公开(公告)号：CN102945848A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210441006.3

申请日：2008-02-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 樱井智 ,  后藤聪 ,  藤冈彻

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/66

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823425 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01P5/184 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。提供了一种能够促进移动电话等中使用的RF功率模块的微型化的技术。在其中形成了RF功率模块的放大部分的半导体芯片内，形成定向耦合器。定向耦合器的副线与耦合到LDMOSFET的漏区的漏极导线形成在同一层中，所述LDMOSFET将用作半导体芯片的放大部分。因此，预定的漏极导线用作主线，通过经由绝缘膜与所述主线并行布置的副线以及所述主线来配置定向耦合器。

公开(公告)号：CN102945848B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201210441006.3

申请日：2008-02-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 樱井智 ,  后藤聪 ,  藤冈彻

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/66

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823425 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01P5/184 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。提供了一种能够促进移动电话等中使用的RF功率模块的微型化的技术。在其中形成了RF功率模块的放大部分的半导体芯片内，形成定向耦合器。定向耦合器的副线与耦合到LDMOSFET的漏区的漏极导线形成在同一层中，所述LDMOSFET将用作半导体芯片的放大部分。因此，预定的漏极导线用作主线，通过经由绝缘膜与所述主线并行布置的副线以及所述主线来配置定向耦合器。

公开(公告)号：CN101276815B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200810009409.4

申请日：2008-02-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 樱井智 ,  后藤聪 ,  藤冈彻

IPC: H01L27/06 ,  H01L25/00 ,  H01P5/18

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823425 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01P5/184 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 提供了一种能够促进移动电话等中使用的RF功率模块的微型化的技术。在其中形成了RF功率模块的放大部分的半导体芯片内，形成定向耦合器。定向耦合器的副线与耦合到LDMOSFET的漏区的漏极导线形成在同一层中，所述LDMOSFET将用作半导体芯片的放大部分。因此，预定的漏极导线用作主线，通过经由绝缘膜与所述主线并行布置的副线以及所述主线来配置定向耦合器。