公开(公告)号：CN101741326B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN200910222005.8

申请日：2009-11-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 近藤将夫 ,  松永良国 ,  关健太 ,  樱井智

IPC: H03F3/24 ,  H03F3/26

CPC classification number: H03F3/193 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H03F1/0272 ,  H03F1/565 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F3/245 ,  H03F3/26 ,  H03F3/265 ,  H03F3/45179 ,  H03F3/45475 ,  H03F3/68 ,  H03F2200/105 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/465 ,  H03F2200/534 ,  H03F2200/541 ,  H03F2203/45481 ,  H03F2203/45544 ,  H03F2203/45621 ,  H03F2203/45631 ,  H03F2203/45731 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明实现了减小作为输出阻抗匹配电路的变压器(电压变换器)的初级线圈侧输入阻抗而不减小Q因子。本发明提供一种RF功率放大器，包括晶体管和作为输出匹配电路的变压器。变压器具有相互磁耦合的初级线圈和次级线圈。对晶体管的输入端子提供相应的输入信号。初级线圈被耦合到晶体管的每个输出端子。从次级线圈产生输出信号。变压器的初级线圈包括并联地耦合在晶体管的相应的输出端子之间且每个都磁耦合到次级线圈的第一线圈和第二线圈。通过初级线圈的第一和第二线圈的并联耦合，减小了初级线圈的输入阻抗。