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公开(公告)号：CN101533829B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200910007501.1
申请日：2009-02-11
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/76
CPC classification number: H01L22/12 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体制造检查装置和检查装置，该半导体装置具有Cu布线，该Cu布线具有不受布线宽度的变化影响的、能够把表面缺陷降低到比能实用的级别还低的基本晶体结构。在该半导体装置中，通过确定阻挡膜和籽膜，且使晶界∑值27以下的对应(CSL)晶界占该Cu布线的全部晶界的比例(频度)为60％以上，能够把表面缺陷降低到能实用的现状级别的1/10以下。或者，在该半导体装置中，通过确定该阻挡膜和籽膜，且使晶界∑值3的对应(CSL)晶界占该Cu布线的全部晶界的比例(频度)为40％以上，能够得到同样的降低表面缺陷的效果。
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公开(公告)号：CN102339804B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110204593.X
申请日：2011-07-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L23/3107 , H01L24/04 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48639 , H01L2224/73265 , H01L2224/85439 , H01L2224/97 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/14 , H01L2924/15738 , H01L2924/15747 , H01L2924/1576 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2924/00012 , H01L2924/0105 , H01L2924/01026 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件在外部镀膜中具有改善的抗晶须性。该半导体器件包括半导体芯片固定于其上的薄片、多个内引线、与内引线一体形成的多个外引线、用于将半导体芯片的电极焊盘与内引线彼此耦合的多个接线以及用于密封半导体芯片的密封体。外引线从密封体突出并且在每个外引线的表面上形成作为无铅镀膜的外部镀膜。在外部镀膜中，直径不大于1μm且在外部镀膜的厚度方向中的界面侧上存在的晶粒数目比不大于1μm且在外部镀膜的表面侧上存在的晶粒数目大，由此使得外部镀膜和外引线之间的线性膨胀系数之差较小，从而使得可以抑制晶须的生长。
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公开(公告)号：CN102339804A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110204593.X
申请日：2011-07-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L23/3107 , H01L24/04 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48639 , H01L2224/73265 , H01L2224/85439 , H01L2224/97 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/14 , H01L2924/15738 , H01L2924/15747 , H01L2924/1576 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2924/00012 , H01L2924/0105 , H01L2924/01026 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件在外部镀膜中具有改善的抗晶须性。该半导体器件包括半导体芯片固定于其上的薄片、多个内引线、与内引线一体形成的多个外引线、用于将半导体芯片的电极焊盘与内引线彼此耦合的多个接线以及用于密封半导体芯片的密封体。外引线从密封体突出并且在每个外引线的表面上形成作为无铅镀膜的外部镀膜。在外部镀膜中，直径不大于1μm且在外部镀膜的厚度方向中的界面侧上存在的晶粒数目比不大于1μm且在外部镀膜的表面侧上存在的晶粒数目大，由此使得外部镀膜和外引线之间的线性膨胀系数之差较小，从而使得可以抑制晶须的生长。
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