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公开(公告)号：CN102983821A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210328265.5
申请日：2012-09-06
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 近藤将夫
CPC classification number: H03F1/0277 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/537 , H03F2200/541
Abstract: 本发明提供一种高频功率放大装置，其能高效传输输出功率。例如，高频功率放大装置具有第一和第二差分放大器以及用于匹配差分放大器的输出阻抗的变压器。在第一差分放大器的差分输出节点之间串联耦合电感器、开关和电感器。当第二差分放大器处于操作状态且第一差分放大器处于非操作状态时，控制开关接通。在该情况下，由于第一差分放大器中包括差分对晶体管中的“关断电容”，从初级线圈的两端观察第一差分放大器侧的阻抗变成高阻抗状态（并联谐振状态），且等效地，初级线圈不会对第二差分放大器的操作产生影响。
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公开(公告)号：CN102299702A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110093547.7
申请日：2011-04-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，具体提供一种在实现减少天线开关成本方面，特别即使在天线开关包括在硅衬底之上形成的场效应晶体管时仍然能够尽可能多地减少从天线开关生成的谐波失真的技术。配置TX并联晶体管的第一MISFET至第五MISFET的栅极宽度从与接近GND端子的一侧耦合的第五MISFET到与接近发送端子的一侧耦合的第一MISFET逐渐增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101794793B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201010107742.6
申请日：2010-01-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L21/823425 , H01L21/823456 , H01L21/823462 , H01L27/088
Abstract: 本发明涉及半导体器件。具体地，为了实现天线开关的成本降低，提供了一种技术，其可以尽可能多地降低在天线开关中产生的谐波失真，特别是在天线开关包括在硅衬底上方形成的场效应晶体管时。TX串联晶体管、RX串联晶体管和RX旁路晶体管中的每一个包括低压MISFET，而TX旁路晶体管包括高压MISFET。由此，通过减小构成TX旁路晶体管的高压MISFET的串行连接的数目，施加于各串联耦合的高压MISFET的电压幅度的不均匀性得以抑制。这样，可以抑制高阶谐波的产生。
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公开(公告)号：CN101944532A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010223388.3
申请日：2010-07-02
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L27/1203 , H01L28/86 , H01L29/94 , H04B1/48
Abstract: 本发明涉及半导体集成电路装置。SOI MOSFET被用于切换天线开关的晶体管，但显著减小谐波失真。将电容元件分别添加到构成天线开关的接收支路的通过MOSFET组的晶体管的相应的漏极或栅极。这使得在源极与栅极之间的电压振幅和在漏极与栅极之间的电压振幅彼此不同。结果，源极-漏极寄生电容的电压依赖性变成关于电压极性是不对称的。该不对称特性产生具有类似的不对称特性的信号失真。因此，通过设置它使得它具有与由衬底电容的电压依赖性引起的二次谐波相同的振幅和与之相反的相位可以实现以下：可以抵消二次谐波失真并且因此可以减小二次谐波失真。
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公开(公告)号：CN102299702B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201110093547.7
申请日：2011-04-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，具体提供一种在实现减少天线开关成本方面，特别即使在天线开关包括在硅衬底之上形成的场效应晶体管时仍然能够尽可能多地减少从天线开关生成的谐波失真的技术。配置TX并联晶体管的第一MISFET至第五MISFET的栅极宽度从与接近GND端子的一侧耦合的第五MISFET到与接近发送端子的一侧耦合的第一MISFET逐渐增加。
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公开(公告)号：CN101741326B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200910222005.8
申请日：2009-11-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H03F3/193 , H01L2224/0603 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H03F1/0272 , H03F1/565 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F3/26 , H03F3/265 , H03F3/45179 , H03F3/45475 , H03F3/68 , H03F2200/105 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2200/451 , H03F2200/465 , H03F2200/534 , H03F2200/541 , H03F2203/45481 , H03F2203/45544 , H03F2203/45621 , H03F2203/45631 , H03F2203/45731 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明实现了减小作为输出阻抗匹配电路的变压器(电压变换器)的初级线圈侧输入阻抗而不减小Q因子。本发明提供一种RF功率放大器，包括晶体管和作为输出匹配电路的变压器。变压器具有相互磁耦合的初级线圈和次级线圈。对晶体管的输入端子提供相应的输入信号。初级线圈被耦合到晶体管的每个输出端子。从次级线圈产生输出信号。变压器的初级线圈包括并联地耦合在晶体管的相应的输出端子之间且每个都磁耦合到次级线圈的第一线圈和第二线圈。通过初级线圈的第一和第二线圈的并联耦合，减小了初级线圈的输入阻抗。
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公开(公告)号：CN102983821B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201210328265.5
申请日：2012-09-06
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 近藤将夫
CPC classification number: H03F1/0277 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/537 , H03F2200/541
Abstract: 本发明提供一种高频功率放大装置，其能高效传输输出功率。例如，高频功率放大装置具有第一和第二差分放大器以及用于匹配差分放大器的输出阻抗的变压器。在第一差分放大器的差分输出节点之间串联耦合电感器、开关和电感器。当第二差分放大器处于操作状态且第一差分放大器处于非操作状态时，控制开关接通。在该情况下，由于第一差分放大器中包括差分对晶体管中的“关断电容”，从初级线圈的两端观察第一差分放大器侧的阻抗变成高阻抗状态（并联谐振状态），且等效地，初级线圈不会对第二差分放大器的操作产生影响。
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