级的任何一级中的高频信号的衰减量。

公开(公告)号：CN102945848A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210441006.3

申请日：2008-02-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 樱井智 ,  后藤聪 ,  藤冈彻

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/66

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823425 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01P5/184 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。提供了一种能够促进移动电话等中使用的RF功率模块的微型化的技术。在其中形成了RF功率模块的放大部分的半导体芯片内，形成定向耦合器。定向耦合器的副线与耦合到LDMOSFET的漏区的漏极导线形成在同一层中，所述LDMOSFET将用作半导体芯片的放大部分。因此，预定的漏极导线用作主线，通过经由绝缘膜与所述主线并行布置的副线以及所述主线来配置定向耦合器。

公开(公告)号：CN102945848B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201210441006.3

申请日：2008-02-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 樱井智 ,  后藤聪 ,  藤冈彻

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/66

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823425 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01P5/184 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。提供了一种能够促进移动电话等中使用的RF功率模块的微型化的技术。在其中形成了RF功率模块的放大部分的半导体芯片内，形成定向耦合器。定向耦合器的副线与耦合到LDMOSFET的漏区的漏极导线形成在同一层中，所述LDMOSFET将用作半导体芯片的放大部分。因此，预定的漏极导线用作主线，通过经由绝缘膜与所述主线并行布置的副线以及所述主线来配置定向耦合器。

公开(公告)号：CN103178792A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210562608.4

申请日：2012-12-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 萩沢弘 ,  樱井智

IPC: H03F3/20 ,  H03F3/189 ,  H03M1/10

CPC classification number: H04W52/028 ,  Y02D70/1262

Abstract: 本发明涉及无线通信装置。本发明提高无线通信装置的发送功率特性或者减少为提高发送功率特性所需的资源。无线通信装置包括例如偏置检测电路、误差放大器和校正电路。偏置检测电路检测被供应给高频功率放大器的偏置。误差放大器放大检测的偏置与预定的基准电压之间的误差。校正电路搜索使误差放大器中检测的误差最小的比特校正值。在正常操作期间，数模转换电路从基带单元接收偏置指令码并且输出在比特校正值被反映在偏置指令码中时获得的偏置设立电压。然后将与偏置设立电压对应的偏置供应给高频功率放大器。

公开(公告)号：CN101276815B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200810009409.4

申请日：2008-02-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 樱井智 ,  后藤聪 ,  藤冈彻

IPC: H01L27/06 ,  H01L25/00 ,  H01P5/18

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823425 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01P5/184 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 提供了一种能够促进移动电话等中使用的RF功率模块的微型化的技术。在其中形成了RF功率模块的放大部分的半导体芯片内，形成定向耦合器。定向耦合器的副线与耦合到LDMOSFET的漏区的漏极导线形成在同一层中，所述LDMOSFET将用作半导体芯片的放大部分。因此，预定的漏极导线用作主线，通过经由绝缘膜与所述主线并行布置的副线以及所述主线来配置定向耦合器。